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報告_統一投顧_VR登場AI伺服器價值鏈_20260731

更新 2026-08-21
#來源/券商報告#產業/AI伺服器#技術/Vera_Rubin#技術/CPO#產業/PCB#產業/散熱

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報告_統一投顧_VR登場AI伺服器價值鏈_20260731_013.png 75KB 真資料圖 「單片式 Lid (MCCP) 示意圖」堆疊剖面：由上而下為 Cold Plate (Fluid)／Gold 鍍金層／TIM 2 (VnGr 導熱片)／Lid 上蓋／TIM 1 導熱界面材料／SOC 晶片／Substrate 基板
報告_統一投顧_VR登場AI伺服器價值鏈_20260731_016.png 未標 真資料圖 AI 連接三層架構示意：左側 Scale-Up（垂直擴展）、下方 Scale-Out（水平擴展）、中央 Scale-Across（跨資料中心擴展）以綠色機櫃圖示與箭頭連接，左上標示 448G
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原始內容

VR倒數登場，AI伺服器價值鏈全面升級

統一投顧-莊佳蓉、丁宥霖

2026年7月

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目錄 簡報 大綱

  • VR登場，市場規模與出貨展望
  • VR規格躍升，拉開與前代平台差距
  • 供應鏈價值全面噴發
  • 推薦個股

北美五大CSP資本支出2026~27年持續高速成長

  • 美系五大CSP 1Q26資本支出年增91%優於預期，2026年市場共識上修至8153億美元(YoY+83%)， 2027年上看1.1173兆美元

Figure：美系五大CSP資本支出(US$bn)

(US$bn) 2024 2025 2026F 2027F
Microsoft 75.6 118.0 180.7 243.3
Amazon 83.0 131.9 217.3 274.0
Google 52.5 91.4 201.0 302.6
Meta 37.3 69.7 141.6 209.3
Oracle 10.7 35.5 74.7 97.0
Top 5 259.1 446.5 815.3 1117.3
YoY 50% 72% 83% 37%

Figure：美系五大CSP資本支出成長趨勢(US$bn)

CSP資本支出趨勢(US$bn)

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ARR 爆發成長，AI 進入高速變現期

  • AI 模型 ARR 高速攀升：Anthropic 從 24年初~25年初提升約 11.5 倍、25全年約 9 倍、25年底~26年5月約 5.2 倍。 OpenAI 亦同步成長，24年中~25年中約提升3.5倍，25年中 ~26年2月約2.1倍。 Anthropic 成長增數較大，ARR 與 token 用量同步放大，AI 進入高速變現階段，帶動算力與高階晶片需 求持續強勁。

Anthropic ARR 變化整理 (Billion)

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Alphabet每月token用量 (兆/月)

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Open AI ARR 變化整理 (Billion)

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Rubin即將到來，預期27年約700萬顆Rubin晶片

  • TSMC CoWoS 從 2025 的 40 萬片 → 2026 的 63 萬片 → 2027 的 92 萬片。
  • NV世代交替快速，2025年主要以Amphere、Hopper、 Blackwell為主，26年以Blackwell為主，27年以Rubin為 主。
  • 根據研究部預估，2026年Blackwell及Rubin晶片顆數約來 到660萬/140萬顆；2027年顆數約來到150萬/700萬顆。 整體GPU晶片由800萬顆提升至約850萬顆左右。
  • 據調查，2025年GB200出貨櫃數約2.5萬櫃，研究部預估 26年GB200+GB300約來到5.5~6萬櫃，27年VR200約來 到6~6.5萬櫃左右。
Nvidia Nvidia Nvidia Nvidia
2025 2026 2027
TSMC CoWoS 400,000 630,000 920,000
占比 占比 占比 占比
Hopper 15% 0% 0%
Blackwell 70% 75% 12%
Rubin 0% 25% 80%
Rubin Ultra 0% 0% 8%
總計 85% 100% 100%
切片數 切片數 切片數 切片數
Hopper 25 25 25
Blackwell 14 14 14
Rubin (切8-10顆) 9 9 9
Rubin Ultra ? 8 8 8
晶片顆數 晶片顆數 晶片顆數 晶片顆數
Hopper 1,500,000 0 0
Blackwell 3,920,000 6,615,000 1,545,600
Rubin 0 1,417,500 6,624,000
Rubin Ultra 0 0 588,800
加總 5,420,000 8,032,500 8,758,400

VR機櫃單價提升75%，ODM營運資金壓力漸大、GM稀釋，故評價低迷

  • 供應鏈調查京元電測試量產約在4Q26，組裝需一季時程，故預期4Q僅小量出貨，主要放量時點落在 在1Q27。GB300單價約400萬美金，VR系列因零組件漲價幅度高，故整機櫃價格提升至700萬美金， 組裝廠營運資金壓力漸大。目前ODM對於GPU大多仍採用B&S模式，僅ASIC轉變為Consign模式，隨 著機櫃出貨提升，將持續稀釋組裝廠毛利率。
架構 用途 鴻海 廣達 緯創 緯穎 技嘉 技嘉
MSFT OpenAI √ √ (少)
Meta 自有需求 √ (GB300新切入) √
AWS 雲端訓練 √
Google 雲端訓練 √ (VR200新切入) √
Oracle OpenAI、 Stargate √ √ (新切入，少) √(少) √ (新切入)
Dell xAI、 Coreweave √
Neo cloud 主權AI、xAI、 Coreweave √ √
合計 合計

CSP加速ASIC晶片進度，迭代週期縮短至1-2年

公司 時間 晶片名稱 記憶體 製程節點 L6 L10 IC設計商 散熱設計
AWS 3Q24 Trainium 1 HBM2e 32GB 7nm 智邦 緯穎、Jabil Alchip 氣冷
AWS 1Q25/4Q25 Trainium 2/2.5 HBM3 96GB 5/3nm 智邦 緯穎、Jabil Marvell 氣冷
AWS 2Q26 Trainium 3 HBM3 ? GB 3nm 智邦、緯穎、 Fabrinet 緯穎、Jabil Alchip 氣冷/液冷
AWS 4Q27 Trainium 4 TBA 2nm 智邦、緯穎、 Fabrinet 緯穎、Jabil Alchip/Marvell 液冷
META 4Q24 MTIA 1 LPDDR5 64GB 7nm Celestica 緯穎 Broadcom 氣冷
META 1Q26 MTIA 2 (Athena) LPDDR5 128GB 5nm TBA 緯穎、廣達、Celestica Broadcom 液冷
META 4Q26 MTIA 3 (Iris) HBM3e 256(?)GB 3nm TBA 緯穎、廣達、Celestica Broadcom 液冷
META 2Q27 MTIA 4 (Arke) HBM4 2nm TBA TBA ? 液冷
Google 4Q24 TPU v6e HBM2e 32GB 5nm Celestica Celestica Broadcom 氣冷
Google 3Q25 TPU v6p HBM3e 192GB 5nm Celestica Celestica Broadcom 氣冷
Google 3Q26 TPU v7e HBM3e 3nm Celestica、廣達、 英業達 Celestica、Flex、鴻海 MTK 液冷
Google 3Q26 TPU v7p HBM3e 3nm Celestica、廣達、 英業達 Celestica、Flex、鴻海 Broadcom 液冷
Google 4Q27 TPU v8e HBM ? GB 2nm Celestica、廣達、 英業達 Celestica、Flex、鴻海 ? 液冷
Google 3Q28 TPU v8p HBM ? GB 2nm Celestica、廣達、 英業達 Celestica、Flex、鴻海 ? 液冷

AWS T3 氣冷版本已在6M26開始出貨，Google TPU預期在4Q26出貨

  • 據調查AWS 26/27年ASIC出貨顆數約 250/350萬顆。T3氣冷版本已在6月開始 出貨，相關供應商已反映營收，包含：緯 穎、智邦、勤誠等。先前預估T3水冷滲透 率僅10~20%，近期水冷比率有望上修至 50~70%，相關供應鏈可望受惠，包含緯 穎、奇鋐等。
  • Google最早投入ASIC TPU伺服器發展， 軟硬體生態系較為成熟，預期26/27年 TPU出貨450/750萬顆，預期新一代v8將 在4Q26開始出貨，相關受惠廠商包含奇 鋐。
ASIC 2023 2024 2025 2026 2027
AWS 520 1,214 1,800 2,500 3,500
Trainium1/ inferentia 2
Trainium 2/2.5
Trainium 3
GOOG 1,319 2,453 2,600 4,500 7,500
TPU v5e
TPU v6
TPU v7
TPU v8
META 86 120 250 450 800
MTIA 2
MTIA 3
MTIA 4

Helios主要受惠廠商為緯穎，預期4Q26開始出貨

  • 根據供應鏈調查，2027年AMD投片量將來到 140~160K，保 守預估Helios整機櫃出貨量至少超過8500台以上，其中受惠組 裝廠包含：緯創、英業達…等(L6打板)；緯穎 與Samina…等 (L11組裝)。單價約落在500萬美金，預期在4Q26 Helios開始 小量出貨，2027年進入更明顯成長階段。
AMD MI250 MI300A MI300X MI325X MI350X MI400
發布時程 4Q21 4Q23 4Q23 4Q24 3Q25 2H26
TSMC製程 6nm 5nm 5nm 5nm 3nm 2nm
CPU x86 X86 X86 X86 X86 x86
GPU TDP 500W 550W 750W 1000W 1000W TBA
Memory 128GB HBM2e 128GB HBM3 192GB HBM3 256GB HBM3e 288GB HBM3e 432GB HBM4
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目錄 簡報 大綱

  • VR登場，市場規模與出貨展望
  • VR規格躍升，拉開與前代平台差距
  • 供應鏈價值全面噴發
  • 推薦個股

越貴越划算，VR200 規格全面躍升，效能提升遠超價格漲幅

GB300 NVL72 VR200 NVL72 提升幅度
GPU Blackwell Ultra Rubin
GPU/CPU數量 72 GPU +36 CPU 72 GPU +36 CPU 相同
機櫃架構 Oberon Oberon 相同
FP4推論(稀疏) 1,440 PFLOPS 3,600 PFLOPS 約2.5倍
FP8/FP6訓練 720 PFLOPS 1,260 PFLOPS 約1.75倍
GPU記憶體 20 TB HBM3e 20.7 TBHBM4 容量同但升級HBM4
記憶體頻寬 576 TB/s 1,580 TB/s 約2.7倍
CPU核心數 2,592個(Grace) 3,168個(Vera) 約1.2倍
NVLink頻寬 (Scale-up) 130 TB/s(第5代) 260 TB/s(第6代) 2倍
網路頻寬 (Scale-out) ConnectX-8 單GPU800 Gb/s 總機櫃14.4TB/s ConnectX-9 單GPU1.6Tb/s 總機櫃28.8TB/s 提升
背板 纜線背板(cable cartridge backplane) PCB中介板 (PCB midplane) 模組化設計 組裝縮短至5分鐘

Cost per 1M Tokens (USD)

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Oberon vs Kyber：機櫃架構質變

  • Kyber為次世代機櫃架構，以整片PCB中介板取代Oberon機櫃的線纜互連，單櫃GPU數翻倍至144顆、 功耗上看600kW級
比較項目 Oberon(現行) Kyber(次世代)
適用世代 GB200~Rubin (現行量產) Rubin Ultra? Feynman?
Tray排列方式 水平堆疊 (逐層插入) 垂直站立 (compute blade豎立)
單櫃GPU數 72顆 (144 Die) 144顆(576 Die)
單櫃功耗 190~230kW (Rubin世代) 600kW等級
機櫃互連方式 銅纜/線纜背板 (VR200起導入PCB中介板) 整片PCB中介板(Midplane) 取代線纜直連
中介板規格 VR200：44層(22+22) 78層(26+26+26)
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目錄 簡報 大綱

  • VR登場，市場規模與出貨展望
  • VR規格躍升，拉開與前代平台差距
  • 供應鏈價值全面噴發
  • -(1)電源+連接器、(2)散熱、(3)PCB& 資料傳輸
  • 推薦個股

(一)、電源+連接器

VR200整機櫃TDP將提升來到220KW

NV晶片瓦數(單位w)

  • 3Q26將開始小幅量產Rubin晶片，TDP提升至2300W (對比B300約1400W，提升64%)，VR200 NVL72 4Q26開始小量生產，整機櫃TDP將提升來到220KW (對 比GB300約140KW，提升57%)。
GPU GPU 出貨時間 GPU TDP(W) 機櫃型號 機櫃 出貨時間 機櫃 TDP (KW)
H100 2023 700W - - -
B200 2024 1000W GB200 NVL72 2025 120KW
B300 2025 1400W GB300 NVL72 4Q25-2026 140KW
Rubin 3Q26 2300W VR200 NVL72 4Q26-2027 220KW (Oberon)
Rubin Ultra 2027 3600W VR300 NVL72 2H27-2028 (660KW~1MW) (Oberon/Kyber)
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HVDC即將量產，SST 為終極解決方案，電源轉換層級再簡化

  • NV 2027年導入800V產品。目前四大CSP裡面，一家積極發展800V產品，三家發展+-400V產品。而 電源產品瓦數持續升高，導入SiC、GaN比例將大幅提升。目前HVDC發展有數多階段，最終將走向 SST(固態變壓器)。可避免多個節點進行AC與DC之間的多次轉換，由於技術較新，市場驗證與大規模 量產仍需時間。
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VR電源架構多元並行，預期HVDC滲透率僅20~25%

  • 4Q26即將出貨Vera Rubin的電源架構包含四種，根據供應鏈調查，HVDC Power Rack滲透率約 20~25%，其餘仍皆採用OCP架構為主。Power Rack ASP達20-40萬美元，主要包含PSU、BBU、 PDU及其他線材及機殼等。根據供應鏈調查，採用SuperCap的比率低。
Vera RubinPower規格 Vera RubinPower規格 Vera RubinPower規格 Vera RubinPower規格 Vera RubinPower規格 Vera RubinPower規格 Vera RubinPower規格 Vera RubinPower規格 Vera RubinPower規格 Vera RubinPower規格 Vera RubinPower規格 Vera RubinPower規格 Vera RubinPower規格 Vera RubinPower規格
Power Rack 備註 PSU PSU PSU PSU PSU BBU BBU BBU BBU BBU
電壓 Power Rack 備註 PSU 瓦數 Power Shelf 單顆(組) U數 架構 整櫃配備 電源瓦數 BBU 瓦數 BBU Shelf 單顆(組) U數 架構 整櫃配備 BBU瓦數
DGX RD 54V In-rack 空間佔3 成 18.3KW 110KW (6顆) 3U 2+2組 (共12U) 440KW - - - - -
OCP 標準 54V In-rack GB原要用 延遲到VR 11- 12KW 66- 72KW 1U 3+3組 (共6U) 440KW - - - - -
400V 架構 400V 是 TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD
800V 架構 800V 是 最晚 Ready 18.3KW 110KW (6顆) 3U 6組 (共18U) 660KW 16KW 80KW (5顆) 4U 6組 480KW

BBU單價隨功率躍升，高壓20KW BBU單價高達2000美元以上

  • 市場電池芯主要供應商為Panasonic及Samsung SDI， 電池芯佔BBU總成本比重最高 (約當60%)。根 據供應鏈調查，GB200/300仍主要已5.5KW BBU為主，單價約500美金；12KW BBU單價約1000美金； 若搭配400V、800V HVDC Power Rack產品，有望採用16~20KW以上的高壓產品，單價約2000美金 以上。同樣容量但根據鋰電池調峰功能，ASP有所差異。
平台 相關廠商
上游-電芯 Panasonic、Murata、 Samsung SDI
中游-Pack廠 Panasonic、順達、AES-KY、 新盛力、系統電…等
中下游-電源廠 台達電、光寶科、 Vertiv、Flex…等
下游-客戶 AWS、Google、 MSFT、Meta…等
平台 BBU 瓦數 ASP (USD) ASP /W(U) 滲透率
HGX 3KW 250 0.083 低
GB200/300/ASIC 5.5KW 500 0.091 低
Rubin/ASIC? 12KW 1000 0.083 中
Power Rack (Rubin) 16- 25KW 2000 0.08 高

多級降壓架構與兩大電力傳導單元

資料中心電力自400/480V AC 經多級降壓至12V/1V 供晶片使用，Power Whip 與 Rack Busbar 為兩大電力傳導單元。

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800 VDC 世代來臨：高壓直流配電重塑零組件需求

  • NVIDIA 推動 400 / 800VDC 高壓直流配電，2026H2-2027 導入；提高電壓以降低電流、銅材用量與 轉換損耗
  • 供電由「機櫃內建電源」單段，轉為「機房→電源櫃→運算櫃」兩段式配電
  • 獨立電源櫃下Power Whip 用量由 8 條增至 24條
項目 GB200/300 VR NVL72 Rubin Ultra
單櫃kW 120-150kW 200+kW 600+kW
Power Whip電流 60A 100A 125A
Rack Busbar電流 1,400A 5,000A ~10,000A
Power Whip ASP (美元) ~400 600 1000
Rack Busbar ASP (美元) ~1000 ~3000 ~6000

(二)、散熱

從Stiffener 到 MCL，層數越少，效率越高，價格越高

  • 散熱層數越多，熱阻越大，設計方向盡量減少中間 的層數。目前主流發展架構為Stiffiner (ASIC適 用)→單片式Lid (Rubin適用) →兩片式Lid (AMD MI4適用)→ Removable Lid (Rubin Ultra)→ MCL (Rubin Ultra/Fetman) 發展。愈往後發展，中間層 數愈少，CP更直接貼近裸die，整體散熱效率愈 好，ASP也從10幾美金提升至200美金以上。
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散熱方案 導用平台 單價 ( 美 )
Stiffener ASIC 10~20
單片式 Lid 現行 Rubin 設計 50
兩片式 Lid 原 Rubin 設計、 AMDMI4 系列 150
Removable Lid Rubin Ultra 150+
MCL Rubin Ultra? 200+
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從晶片到系統，台廠散熱版圖全面到位

  • 散熱供應鏈分三層、台廠布局完整：晶片端以Stiffener、Lid、MCL 為主，模組端有 CP、 Manifold、QD等；系統級涵蓋 RDHx、Sidecar (L2A)與 CDU (L2L)。惟 L2A 屬過渡方案， 未來將往L2L 演進。此外，中國積極推金剛石材料，具輕、導熱高等優點，但成本高、難 加工，目前Lid 仍以銅為主、尚未量產。

THA LAN 311 25 455. Microchannel Lid

層級 名稱 功用 廠商
晶片端 Stiffiner 加強框，包覆晶片外緣的金屬框，防止基板變形、支撐晶片 健策、一詮…等
晶片端 Lid 單層銅蓋，可鍍高導熱金屬 健策、一詮…等
晶片端 VC Lid 上下雙蓋板＋銅柱＋蒸氣通道 健策、一詮…等
晶片端 MCL 將微流道直接整合於封裝蓋板內，取代傳統水冷板 健策、一詮…等
模組端 Coldplate貼合晶片背面，內部流道以冷卻液直接帶走熱量 Coldplate貼合晶片背面，內部流道以冷卻液直接帶走熱量 奇鋐、雙鴻、健策、 富世達、Body、訊 凱、建準…等
模組端 Manifold分歧管，分配冷卻液至各水冷板並匯集回水 奇鋐、雙鴻、健策、 富世達、Body、訊 凱、建準…等
模組端 QD 快接頭，供管路快速接合／拆卸，防止漏液 奇鋐、雙鴻、健策、 富世達、Body、訊 凱、建準…等
模組端 波紋管 管路彈性伸縮，吸收振動與熱脹冷縮，防破裂漏液 奇鋐、雙鴻、健策、 富世達、Body、訊 凱、建準…等
系統級 Fan foor 風扇牆／風門，管理機櫃氣流，搭配液冷做輔助散熱 台達、光寶、廣運、 元鈦科、高力、 Vertiv…等
系統級 RDHx 機櫃後門熱交換器，捉伺服器排熱後轉移至冷卻液 台達、光寶、廣運、 元鈦科、高力、 Vertiv…等
系統級 Sidecar 液對氣(L2A)，置於機櫃旁將熱量排至機房空氣中 台達、光寶、廣運、 元鈦科、高力、 Vertiv…等
系統級 CDU 液對液(L2L)，又分為inrack CDU、inrowCDU 台達、光寶、廣運、 元鈦科、高力、 Vertiv…等
金剛石(鑽石)複合材料 金剛石(鑽石)複合材料
優點 輕、導熱性能高
缺點 成本高、硬度高加工困難
狀態 研發階段，尚未進入量產。 散熱目前仍以銅為主

PEJ 525.75 455 Ceramic Lid

Diamond-copper Lid

GPU水冷含量升級，而ASIC也逐漸放量

  • 研究部預估GB200/GB300/VR200單櫃水冷產值分別 為4.2萬美元/4.7萬美元/6.3萬美元，整體散熱TAM較 前一代分別成長12%/33%。
  • 奇鋐下半年諸多專案逐漸開出，包含A客戶及G客戶 ASIC訂單，以及AMD Helios訂單。近期A客戶水冷大 幅上修，奇鋐受惠。
架構 Teton PD Teton PD Ultra Teton PDS Teton Max
ASIC (大多) T2 T2 T2/T2.5 T3
Compute tray 8+8 (2U) 8+8 (2U) 8+8 (1U) 9+9 (1U)
ASIC/ Per tray 2 2 2 4
Switch 0 0 4 10
Cooling Air Air Air Liquid
整櫃ASIC顆數 32 32 32 72
QD用量 QD用量 顆數/層 層數/櫃 總顆數/櫃
GB200 CT 12+2 18 252
GB200 ST 0 9 252
GB300 CT 12+2 18 360
GB300 ST 12 9 360
NV VR200 CT 20+2 18 450
VR200 ST 6 9 450
LPU 36+2 32 1216
Spectrum - - 16+2
Quantum - - 18+2
HGX R200 - - 40+2
AMD MI450 18+2 12 240
ASIC TPU 7 10+2 16 192
ASIC T3 28+2 18 540
ASIC MTIA 22+2 18 432
ASIC Maia 量不多 量不多 量不多

(三)、PCB & 資料傳輸

AI 連接三層架構：Scale-up × Scale-out × Scale-across

AI 資料中心沿三條路徑演進，連接距離由櫃內→ 跨櫃→ 跨資料中心

SCALE-UP 機櫃內· ≤ 7m

SCALE-OUT 跨機櫃

SCALE-ACROSS 跨資料中心

GPU ↔ NVSwitch，NVLink 6（448G） 銅纜DAC / AEC 為主

ToR → Leaf / Spine（Clos） 光模塊800G / 1.6T 為主

DCI 整合跨區域資料中心 NVIDIA AI Super Factory

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高速線材分層：DAC → ACC → AEC → AOC → ALC

高速線材沿距離／功耗／成本分層；AEC 在銅纜物理極限內兼顧距離與功耗

DAC

類型 被動

導體 銅

訊號 無

功耗 <0.1W

距離 ~2m

成本 1×

ACC

類型 主動

導體 銅

訊號 Redriver

功耗 <3W

距離 ~5m

成本 ~2×

AEC

類型 主動

導體 銅

訊號

Retimer·DSP

功耗 <5W

距離 ~7m

成本 ~3×

ALC ＝ Credo 下一代（micro-LED），2028 年量產、目標 TAM ≥ AEC 2×

AOC

類型 主動

導體 光纖

訊號

Retimer+EO/O

E

功耗 <10W

距離

≤ 100m

成本 ~9×

ALC

類型 研發中

導體 光纖

訊號 micro-

LED

功耗 ~5W*

距離 20-30m

成本

AEC~AOC

Vera Rubin 傳輸速率升級至單通道200G（8×200G = 1.6T）

  • 傳輸速率持續倍增：400G(8×50G)→800G(8×100G)→Vera Rubin世代1.6T(8×200G)，單通道達 200Gbps
  • 速率倍增使銅纜衰減加劇，Scale-out改仰賴內建Retimer之AEC以維持訊號完整性，可達7米
  • 傳輸速率邁入1.6T世代，帶動1.6T AEC滲透率再度提升(NIC → ToR)

AEC ASP (USD)

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Compute Tray 新增 Midplane

  • Compute Tray層數由22層HDI(4+14+4，M8+M4)增至26 層HDI(5+16+5，M8+M4)
  • 新增Midplane取代原飛線設計：GB世代無此板→Vera Rubin新增44層HLC(M9，Low Dk2／Q-Glass)
板別 GB200／GB300 Vera Rubin NVL72
主板 22層 (4+14+4) M8+M4 26層 (5+16+5) M8+M4
主板供應商 CCL:斗山 PCB:勝宏、欣興 CCL:斗山 PCB:勝宏、欣興、臻鼎-KY 滬士電?、定穎?
Midplane - 44L(N+N HLC) M8+(Low Dk2)
Midplane供應商 - CCL:台光電 PCB:勝宏

資料來源：統一投顧整理

Switch Tray 全面 PCB 化

  • NVLink 6頻寬倍增，Switch Tray不再走線，訊號全走PCB，板層數由24L HLC增至32L (N+N HLC)
板別 GB200／GB300 Vera Rubin NVL72
NVSwitch 24層HLC M8+M2 32L(N+N HLC) M8
NVSwitch供應商 CCL:生益、台光電 PCB:TTM、勝宏 CCL:生益、台光電、南亞 PCB:勝宏、滬士電、TTM 深南、定穎?
  • NVLink 6 導入雙向 SerDes，單通道 224G→448G， Scale-up 頻寬倍增
  • Switch ASIC 18→36 顆，單顆頻寬仍維持 28.8T
  • Switch Tray 不再走線，訊號全走 PCB ，板層數 24→32
  • 機櫃間仍以銅纜為主，CPO 預計次世代Feynman 才導入
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項目 NVLink 5 (GB300) NVLink 6 (VR NVL72)
224G 448G(雙向) 單通道SerDes速率
18 36 機櫃內Switch ASIC數
28.8T 28.8T 單顆Switch頻寬
24層 32層 Switch板層數

HVLP 銅箔供需失衡加劇

  • 2H26 起 Vera Rubin、Trainium3、TPU V8、交換器同步放量，銅箔同步升級至HVLP4
  • 由於HVLP4粗糙度需控制在1μm以下，量產門檻極高，目前具備量產能力的供應商僅三井、古河及金 居等少數廠商；此外，既有產線升級至HVLP4過程中將產生20-30%產能損失，新建產線亦需1-1.5 年
  • 高階銅箔供給嚴重不足，缺口恐成未來三年「新常態」；預估2026-28年供需缺口43%／38%／33%
業者 Nvidia AMD Google AWS Meta
Rubin MI500 TPUv8 Trn3 MTIA 新平台
3Q26末 2027 3Q26 2Q26 1Q26 時間點
斗山、台光電 生益、南亞 聯茂 台光電 Panasonic 台光電 台光電 台燿 台光電 CCL業者
三井、古河 盧森堡、金居 三井、金居 三井 古河 三井、金居 三井 古河 銅箔廠
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光模塊PCB規格演進與市場放量，迎接1.6T世代

  • Prismark 預估光模塊PCB市場總值由2023年1.09億美元，成長至2025年4.22億美元，2026年上看 7.96億美元(YoY+88.6%)，2030年達37.68億美元，2025-2030年CAGR約55.0%
  • 規格全面升級：傳輸速率由800G邁向1.6T，PCB結構由Anylayer/mSAP轉為全面mSAP，層數增至 14-16層，線寬/線距(L/S)由60/60μm緊縮至25/25μm，材料同步升級至M8
  • mSAP 產能供給落後需求，臻鼎(市佔約30%)、華通、欣興等主要供應商積極擴產
項目 800G 1.6T 3.2T
PCB結構 Anylayer/mSAP mSAP mSAP? SAP? CoWoP?
層數 12-14L 14-16L 18-20L
CCL M6/M7(松下、台光 電、斗山) M8(松下、台光電、 斗山、台燿) M9? BT/ABF?
PCB供應商 欣興、深南、 臻鼎、華通、WUS 欣興、深南、 臻鼎、華通 臻鼎、欣興、深南?

AI 光模塊出貨量長期成長

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AI PCB 規格升級推升鑽針消耗，產業進入賣方市場

  • 主板層數由過去8-24層提升至28-46層，Rubin架構恐達40-78層；板厚增至6-8mm以上，縱橫比由 20-25倍提升至30-40倍，未來挑戰50倍以上
  • M6/M7 約 8,000-10,000 孔→ M8 材料降至 400-500 孔→M9 材料僅剩 100-200 孔，甚 至50-100 孔；單片PCB耗用鑽針數量較過去 提升約9倍
  • 供給受鎢鋼材料、鍍膜設備、刀形設計與良率 驗證限制，擴產速度落後需求
  • 預估未來三年高階鑽針供需缺口分別達 36%/24%/16%
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目錄 簡報 大綱

  • VR登場，市場規模與出貨展望
  • VR規格躍升，拉開與前代平台差距
  • 供應鏈價值全面噴發
  • 推薦個股

推薦個股

產業別 代號 個股 營收(百萬) 營收(百萬) 營收YoY(%) 營收YoY(%) EPS EPS 目標價
產業別 代號 個股 2026F 2027F 2026F 2027F 2026F 2027F 目標價
組裝 6669 緯穎 1,271,764 2,380,943 33.8 87.2 318.01 588.18 7575
散熱 3017 奇鋐 211,628 293,951 51.6 38.9 98.93 151.9 3690
電源 2308 台達 778,085 1,051,975 40.2 35.2 39.16 62.68 2400
PCB 2383 台光電 199,924 330,340 112.1 65.2 114.82 200.56 6400
PCB 8358 金居 12,043 18,641 52.8 54.8 10.24 19.14 630
PCB 4958 臻鼎 226,775 308,321 24.2 36.0 11.81 22.91 640
PCB 8021 尖點 7,853 13,159 78.1 67.6 8.83 16.83 505
連接 3665 貿聯 97,302 139,241 36.6 43.1 62.4 112.7 2850

簡報結束請多指教

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