3016_嘉晶（市） — Stock LLM Wiki

基本資料

嘉晶電子是漢民集團旗下磊晶晶圓供應商，主力業務為 Silicon / SiC / GaN 磊晶材料的研究、開發、生產與銷售。公司 2023 永續報告書列示，嘉晶成立於 1998 年、位於新竹科學園區，為漢磊科技轉投資公司，並定位為專業磊晶製程供應商。

嘉晶的投資定位不是一般 prime silicon wafer 龍頭，而是偏 EPI / 化合物半導體材料：在矽晶圓上做矽磊晶，也在 SiC 基板上做 SiC 磊晶，並提供 GaN-on-Silicon、GaN-on-SiC 等寬能隙半導體磊晶。SiC 供應鏈中，嘉晶位於「基板之後、元件製程之前」的磊晶環節，厚度、摻雜均勻性、缺陷控制會影響下游 SiC MOSFET / SBD 的耐壓、導通電阻與良率。

2023 永續報告書揭露嘉晶營運據點包含篤行廠、創新廠與磊新廠；產品尺寸涵蓋 4 / 5 / 6 / 8 吋矽磊晶、6 / 8 吋 GaN-on-Silicon，以及 4 / 6 吋 SiC 磊晶。報告書也將未來展望連到 AI 伺服器、新能源車、再生能源與工業應用等高功率利基市場。

核心技術／競爭優勢

EPI 製程專業：磊晶層厚度、摻雜濃度、晶體品質與缺陷控制是功率元件良率與可靠度的前段瓶頸。
Si / SiC / GaN 多平台：同時覆蓋矽磊晶、SiC epitaxy、GaN-on-Si、GaN-on-SiC，可對應功率元件與 RF / 高頻應用。
漢民集團分工：上游磊晶由嘉晶承接，下游 SiC MOSFET / SBD 製程平台可映射至 3707_漢磊（櫃），測試服務與探針卡相鄰資源可映射至 7856_漢測（興）。
RF / 衛星材料延伸：GaN-on-SiC 可用於高功率 RF；低軌衛星頁將嘉晶列為 RF / 化合物半導體材料鏈觀察，但需確認實際訂單，不可直接寫成衛星客戶供應商。

SiC / GaN 產品

產品	技術定位	應用	觀察重點
Silicon epitaxy	矽晶圓上生長矽磊晶層	Power MOSFET、Diodes、IGBT、PMIC	成熟功率元件需求、產能利用率
Buried layer / Multi-layer epitaxy	特定結構與多層磊晶	類比、功率、特殊製程元件	客製化規格、毛利率
SiC epitaxy	在 SiC 基板上生長同質磊晶	EV 逆變器、OBC、充電樁、太陽能逆變器、AI 資料中心高壓電源	6 吋放量、8 吋驗證、外延品質
GaN-on-Silicon	寬能隙異質磊晶	快充、SMPS、DC-DC、資料中心電源	成本優勢、8 吋 GaN-on-Si 擴散速度
GaN-on-SiC	RF 高功率異質磊晶	5G、衛星通訊、航太、雷達	RF 客戶導入、低軌衛星 / NTN 題材真實訂單

廠區與尺寸

據點	產品 / 尺寸	說明
篤行廠	4 / 5 / 6 / 8 吋矽磊晶；6 吋 GaN-on-Silicon	公司總部 / 主要營運據點之一
創新廠	4 / 5 / 6 / 8 吋矽磊晶；4 / 6 / 8 吋 GaN-on-Silicon	具 GaN-on-Si 尺寸擴展觀察
磊新廠	4 / 5 / 6 / 8 吋矽磊晶；4 / 6 吋 SiC 磊晶	SiC 磊晶主要觀察據點

供應鏈位置

上游：SiC substrate / ingot，包含 6930_盛新材料（未）、海外 Wolfspeed / Coherent / ROHM 等。
中游：SiC / GaN 磊晶。
下游：3707_漢磊（櫃）等 SiC 製程平台、國際 IDM 與功率元件客戶。
相鄰材料鏈：6488_環球晶圓（市）、6182_合晶（櫃）屬矽晶圓 / EPI / SOI 等材料映射；嘉晶更偏化合物半導體 EPI。

graph LR
  SUB["SiC / Si / Sapphire等基板"] --> EPI["[[3016_嘉晶（市）]]<br/>SiC / GaN / Si EPI"]
  EPI --> FOUNDRY["[[3707_漢磊（櫃）]] / [[2342_茂矽（市）]]<br/>SiC功率元件製程"]
  EPI --> RF["RF / GaN-on-SiC客戶<br/>5G / 衛星 / 雷達"]
  FOUNDRY --> DEV["SiC MOSFET / SBD / IGBT / PMIC"]
  DEV --> APP["EV / 儲能 / 太陽能 / AI電源"]

圖說：嘉晶本身是磊晶材料 / EPI 供應商；投資上需看下游元件客戶導入、外延品質與 6 吋到 8 吋平台轉換。

時間軸

時間	事件	類型	重要性	備註
1998-11-09	嘉晶成立於新竹科學園區	公司成立	⭐	漢磊科技轉投資公司
2002	台灣證券交易所上市，股票代號 3016	掛牌	⭐	TWSE
2016	嘉晶與漢磊先進投資控股子公司漢磊晶合併	集團整併	⭐⭐	強化漢民集團磊晶資源
2023	永續報告書揭露 Silicon / SiC / GaN 磊晶產品與 AI / 新能源車等高功率利基市場展望	產品揭露	⭐⭐⭐	可作為公司頁主要來源
2026-2028	SiC 8 吋外延、GaN-on-Si 放量與 RF / 衛星應用導入	觀察點	⭐⭐⭐	需追蹤客戶驗證與實際營收

關鍵 Claim

Claim	類型	來源	日期	信心
嘉晶主要業務為研究、開發、生產製造及銷售 Silicon / SiC / GaN 磊晶材料	company_material	嘉晶 2023 永續報告書	2024-08	高
產品包含矽磊晶、GaN epitaxy、SiC epitaxy、GaN-on-SiC epitaxy，應用於 Power MOSFET、Diodes、IGBT、PMIC 等功率元件	company_material	嘉晶 2023 永續報告書	2024-08	高
磊新廠列 4 / 6 吋 SiC 磊晶；創新廠列 4 / 6 / 8 吋 GaN-on-Silicon	company_material	嘉晶 2023 永續報告書	2024-08	高
低軌衛星 / 航太 RF 屬 GaN-on-SiC 材料鏈觀察，不代表已確認供應特定衛星客戶	inference	供應鏈_低軌衛星、技術_衛星RF前端	2026-06	中

投資觀察

EPI 良率與品質是核心：SiC MOSFET 的耐壓、導通電阻與良率高度依賴磊晶層厚度、摻雜與缺陷均勻性。
6 吋到 8 吋轉換：8 吋 SiC / GaN 可降低成本，但大面積外延均勻性更難；嘉晶需追蹤 8 吋外延驗證與客戶量產進度。
功率與 RF 雙主軸：SiC 偏 EV、儲能、太陽能、AI 電源；GaN-on-SiC 偏高功率 RF、5G / 衛星 / 雷達，兩者客戶與驗證節奏不同。
不是一般矽晶圓景氣純度最高標的：與 6488_環球晶圓（市）、3532_台勝科（市）、6182_合晶（櫃）相比，嘉晶更偏特化磊晶與化合物半導體，而非 12 吋 prime wafer 主循環。

公司	關係	說明
3707_漢磊（櫃）	下游 / 集團映射	SiC MOSFET 製程平台
6930_盛新材料（未）	上游材料	SiC 晶錠 / 基板
8121_越峰（櫃）	上游材料相鄰	SiC 粉體 / 燒結體，不同於基板供應
6488_環球晶圓（市）	晶圓同業 / 上游材料	矽晶圓與部分化合物半導體材料觀察
6182_合晶（櫃）	同業 / EPI 映射	矽晶圓、EPI、SOI；與嘉晶同列台系 EPI / 特化材料觀察
3105_穩懋（櫃）	RF / 化合物半導體相鄰	低軌衛星頁將穩懋與嘉晶同列 RF / 化合物半導體觀察
7856_漢測（興）	集團 / 測試相鄰	漢民集團測試服務與探針卡相關公司

風險與邊界

不把 GaN-on-SiC / RF 能力直接等同特定低軌衛星客戶訂單；需客戶、法說或出貨證據。
SiC / GaN 外延轉 8 吋後，厚度與摻雜均勻性、缺陷密度、良率與成本都是不確定性。
若 EV、儲能、太陽能或資料中心高壓電源需求延後，SiC 外延放量速度可能低於預期。
嘉晶是 EPI / 化合物材料定位，估值比較不宜直接套用 prime wafer 三雄邏輯。

嘉晶