STM.US(stmicroelectronics)

基本資料

意法半導體（STMicroelectronics，STM，NYSE 上市）為法義合資全球功率半導體及 MCU 龍頭之一。總部位於瑞士日內瓦，製造據點遍布歐洲（義大利、法國）及亞洲。核心業務涵蓋功率半導體（MOSFET、IGBT、整流器）、汽車 MCU、SiC（碳化矽）功率元件及類比/混合訊號 IC。SiC MOSFET 為 STM 近年重點發展，已打入電動車（EV）逆變器市場（Tesla 等客戶）。

STM 是本次功率半導體漲價循環的主要 IDM 之一，2026/4/26 及 2026/6/28 兩波漲價，漲幅低於 15%。全球功率半導體市占（報告圖7）：STM 5.7%（行業第四）。

3Q26 營運（公司法說 2026-10-29）：營收 37.6 億美元，毛利率 37.3%（YoY +410bps），non-GAAP EPS 0.37 美元；終端市場 YoY：通訊設備與電腦周邊 +64%、工業 +40%、車用 +5%、個人電子 -4%。AI 資料中心 2026 年營收約 13 億美元、2027 年遠高於兩倍，12 吋矽光子 2027 年產能預計為今年四倍以上；低軌衛星（SpaceX 及其他專案）2027 年營收預期持平或更好。訂單出貨比整體明顯高於 2、積壓逾 200 億美元；製造重組（關閉四座舊廠、轉 300mm／200mm）預期 2027 年底至 2028 年初帶來逾 400bps 毛利率改善，中期目標 44–46%。（來源：活動_STMicroelectronics_3Q26法說memo_20261029）

資料來源：報告_福邦_功率半導體漲價循環_20260624（福邦投顧，2026-06-24）；活動_STMicroelectronics_3Q26法說memo_20261029（公司法說，2026-10-29）。

產品與應用

產品 / 服務	應用	備註
功率 MOSFET	電源供應器、工業馬達、消費電子	中高壓為主
IGBT / IGBT 模組	工業變頻器、電動車逆變器	—
SiC MOSFET	電動車（EV）逆變器、充電樁、資料中心電源	重點成長業務；2026 年約 +20%（公司口述），2027 年續明顯成長，8 吋轉換於 Catania、重慶廠
汽車 MCU	車身控制、ADAS	—
類比 / 混合訊號 IC	工業感測、IoT	—
矽光子 IC／BiCMOS 電子 IC	AI 資料中心光互連、低軌衛星前端模組	12 吋矽光子量產出貨；資料中心 2026 年約 13 億美元（公司口述）；SpaceX 等低軌客戶
MEMS／影像感測器	車用（telematics、座艙、胎壓）、機器人、手機	整合 NXP MEMS 感測器業務；與 NVIDIA 合作機器人開發路徑

EPS 記錄

季度	EPS (US$)	YoY	備註
3Q26	0.31（GAAP）／0.37（non-GAAP）	GAAP 0.26 → 0.31	營收 37.6 億美元、毛利率 37.3%；non-GAAP 營益率 11.4%（活動_STMicroelectronics_3Q26法說memo_20261029）

EPS 預估

報告未揭露 STM 具體 EPS 預估數字，標「待報告」。

年度	EPS	備註
2025A	待報告	報告未揭露
2026F	待報告	報告未揭露

財測假設

來源（日期）	模型 / 推導鏈	關鍵假設	產出
公司指引（2026-10-29）	4Q26 財測中點 → 2026 全年	毛利率路徑：4Q26 約 39% → 暫時性費用（閒置產能約 40bps、重組一次性約 30bps）2H27 消失 → 製造重組逾 400bps 於 2027 年底至 2028 年初階梯式顯現；4Q26 non-GAAP 營業費用約 10.35 億美元；2027 年成本節省 1–1.2 億美元；2027 年各季天數 86／91／91／97	4Q26 營收 41.5 億美元 ±350bps（QoQ +10.5%、YoY +24.7%）、毛利率約 39% ±200bps；2026 全年營收約 145 億美元（YoY +22.8%）、毛利率約 36.4%；中期毛利率目標 44–46%

關鍵 Claim

Claim	類型	來源	日期	信心
2026/4/26、2026/6/28 兩波漲價，漲幅 <15%	fact	報告_福邦_功率半導體漲價循環_20260624	2026-06-24	中
全球功率半導體市占 5.7%（行業第四）	analyst	報告_福邦_功率半導體漲價循環_20260624	2026-06-24	中
3Q26 營收 37.6 億美元、毛利率 37.3%、non-GAAP EPS 0.37 美元；4Q26 財測營收 41.5 億美元、毛利率約 39%	fact（公司財報／指引）	活動_STMicroelectronics_3Q26法說memo_20261029	2026-10-29	高
訂單出貨比整體明顯高於 2、積壓逾 200 億美元（約五個季度營收）、價格 2027 年持平或小幅上升	fact（公司說法）	活動_STMicroelectronics_3Q26法說memo_20261029	2026-10-29	中高
AI 資料中心 2026 年約 13 億美元、2027 年遠高於兩倍；12 吋矽光子唯一量產廠商、2027 產能四倍以上	fact（公司說法）	活動_STMicroelectronics_3Q26法說memo_20261029	2026-10-29	中高
製造重組帶來逾 400bps 毛利率結構性改善，2027 年底至 2028 年初階梯顯現，中期目標 44–46%	fact（公司指引）	活動_STMicroelectronics_3Q26法說memo_20261029	2026-10-29	中

時間軸

時間	事件	類型	重要性	備註
2026-11-03／11-18	STM32 Summit；STM32 分析師電話會議	產品	中	公司法說 2026-10-29；→ 時程_2026_功率半導體
2027-01	2027 年資料中心與全公司細項指引、2028 年資料中心指引	財測	高	公司法說 2026-10-29
2027-01-01	新組織與可報告事業部調整生效（2027-03 底前完成實施）	組織	中	公司法說 2026-10-29
2027（全年）	12 吋矽光子產能較 2026 年增加四倍以上	擴產	高	公司法說 2026-10-29
2H27	閒置產能與重組一次性成本大致消失	製造	中	公司法說 2026-10-29
2027 年底–2028 年初	四座舊廠關閉後毛利率逾 400bps 階梯式改善	製造	高	其中三座取決於客戶認可，一座仍在討論（公司法說 2026-10-29）

供應鏈位置

IDM 模式：自有晶圓廠（歐洲）+ SiC 基板與外購
全球功率半導體市占約 5.7%（報告圖7，行業第四）
漲價行動：2026/4/26、2026/6/28 兩波，漲幅 <15%；3Q26 法說稱因投入成本與交期拉長續對部分產品漲價，2027 年價格預期持平或小幅上升（假設供需缺口持續；2026-10-29）
製造足跡：關閉四座舊廠並轉往 300mm 廠（SiC 轉 200mm、功率由 150mm 轉 200mm），過渡期成本使類比／MEMS 與功率事業部毛利率 YoY 下滑（公司口述）
SiC 業務為中長期成長引擎（電動車逆變器）
競爭同業：NXPI.US(nxp)、6963.JP(rohm)（SiC 競爭）、TXN.US(texas_instruments)
相關技術：技術_功率半導體

公司	關係	說明
NXPI.US(nxp)	同業 / 競爭	車用半導體 + 功率
6963.JP(rohm)	同業 / 競爭	SiC 功率半導體競爭
TXN.US(texas_instruments)	同業 / 競爭	類比 / 電源管理
VSH.US(vishay)	同業 / 競爭	分立元件 / MOSFET

來源

報告_福邦_功率半導體漲價循環_20260624（福邦投顧，2026-06-24）
活動_STMicroelectronics_3Q26法說memo_20261029 — 公司 3Q26 法說，2026-10-29；營收 37.6 億美元、積壓逾 200 億美元、資料中心／矽光子／低軌衛星、毛利率路徑

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