定義
機櫃匯流排（rack busbar）是 OCP Open Rack 機櫃內縱向的銅排，把 power shelf 輸出的直流電分配給各層 IT 設備（盲插取電）。本頁指機櫃內 DC busbar；機櫃外、資料中心天花的 busway（含 tap box／power whip）屬配電層，不在本頁範圍（Vertiv 的雙額定／混合 AC-DC busway 見 VRT.US(vertiv)）。電壓由 ORv3 的 48/50V 走向 800VDC 後，電流可控、但接點、絕緣、配接順序與溫升成為設計重點。
圖解
圖說：三種深度規格對照：500kW 約 625A（80mm）、750kW 約 937A（130mm）、1MW 約 1250A（200mm），busbar 長 2134mm、寬 35mm（來源：報告_OCP2026_TE_1MW機櫃匯流排介面_20261015，2026-10）。
圖說：busbar 溫升模擬：環境 55°C、無氣流，625A／937A／1250A 對應溫升 29.27／28.22／29.76°C，附色階溫度圖與通用機櫃佈局（來源：同上，2026-10）。
圖說：左為展場 Vera Rubin 100A Power Whip 與 Vera Rubin NVL72 HPM Busbar 實物照；右為 GB200／GB300／Vera Rubin 200 機櫃功耗與 Power Whip 規格表，及 NVIDIA 機櫃功率路線圖（Ampere 10kW → Rubin Ultra 1000kW+）。來源：Nvidia，中信投顧整理（報告_CTBC_連接器產業概況_20261022，2026-10-22）。
技術原理
機櫃供電路徑與 Power Whip／Busbar 規格（中信投顧）
- 路徑：資料中心交流電（AC）→ Power Whip → Power Shelf（AC/DC 轉換）→ Busbar 分配直流電 → Compute／Switch Tray → PDB → VRM → GPU／CPU。Power Whip 把高壓交流電由資料中心送到 Power Shelf；Busbar 是機櫃內由電源機櫃送往伺服器的銅條或厚電纜導體系統。
- 現行多採 48V／50V／54V 低壓直流匯流排；電壓越低，同功率所需電流越大，需更粗銅線，空間、成本、損耗與發熱都上升。高壓直流把電源機櫃電壓提高到 400V 甚至 800V，電流下降、線路熱損耗減少。
- 規格升級：GB200／GB300 每櫃 TDP 約 120～140kW、Power Whip 60A，Vera Rubin 200 每櫃 180～220kW（簡報文字寫 VR200「超過 200kW」）、Power Whip 升至 100A；Busbar 由 1,400A 升至 5,000A，規格與單價同步上升。
- 用量：GB200／GB300 NVL72 與 Vera Rubin 200 每櫃 Power Shelf 皆 6～8 個、Power Whip 6～8 條（文字稱 8 條）；獨立 Power Rack 配置約 18～24 條；Busbar 用量與機櫃數相關。
ORv3 48V 與液冷 busbar
- 貿聯自述（OCP 2026-10-15）：44OU OCP ORv3 48Vdc 匯流排 up to 1.4kA、設計可達 3kA；液冷匯流排自 3.2kA 起，有 bottom-to-top 與 bottom-to-bottom 兩種流向；電源架匯流排 up to 110kW（報告_OCP2026_貿聯_電網到位元_20261015）。
- NVIDIA MGX 電源機櫃參考設計（2026-10）：液冷母排夾 2036A、RMS 發熱 +11%（報告_OCP2026_NVIDIA_MGX電源機櫃參考設計_20261015）。
- 庫內既有口徑（另案來源）：GB300 busbar 1,400A → Rubin 5,000A 屬 NVIDIA 50V 液冷匯流排；佳必琪稱液冷 busbar 載流由風冷標準約 2,000A 提升至 5,000A（見 3665_貿聯-KY（市）、6197_佳必琪（市））。貿聯 OCP 公開口徑為設計到 3kA／液冷自 3.2kA，與 5,000A 並列、不直接互相取代。
- 液冷 busbar 的動機：提高電流密度、限縮導體截面與溫升；ORW 稱液冷 busbar 下機櫃容量 >700kW（技術_ORW寬機櫃）。
800V 機櫃端 busbar 介面提案（TE，1MW）
TE 聚焦 sidecar 之外的 IT 機櫃端 busbar 配接介面，沿用 ORv3 的 35mm 寬度，以加深尺寸擴容（TE 明示為自家參考設計，尚非已授權 OCP 貢獻，量產與標準時間均未提）：
| 項目 | 內容 |
|---|---|
| 極數與電壓 | PE／0V／800V 三極、0-800VDC；PE 截面可依故障電流調整 |
| 功率範圍 | 250kW 至 1.6MW+ |
| 寬度 | 35mm（同 ORv3），長 2134mm |
| 三種深度 | 500kW 約 625A（80mm）；750kW 約 937A（130mm）；1MW 約 1250A（200mm） |
| 安全 | touch-safe（UL 62368 手指探棒） |
| 配接順序 | PE 先接後斷；預充電（選配）；0V；800V；感測／在位針最後接、先斷 |
| 溫升模擬 | 環境 55°C、無氣流：625A 29.27°C、937A 28.22°C、1250A 29.76°C，皆 <30°C |
| 溫升實測 | 625A／500kW，最大約 27°C（環境 25°C、120 分鐘），與模擬差約 6%；全部元件達 30°C 溫升上限 |
| 後續 | >800V 下 busbar 尺寸與重量「在一定範圍內」可控；研究液冷版、尺寸與重量優化、沿用 48V 液冷 busbar（LCBB）成果 |
機櫃功率軌跡（TE p3）：約 2021 年 100kW → 2027 年 1MW → 之後 1.5MW+（中間年份點為圖判讀）。TE 背景敘述：Diablo 標準由 Meta、Microsoft、Google 推動（報告_OCP2026_TE_1MW機櫃匯流排介面_20261015，2026-10）。
800V Sidecar 單一架構兩條路徑與連接器需求（TE）
TE 的 OCP 2026 高階場次把 800V 電力鏈拆成：sidecar 把電力轉換與運算分離，輸出架構決定最後一級轉換發生在哪。路徑 A 為高壓 IT 機櫃（高壓 busbar 連接器、高壓 busbar、機櫃對機櫃連接）；路徑 B 為 50V IT 機櫃（液冷 busbar、BB4000、Multi-Beam 高壓轉低壓連接器）。TE 並提出 1OU 機櫃對機櫃電源連接，主打更高電流（單導體截面可載更多功率）、液冷／氣冷皆可、整合訊號（interlock、在位、溫度）。（報告_OCP2026_TE_電源密度與頻寬_20261015，2026-10；TE 自述，簡報註明所列產品僅供參考、非已授權 OCP 規格貢獻）
圖說：One Sidecar Architecture, Two Paths——路徑 A 高壓 IT 機櫃與路徑 B 50V IT 機櫃各自列出對應連接器與 busbar，右側為 1OU 機櫃對機櫃電源連接及三項特點（TE 簡報，OCP 2026，2026-10）。
- 800VDC 帶來六項新連接需求：觸電防護（touch protection）、爬電與間隙、受控配接（controlled mating）、interlock、斷電維護、連接器狀態監測；800V IT 機櫃 busbar 涵蓋 250kW 至 1.6MW 可擴深度，sense 與預充電針腳可塞進 35mm 匯流排寬度（與上節 1MW 提案同源）。
- 運算托盤內：電力經 IT Gear 進入，托盤內終端用 ELCON Micro+、RAPID LOCK、ELCON Mini、ICCON 插座與 12/48V MPIC；IT Gear、ELCON Micro+、RAPID LOCK 與 ICCON 提供 50V 與高壓兩種版本。
- 電源完整性與感測：功率密度要求更多屏蔽、更低迴路電感、磁場與壓降控制；末端連接器要低電感與低電阻以減少電壓下陷，連接器也成為控制／保護架構的一部分，量測溫度、在位、電流使失效可預測；TE 另有「降低寄生、改善效能：低電感的理由」場次（10/13）。
- TE 簡報的 AI 經濟段指出 scale-up／scale-out／跨機櫃帶寬密度、距離與每位元能耗壓力推動光學內移（見 技術_FAU、技術_NPO）。
其他 800V 周邊（機櫃端電力介面）
- 貿聯 800Vdc 連接器九類：AC PDU 線端、AC/DC 電源架線端、800Vdc 連接器（touch-proof／clip）、800Vdc 機櫃匯流排、800Vdc DC PDU 輸出（arcing protection）、800Vdc DC/DC 電源架輸入（arcing protection）、ORv3 48V 匯流排連接器、ORv3 48V 液冷機櫃匯流排、800Vdc 互連線（arcing protection）（貿聯自述，產品發表，無量產時程）。
- 光寶 1.1MW 電源機櫃的 DC PDU 600kW／2OU：4×200A whip（各 150kW@800V），fuse box 各 150kW（報告_OCP2026_光寶科_1MW電源機櫃_20261015）。
- NVIDIA 建議 125A／157A 連接器（UL 1682，≤15.2m）與 100A 多導體 whip 成為標準；Microsoft 引 NVIDIA Phase II「Busway 1,250A」與 TE 1MW 約 1250A 同量級（報告_OCP2026_NVIDIA_MGX電源機櫃參考設計_20261015）。
- 驗證端：致茂專利低電感匯流排（NP-40191-TW）解決 50V 大電流測試連接的電感與擋風問題（報告_OCP2026_致茂_AI電源機櫃驗證_20261015）。
關鍵參數 / 判斷指標
| 指標 | 意義 | 觀察重點 |
|---|---|---|
| 載流（A）與功率 | 625A≈500kW、1250A≈1MW（800V） | 48V 下同功率電流高約 16 倍，導體截面與溫升 |
| 溫升 | TE 全部 <30°C（55°C 環境、無氣流模擬） | 液冷 vs 空冷口徑不同 |
| 配接順序 | PE 先接、預充電、感測針最後 | 熱插拔與電弧防護 |
| 機櫃寬度 | 35mm 沿用 ORv3 | 與 ORW 的 busbar 安裝介面（Base Spec）相容性 |
技術瓶頸 / 風險
- 標準未定：TE 提案尚非 OCP 授權貢獻，無標準時程；800V busbar 的 PE/0V/800V 極性、尺寸、預充電是否納入 OCP 規格待觀察。
- 口徑差異：ORW「液冷 busbar >700kW」與 TE「空冷無氣流模擬 1MW／1250A」不同口徑；貿聯 3kA／3.2kA 與 NVIDIA 5,000A 亦不同層級，勿互相引用。
- 架構未收斂：busbar vs cable、DC/DC 落點仍在邊做邊定規格（見 技術_HVDC）。
- 受惠推論風險：TE 為連接器端候選，台廠對應（貿聯、佳必琪等）不可由 TE 提案直接推論受惠。
應用場景
- ORv3／ORW 機櫃內 power shelf 到 IT 設備的直流分配（48V 現行、800V 未來）。
- 800VDC 電源機櫃（sidecar／power rack）到相鄰 IT 機櫃的 DC/DC 輸入。
- 液冷 AI 機櫃（NVIDIA MGX、AMD Helios）高電流分配。
關鍵廠商
| 環節 | 廠商 | 角色與證據 |
|---|---|---|
| 連接器／介面（國際） | TE Connectivity | 800V 機櫃 busbar 介面提案（參考設計，非 OCP 授權貢獻） |
| 線材／busbar／連接器 | 3665_貿聯-KY（市）（含子公司 Interplex_Datacom（未）） | OCP 2026 展示 ORv3 48V／液冷匯流排與 800Vdc 九類連接器；無量產時程與客戶（推論：Interplex 主營機櫃與 Busbar，競爭對手見其公司頁） |
| 液冷 busbar | 6197_佳必琪（市） | 庫內另案稱液冷 busbar 2,000A→5,000A；本次 OCP 簡報未出現 |
| 機櫃載體 | Meta／Rittal | 技術_ORW寬機櫃（busbar 多位置安裝，DVT→PVT 調整） |
| 驗證 | 2360_致茂（市） | 低電感匯流排與 SLE 整櫃驗證 |
相關技術
供應鏈
→ 供應鏈_AI資料中心電力（BOM 中 Busbar 約占 3%）