報告_福邦_半導體特化耗材展望202603
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2026 年台灣半導體特化與耗材展望
福邦投顧研究部 2026.03
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受全球 AI 需求帶動下， Logic IC 與 Memory 需求於 2026 年呈現增長，根據研調統計， AI 相關產業支出，將從 2025 年 17.57 兆美元 (YoY+53.66%) ，增長至 25.28 兆美元 (YoY+43.86%) ，其中基礎設施與伺服器相關占比約落 於 84%-72% 。並同時帶動 Foundry 與 IDM 晶圓需求端供貨。而作為全球先進製程節點之 TSMC ，亦如期推進先製 成應用節點、在地化滲透率，並同時加強先進製程的產能放量，例如： 2nm 投片產能預期從 4Q25 4 萬片 / 月產 能、提升至 4Q26 8 萬片 -10 萬片 / 月產能等。
半導體特化與耗材，在前段亦伴隨 2nm 與 1.6nmn 製程，迎來新的展望。包括： 1) 光阻材料材料變革， A14 光阻 材料發展驗證中、 2) 高介電材料帶動 ALD 前驅物應用技術發展、以及 3) 晶背供電 (BSPDN) 帶動晶圓減薄等耗材 需求，將帶動光阻劑新的應用、新的沉積技術發展以及對於鑽石碟、研磨墊等相關耗材的需求。
而在後段製程，伴隨終端高速運算、伺服器等需求強勁， 2026 年該市場預期約 617.1 億美元，將於該年度超 過傳統封裝並逐年呈現成長，預期 2024-2028 年間將以 CAGR 10.9% 快速增長，而 TSV 與 RDL 扮演先進封裝製 程中的應用關鍵，其中 RDL 需求除因受惠於 SiO2 中介層之材料極限而帶動需求外，亦受惠於 FOPLP 製程需求帶 動， RDL 製程中的負型液態 PSPI 需求預期將會顯著放量成長。
而最後則針對 FOPLP 封裝技術需求提升下、電晶體封裝數量日益增多，面對光罩尺寸從 3.3x 至 5.5x 再到 2027 年的 9x 光罩，有機載板將受限逾越高頻寬的傳輸、以及受熱不均等因素，面臨翹曲問題，故在此應用趨勢下 ，低 CTE 的玻璃芯基板 (Glass Core Substrate) 備受重視，且伴隨相關美系客戶於 2025 年驗證導入，有望於 2H26 下半年看見相關台灣廠商一同參與玻璃芯基板的供應鏈製程。
相關個股：中砂 (1560) 、颂勝科技 (7768) 、昇陽半導體 (8028) 、勝一 (1773) 、新應材 (4749) 、晶呈科技 (4768) 、達興材料 (5234) 、永光 (1711) 、長興 (1717) 、三福化 (4755)
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目錄
TÚ H ĐE B S
15 FR T RE BEE
4
10
16
| 一 | 半導體特化與耗材發展概況 | 4 |
|---|---|---|
| 二 | 前段製程關鍵 | 10 |
| 三 | 後段製程關鍵 | 16 |
| 四 | 系統級封裝下關鍵耗材展望 | 26 |
半導體特化與耗材發展概況
AI 狂歡潮：從供給襲捲至需求導向的產業熱浪
- ◼ 根據 Gartner(4Q25) 資料顯示， AI 相關產業支出，將從 2025 年 17.57 兆美元 (YoY+53.66%) ，增長至 25.28 兆美 元 (YoY+43.86%) ，其中基礎設施與伺服器相關占比約落於 84%-72% 。
- ◼ 據 IEK 研調指出， AI 硬體設施端中約 67.56% 用於運算 ( 伺服器 +GPU) 、存儲需求 (DRAM+Memory) 約占 3.82% ，扣除掉運算中的伺服器占比，約 6% 運算與 Logic 與 Memory 需求有所關聯。伴隨該需求持續性增長、以及 因應運算效能下持續增長的晶片 I/O 數，間接帶動 Foundry/IDM 廠產能擴建需求、以及更先進製程的節點與 封裝技術推進、將刺激半導體特化與耗材產業成長。
圖 1 、 2024-2029(F)AI 應用趨勢 ( 單位：百萬美元 )
圖 2 、 AI 需求端對於半導體供給端影響趨勢圖
5 資料備註：網路資料、 IEK 、 Gartner ；福邦投顧整理
全球半導體市值屢創新高， 2026 年將達 9,750 億美元， YoY+26.3%
- ◼ 據 WSTS 研調顯示， 2025 年全球半導體營收成長至 7,720 億美元， YoY+22.5% ；在產品應用層面， Logic IC 營收 YoY+37.1% ，是增幅最大的產品類別，其次是記憶體營收成長 27.8% ， 2026 年則同樣受到相關趨勢延 伸，預期兩大領域可貢獻近 9,750 億美元， YoY+26.3% 。
- ◼ 據研調機構所示， Logic IC 與 Memory 市場部分； 1)Logic IC 出貨數預期從 2025 年 1,299 萬顆、增長至 2026 年 2,011 萬顆 (YoY+54.75%) ； Memory( 含概 DRAM+NAND) 亦預期從 2025 年 2,353 億美元、增長至 2026 年 5,193 億 美元， YoY+120.66% 。
圖 3 、 AI 需求端對於半導體供給端影響趨勢
圖 4 、 2024-2026(F)Logic 出貨數量統計
出貨數量
(
12,992
2025
9,700
2024
千顆
)
20,105
2026(F)
YoY
25000
20000
15000
10000
5000
0
200%
150%
100%
50%
0%
關鍵成長 (1) ： Memory 與 Logic IC 推進晶圓應用面積成長
- ◼ 根據 Gartner 統計， 1 ） IDM 端廠商 ( 如：南亞科、華邦電 … 等 ) 受記憶體產業需求拉升，於 12inch 晶圓產能需 求大幅拉升， 2026 年增長預計約 14.87% ； 8inch 產能則因具備高度可靠性與穩定性的汽車、工業自動化、 消費性電子等領域之高需求，年增率約為 5.10% 。 2 )Foundry 端，則受惠於 Logic 需求增長，以及 TSMC 與 Samsung 8inch 產能減產， 2026 年 8inch 總產能減少 2.57% ， 12inch 晶圓成為主供，滿足先進製程節點產能需 求， 2026 年產能增長 10.66% 。整體而言， 2026 年 12inch 晶圓年增長 +12.09% 、 8inch 晶圓年增長 +1.00% 。
- ◼ 根據 Semi 研調統計， 2025 年底推估 TSMC 月產能約為 1,670/ 千片。其中， 6inch 稼動率約為 50% 左右、 8inch 平均稼動率約為 72% 、 12inch 稼動率約為 78% 。伴隨 12inch 晶圓應用需求增長，晶圓面積應用比例增加而 成長 (12inch 晶圓約為 8inch 晶圓 2.25X) ，亦將帶動特化與耗材產業成長。
圖 6 、 2024-2029(F) IDM 300mm & 200mm
圖 7 、 2024-2029(F) Foundry 300mm & 200mm
關鍵成長 (2) ： TSMC 先進製程節點推進、在地化占比提升
- ◼ 根據 TSMC 法說會展望， 7nm 製程 / 營收之占比，已從 1Q25 約 62% 提升至 4Q25 約 77% 。伴隨 TSMC 大力擴充 2nm&3nm 製程、 1.6nm 試產在即、 1.4nm 籌備規劃，以及 CoWoS 後段製程擴充，前段黃光微影製程之光 阻材料、沉積方式、蝕刻、研磨耗材 ( 鑽石疊、研磨墊 … 等 ) 外，以及後段用的矽穿孔、重新佈線 RDL 技術 、防翹曲用的晶圓保護膠材等，亦將迎來持續受惠機會。
- ◼ 此外， TSMC 於 2019 年推動在地化政策至今，已從 2021 年約 60% ，逐年提升至 2026 年約 66%( 研究員推估 ) ，預計該部分應用將於 2030 年提升至 68% 。
圖 8 、 TSMC 7nm 以下發展趨勢圖 ( 單位：百萬台幣 )
圖 9 、 2021-2030(F)TSMC 在地化提升比例
8 資料備註： TSMC 、網路資料；福邦投顧整理
半導體製程前段與後段 -流程圖與相關廠商
備註：本頁僅呈現部分廠商
蝕刻相關：晶呈科技、兆捷科技、京和科技
…
9 資料備註：網路資料、材料世界、 IEK 、供應鏈訪查；福邦投顧整理
前段製程關鍵
2nm&3nm 拼湊在地化與放量； A16 跨入試產關鍵期
關鍵大廠節點彙整， A16 拉開「埃米時代」序幕
- ◼ 根據 IEK 、材料世界、各家網路公開資訊彙整， 2nm 與 A16 製程，分別在各類前段製程技術上有所差異，例 如 : 2nm 製程在曝光技術上採用 EUV 與全環繞閘極之 GAA 架構； A16 製程則因應高密度晶體下，導線、訊 號與電源間的相互干擾，從正面供電 (PDN) 轉向晶背供電 (BSPDN) ，拆分訊號與電源位置。
- ◼ 而從 2nm 以下開始，光阻劑 ( 受曝光變化 ) 、沉積方式 ( 高介電常數閘極氧化層 ) 需求提升； 16A 製程則受在 BSPDN 下，晶圓減薄 ( 鑽石碟、載體晶圓 ( 先乘載後在轉向背面 ) 等，需要更多金屬離子團去做沉積 ( 線路 ) 。
表 1 、關鍵廠商製程節點彙整
| 廠商 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 | 2027 | 2028 | 2029 | 2030 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSMC | 7nm | 5nm | 3nm | 2nm | A16 | *A14 | *1nm | ||||||||
| 電晶體結構 | FinFET （應用於 16nm 、 7nm 、 5nm 、 3nm) | FinFET （應用於 16nm 、 7nm 、 5nm 、 3nm) | FinFET （應用於 16nm 、 7nm 、 5nm 、 3nm) | FinFET （應用於 16nm 、 7nm 、 5nm 、 3nm) | FinFET （應用於 16nm 、 7nm 、 5nm 、 3nm) | FinFET （應用於 16nm 、 7nm 、 5nm 、 3nm) | GAA(2nm 開始導入 ) | GAA(2nm 開始導入 ) | GAA(2nm 開始導入 ) | GAA(2nm 開始導入 ) | GAA(2nm 開始導入 ) | GAA(2nm 開始導入 ) | GAA(2nm 開始導入 ) | ||
| 曝光製程 | 浸潤式 | 浸潤式 | 浸潤式 | Arf | 與 EUV | 浸潤式 | 浸潤式 | EUV | |||||||
| 光阻劑 | 化學增幅型 | 化學增幅型 | 化學增幅型 | 化學增幅型 | 非化學 ( 金屬 | )/ 化學增幅型 | 化學增幅型 | 化學增幅型 | |||||||
| 關鍵技術 | 晶背供電 | (BSPDN) | |||||||||||||
| Samsung | 7nm | 5nm | 3nm | 2nm | SF1.4 | ||||||||||
| Intel | 10nm | Intel7 | Intel 4 | Intel 3 | Intel 18A | Intel 14A | Intel | 10A | |||||||
| Rapidus | 2nm ( 試產 ) | 2nm ( 量產 ) | 1.4nm ( 試產 ) | ||||||||||||
| GlobalFoundries | 12nm FinFet | 無限遞延 7nm 製程 | 無限遞延 7nm 製程 | 無限遞延 7nm 製程 | 無限遞延 7nm 製程 | 無限遞延 7nm 製程 | 無限遞延 7nm 製程 | 無限遞延 7nm 製程 | 無限遞延 7nm 製程 | 無限遞延 7nm 製程 | 無限遞延 7nm 製程 | 無限遞延 7nm 製程 | 無限遞延 7nm 製程 | 無限遞延 7nm 製程 | |
| United Microelectronics | 14nm | 12nm | 評估 6nm 中 | 評估 6nm 中 | 評估 6nm 中 | 評估 6nm 中 | |||||||||
| Semiconductor Manufacturing | 14nm | 7nm (N+1) | 7nm (N+2) |
備註：更新時間
2026/01/28
【僅供內部教育訓練使用，嚴禁外流】
11 資料備註：各家網路資料、 IEK 、材料世界網；福邦投顧整理
關鍵 (1) ：光阻材料材料變革， A14 光阻材料發展驗證中
- ◼ 據《 market.us 》統計， 2024 年全球光阻市值約 64 億美 元、於 2024 至 2034 年內以 CAGR 5.6% 持續增長，其中 以 ArF 浸潤式光阻占比最高，整體市占約 38%-40% 。
- ◼ 目前共通趨勢 1 ）丙烯酸酯光阻材料憑藉高分子設計自 由度，成為化學增幅型光阻的主力體系，並在極紫外光 (EUV) 微影中展現酸擴散控制與線邊粗糙度改善的潛力 。 2 ）低碳氟光阻添加劑則呼 PFAS 禁令與綠色製造。
- ◼ 新節點 1) Lam Research 、 ASML 與比利時微電子中心共 同開發 CVD/ALD 沉澱光阻劑、 2) 採用 Inpria （ JSR ）發展 金屬氧化物光阻劑、或是 3) 住友化學小分子光阻劑；
圖 10 、 2024-2034 年光阻劑市場趨勢
圖 11 、光阻製程發展趨勢
| 光源 | 應用節點 | 光阻類型 | 光阻之光酸 | 樹脂混合劑 | 顯影劑 |
|---|---|---|---|---|---|
| G Line | 0.5~1.5um | - | 非離子型光酸： 重氮萘醌 (DNQ) ( 照射時產生反應 ) 離子型光酸： 硫鎓鹽、典鎓鹽 | N/A | 正型 (TMAH) 負型 ( 二甲苯 ) |
| I Line | 250~800um | 非化學增幅型 | |||
| KrF | 130~500nm | 有機高分子 ( 化學增幅型 ) | ( 可吸收紫外光基團 ) ( 照射後烘烤反應 ) | Aliphatic Resin PHS | |
| ArF | 65~130nm | 有機高分子 ( 化學增幅型 ) | Aliphatic Resin | ||
| ARF 浸潤式 | 7~65nm | 有機高分子 ( 化學增幅型 ) | 氟樹脂 | ||
| EUV | 7~1.6nm | 有機高分子 ( 化學增幅型 ) | 含有碘、氟並摻雜樹脂的複合結構 | ||
| 1.4nm | 金屬氧化物光阻 ( 非化學增幅型 ) 有機高 / 低分子 ( 化學增幅型 ) | ( 產業逐漸往短碳氟鏈邁進 | ) | 驗證中 |
12 資料備註： IEK 、材料世界網、 Market.us ；福邦投顧整理
關鍵 (2) ：高介電材料帶動 ALD 前驅物應用技術發展
9
-OH
- ◼ FinFET 架構演進跨足 TSMC22nm-3nm 製程端應用，然而因受短通道效應、以及通道幾何形狀 (Fin) ，限制了 整體電晶體效能。其中，傳統的 SiO2 與 HfO2 閘極絕緣已難兼顧等效氧化層厚度 (EOT) ，因此在製程上需要 往高介電常數與能隙材料邁進，包括如： La2O3 、 Y2O3… 等稀土類氧化物，而沉積此類介電材，便需要使 用原子層沉積技術 (Atomic Layer Deposition ，簡稱： ALD) 。 ( 重點：結構極限 > 開發高介電材料 >ALD 沉積 )
- ◼ ALD 為沉積高介電材料之主要技術 ( 台灣主要廠商為：宇川精材 ) ，其自終止反應機制 (Self-Limiting Reaction) 可確保每個循環於基板表面形成單一原子層。目前該技術可分為熱輔助 ( 高溫催化 ) 以及電漿輔助 ( 電漿活化 ；低溫 ) 。主要應用於記憶體 DRAM 電容、 3D NAND 閘極等。 Electron
k
圖 1 2 、高 K 介電常處與能隙分布
UV
Plasma Exposure
圖 13 、熱趨動型與電漿輔助型 ALD 循環反應之示意
圖
13 資料備註：供應鏈訪查、材料世界網；福邦投顧整理
關鍵 (3) ：晶背供電 (BSPDN) 帶動晶圓減薄等耗材需求
- ◼ 晶背供電 (BSPDN) 係將傳統正面供電，轉向訊號與電源拆分的背面供電 ( 中間運用奈米矽穿孔 ) 。奈米矽穿孔 (nTSV) 技術牽扯深蝕刻 (Deep Etching) 、薄膜沉積 (Thin Film Deposition) 、化學機械研磨 (CMP) 等技術，而 其中關鍵在於 -將晶圓從「數百微米減薄至 20 微米下」，須具備高度均勻薄化技術，且薄化後為因應極度脆 弱的減薄後晶圓，便需要透過 「 乘載晶圓 (Carrier Wafer) 」進行暫時鍵合。
- ◼ 具供應鏈訪查，晶背供電中已經有 60-70 道需要研磨、 layer 約 20 個，每道約有 2
3 個 step 需要拋光 ( 用到 CMP) 。過往每次節點升級增加的 step 數約 15-20% ，且 N2 到 A16 之間 step 數增加 15-20% 之情況下，意謂著研磨次數 ：正面－【 2nm*(1+15%-20%) 】 + 背面【 4060 】 ( 研究員概抓 ) 。
IF FREDE
14 資料備註：網路資料；福邦投顧整理
2nm/A16 、 A14 廠房建置時程推估， 2027 年前段製程需求增長
- ◼ 根據供應鏈訪查與彙總，參考廠務完工後約 9-12 個月邁入量產時程進行推估。
- ◼ 2026 年 TSMC Fab20(P2) 、 Fab22(P2) 有望跨入量產階段，從而使 2nm 產能從 4Q25 約 4 萬片 / 月、增長至 4Q26 約 8 萬 -10 萬片。若 2027 年 TSMC 相關前段 Fab18(P9) 、 Fab20(P3) 、 Fab 22(P3)… 等邁入放量階段，年底 2nm 產能將會大幅呈現提升；同時 A16 亦有望邁入量產階段、 A14 製程則會進入試產階段。
圖 15 、 TSMC 建廠時程預估
| 國內規劃 | 國內規劃 | 製程節點 | 「預估」進程 | 海外規劃 | 海外規劃 | 製程節點 | 「預估」進程 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 台南 (Fab18) | P9 | 3nm | 1H27 量產 | 美國 (Fab21) | P1 | 4nm | 已投產 |
| 台南 (Fab18) | P1 | 2nm | 2025 年量產 | 美國 (Fab21) | P1 | 4nm | 已投產 |
| 台南 (Fab18) | P2 | 2nm | 2026 年量產 | 美國 (Fab21) | P2 | 3nm | 2H27 量產 |
| 台南 (Fab18) | P3 | <2nm | 2027 年量產 | 美國 (Fab21) | P2 | 3nm | 2H27 量產 |
| 台南 (Fab18) | P4 | <2nm | 2028 年量產 | 美國 (Fab21) | P3 | 2nm | 2028 年量產 |
| 高雄 (Fab22) | P1 | 2nm | 2025 年量產 | 美國 (Fab21) | P3 | 2nm | 2028 年量產 |
| 高雄 (Fab22) | P2 | 2nm | 2026 年量產 | 美國 (Fab21) | P4 | <2nm | 規劃中 |
| 高雄 (Fab22) | P3 | 2nm | 2027 年量產 | 美國 (Fab21) | |||
| 高雄 (Fab22) | P4 | 2nm/A16 | 2027-2028 年量產 | 美國 (Fab21) | P5 | <2nm | 規劃中 |
| 高雄 (Fab22) | P5 | 2nm/A16 | 2027-2028 年量產 | 美國 (Fab21) | P6 | <2nm | 規劃中 |
| 高雄 (Fab22) | P6 | 1.4nm | 規劃中 | 美國 (Fab21) | P1 | 成熟製程 | 已量產 |
| 台中 (Fab25) | P1 | 1.4nm | 2027-2028 年量產 | 美國 (Fab21) | P2 | 6/7nm | 規劃中 |
| 台中 (Fab25) | P2 | 1.4nm | 2027-2028 年量產 | 美國 (Fab21) | P2 | 6/7nm | 規劃中 |
| 台中 (Fab25) | P3 | 待確認 | 2027-2028 年量產 | ESMC | P1 | 12/16/22/28nm | 2027 年量產 |
| 台中 (Fab25) | P4 | 待確認 | 2028 年量產 | ESMC | P1 | 12/16/22/28nm | 2027 年量產 |
備註：本時程係依廠務完工時程後蓋抓量產時程；從廠務完工至放量，推估約需鄰近 9 個月 -12 個月左右；更新時間： 2026/01-28
【僅供內部教育訓練使用，嚴禁外流】
15 資料備註：供應鏈訪查、網路資料；福邦投顧整理
封裝製程脈絡圖 -從「傳統封裝」邁向「先進封裝」製程
2026 年先進封裝超越傳統封裝，市值將突破 617.1 億美元
- ◼ 根據 YOLE 與 IEK 資料綜合指出，全球先進封裝市場受惠於 A/ML 、 HPC 、數據中心、 CIS 、 3D NAND 、 以及 Mems/ 傳感器等需求而逐季增長， 2026 年該部分市值約為 617.1 億美元，將於該年度超過傳統封裝並 逐年呈現成長，預期 2024-2028 年間將以 CAGR 10.9% 快速增長。
- ◼ 其中，伴隨成本與量產性考量， 2028 年全球在先進封裝部分趨勢，仍以 Flip-Chip( 覆晶封裝 ) 為主流，其 次為 2.5D 與 3D 封裝為主。但以更長遠的方向而言，伴隨 Nvidia 與 TSMC 等基於成本考量， 2025 年已陸續 釋出訊息未來晶圓將從圓形轉為方型基板，相關的技術成熟度預計三年內會有成果，亦即 Fan-out 中的 FO-WLP( 扇出型晶圓級封裝 ) 、將陸續邁向 FO-PLP( 扇出型面板級封裝為主 )
圖 16 、 2023-2028(F) 全球半導體封裝市值
圖 17 、 2028 年先進封裝市場比重
先進封裝製程與材料簡介
| 大致分類 | 應用流程 | 應用流程 | 作用 | 應用製程 | 相關廠商 |
|---|---|---|---|---|---|
| Photoresist ( 光阻劑 ) | RDL( 重分佈製程 ) | RDL( 重分佈製程 ) | Patterning ( 圖案化 ) | 1. FOWLP( 扇出晶圓級封裝 ) 2. WLCSP( 晶圓級尺寸封裝 ) 3. FC BGA( 覆晶 (Flip Chip) 技術連接 半導體晶片與封裝基板 ) 4. 2.5 interposer(2.5D 中介層 ) 5. 3D TSV( 矽穿孔製程 ) | 感光型聚亞醯胺 (PSPI) : 永光 (1711) 、長興 (1717) 、三福化 (4755)( 出顯影劑 ) 底部充填膠 (Underfill) ： 晶化科技 ( 未上市櫃 ) 、品化 ( 未上 市櫃 ) 清洗劑： 勝一 (1773)( 新應材洗邊劑屬於特 規產品，雖同為清洗但意義上不 同 ) ；長春（未上市櫃） TSV( 乾蝕刻氣體 ) ： 晶呈科技 (4768) 、兆捷科技 (6959- 代理商 ) 、京和科技 ( 未上市櫃 ) 散熱膏： 台灣積水 ( 未上市櫃 ) 、昇貿 (3305)(?) 、勤凱 (4760) 、竑騰 |
| Photoresist ( 光阻劑 ) | Bump( 金屬凸點 ) UBM( 凸點下金屬化層 ) | Bump( 金屬凸點 ) UBM( 凸點下金屬化層 ) | Patterning ( 圖案化 ) | 1. FOWLP( 扇出晶圓級封裝 ) 2. WLCSP( 晶圓級尺寸封裝 ) 3. FC BGA( 覆晶 (Flip Chip) 技術連接 半導體晶片與封裝基板 ) 4. 2.5 interposer(2.5D 中介層 ) 5. 3D TSV( 矽穿孔製程 ) | 感光型聚亞醯胺 (PSPI) : 永光 (1711) 、長興 (1717) 、三福化 (4755)( 出顯影劑 ) 底部充填膠 (Underfill) ： 晶化科技 ( 未上市櫃 ) 、品化 ( 未上 市櫃 ) 清洗劑： 勝一 (1773)( 新應材洗邊劑屬於特 規產品，雖同為清洗但意義上不 同 ) ；長春（未上市櫃） TSV( 乾蝕刻氣體 ) ： 晶呈科技 (4768) 、兆捷科技 (6959- 代理商 ) 、京和科技 ( 未上市櫃 ) 散熱膏： 台灣積水 ( 未上市櫃 ) 、昇貿 (3305)(?) 、勤凱 (4760) 、竑騰 |
| Photoresist ( 光阻劑 ) | TSV( 直通矽晶穿孔 ) | TSV( 直通矽晶穿孔 ) | Patterning ( 圖案化 ) | 1. FOWLP( 扇出晶圓級封裝 ) 2. WLCSP( 晶圓級尺寸封裝 ) 3. FC BGA( 覆晶 (Flip Chip) 技術連接 半導體晶片與封裝基板 ) 4. 2.5 interposer(2.5D 中介層 ) 5. 3D TSV( 矽穿孔製程 ) | 感光型聚亞醯胺 (PSPI) : 永光 (1711) 、長興 (1717) 、三福化 (4755)( 出顯影劑 ) 底部充填膠 (Underfill) ： 晶化科技 ( 未上市櫃 ) 、品化 ( 未上 市櫃 ) 清洗劑： 勝一 (1773)( 新應材洗邊劑屬於特 規產品，雖同為清洗但意義上不 同 ) ；長春（未上市櫃） TSV( 乾蝕刻氣體 ) ： 晶呈科技 (4768) 、兆捷科技 (6959- 代理商 ) 、京和科技 ( 未上市櫃 ) 散熱膏： 台灣積水 ( 未上市櫃 ) 、昇貿 (3305)(?) 、勤凱 (4760) 、竑騰 |
| Permanent Bonding stacked material ( 永久鍵合與堆疊材料 ) | D2W assembly level( 裸晶片到 晶圓之鍵合技術 ) | D2W assembly level( 裸晶片到 晶圓之鍵合技術 ) | Mechanical support( 機械 支撐 ) | 3D TSV( 矽穿孔 ) | 感光型聚亞醯胺 (PSPI) : 永光 (1711) 、長興 (1717) 、三福化 (4755)( 出顯影劑 ) 底部充填膠 (Underfill) ： 晶化科技 ( 未上市櫃 ) 、品化 ( 未上 市櫃 ) 清洗劑： 勝一 (1773)( 新應材洗邊劑屬於特 規產品，雖同為清洗但意義上不 同 ) ；長春（未上市櫃） TSV( 乾蝕刻氣體 ) ： 晶呈科技 (4768) 、兆捷科技 (6959- 代理商 ) 、京和科技 ( 未上市櫃 ) 散熱膏： 台灣積水 ( 未上市櫃 ) 、昇貿 (3305)(?) 、勤凱 (4760) 、竑騰 |
| Permanent Bonding stacked material ( 永久鍵合與堆疊材料 ) | W2Wassembly( 晶片對晶片鍵 合技術 ) | W2Wassembly( 晶片對晶片鍵 合技術 ) | Miniaturization( 小型化 ) | 3D TSV( 矽穿孔 ) | 感光型聚亞醯胺 (PSPI) : 永光 (1711) 、長興 (1717) 、三福化 (4755)( 出顯影劑 ) 底部充填膠 (Underfill) ： 晶化科技 ( 未上市櫃 ) 、品化 ( 未上 市櫃 ) 清洗劑： 勝一 (1773)( 新應材洗邊劑屬於特 規產品，雖同為清洗但意義上不 同 ) ；長春（未上市櫃） TSV( 乾蝕刻氣體 ) ： 晶呈科技 (4768) 、兆捷科技 (6959- 代理商 ) 、京和科技 ( 未上市櫃 ) 散熱膏： 台灣積水 ( 未上市櫃 ) 、昇貿 (3305)(?) 、勤凱 (4760) 、竑騰 |
| Temporary bonding &debonding ( 暫時貼合與剝離材料 ) | Bonding/debonding carrier from the semiconductor device | Bonding/debonding carrier from the semiconductor device | Handling wafer | 1. FOWLP( 扇出晶圓級封裝 ) 2. 3D TSV( 矽穿孔 ) 3. 2.5 interposer(2.5D 中介層 ) | 感光型聚亞醯胺 (PSPI) : 永光 (1711) 、長興 (1717) 、三福化 (4755)( 出顯影劑 ) 底部充填膠 (Underfill) ： 晶化科技 ( 未上市櫃 ) 、品化 ( 未上 市櫃 ) 清洗劑： 勝一 (1773)( 新應材洗邊劑屬於特 規產品，雖同為清洗但意義上不 同 ) ；長春（未上市櫃） TSV( 乾蝕刻氣體 ) ： 晶呈科技 (4768) 、兆捷科技 (6959- 代理商 ) 、京和科技 ( 未上市櫃 ) 散熱膏： 台灣積水 ( 未上市櫃 ) 、昇貿 (3305)(?) 、勤凱 (4760) 、竑騰 |
| Underfill ( 底部填充劑 ) | Bump( 金屬凸 點 ) UBM( 凸點下 金屬化層 ) | D2W( 裸晶 片到晶圓 之鍵合技 術 ) | Mechanical support | 1. FOWLP( 扇出晶圓級封裝 ) 2. FC BGA( 覆晶 (Flip Chip) 技術連接 半導體晶片與封裝基板 ) 3. 2.5 interposer(2.5D 中介層 ) | 感光型聚亞醯胺 (PSPI) : 永光 (1711) 、長興 (1717) 、三福化 (4755)( 出顯影劑 ) 底部充填膠 (Underfill) ： 晶化科技 ( 未上市櫃 ) 、品化 ( 未上 市櫃 ) 清洗劑： 勝一 (1773)( 新應材洗邊劑屬於特 規產品，雖同為清洗但意義上不 同 ) ；長春（未上市櫃） TSV( 乾蝕刻氣體 ) ： 晶呈科技 (4768) 、兆捷科技 (6959- 代理商 ) 、京和科技 ( 未上市櫃 ) 散熱膏： 台灣積水 ( 未上市櫃 ) 、昇貿 (3305)(?) 、勤凱 (4760) 、竑騰 |
| Dielectric material ( 介電材料 ) | RDL( 重分佈製程 ) | RDL( 重分佈製程 ) | Passivation ( 保護層 ) | 1. FOWLP( 扇出晶圓級封裝 ) 2. WLCSP( 晶圓級尺寸封裝 ) | 研磨膠 / 膜封材料： |
| Dielectric material ( 介電材料 ) | Bump( 金屬凸點 ) UBM( 凸點下金屬化層 ) | Bump( 金屬凸點 ) UBM( 凸點下金屬化層 ) | Repassivation | 1. FOWLP( 扇出晶圓級封裝 ) 2. WLCSP( 晶圓級尺寸封裝 ) 3. FC BGA( 覆晶 (Flip Chip) 技術連接 半導體晶片與封裝基板 ) | 未上市櫃 ) 、山太士 電子級切割膠 ) 、明坤 、萬州化學 ( 未上市櫃 未視上櫃 ) 、碩正科技 (8070) 、南寶 |
| Dielectric material ( 介電材料 ) | TSV( 直通矽晶穿孔 ) | TSV( 直通矽晶穿孔 ) | Lsolation | 3D TSV( 矽穿孔 ) | 未上市櫃 ) |
| Molding compound ( 模塑膠 ) | Encapsulation ( 封裝 ) | Encapsulation ( 封裝 ) | Reconstituted wafer ( 重新 建構晶圓 ) | FOWLP( 扇出晶圓級封裝 ) | 感光型聚亞醯胺 (PSPI) : 永光 (1711) 、長興 (1717) 、三福化 (4755)( 出顯影劑 ) 底部充填膠 (Underfill) ： 晶化科技 ( 未上市櫃 ) 、品化 ( 未上 市櫃 ) 清洗劑： 勝一 (1773)( 新應材洗邊劑屬於特 規產品，雖同為清洗但意義上不 同 ) ；長春（未上市櫃） TSV( 乾蝕刻氣體 ) ： 晶呈科技 (4768) 、兆捷科技 (6959- 代理商 ) 、京和科技 ( 未上市櫃 ) 散熱膏： 台灣積水 ( 未上市櫃 ) 、昇貿 (3305)(?) 、勤凱 (4760) 、竑騰 |
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先進封裝兩大關鍵製程 -TSV 與 RDL 簡介與說明
- ◼ 重新分布線 (RDL) 與矽通孔 (TSV) 為半導體先進封裝中的 重要關鍵製程，主要應用於 FO-WLP( 晶圓級扇出型封裝 ) 、 FOPLP( 面板級扇出型封裝 ) 等領域，包括： 2.5D( 水平 ) 封裝中的矽中介層 (RDL 與 TSV 皆有應用 ) ，以及 3D 封裝中 ( 垂直封裝；主要應用於 HBM 堆疊通孔 ) 。
- ◼ 據 Gii 與 Market Research 研調指出， TSV(2.5D+3D)2025 年 市值為 5992 億美元、 2025-2030 CAGR 30.1% ， 2030 年約 為 2,233.5 億美元； RDL 市值為 28.26 億美元， 2025-2035 CAGR 7.06% ， 2035 年約為 55.9 億美元。
表 2 、矽通孔 (TSV) 與重新佈線 (RDL) 製程步驟與內容簡介
| 製程名稱 | 製程流程 | 設備類型 | 製程目的 | 製程名稱 | 製程流程 | 設備類型 | 製程目的 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSV ( 矽通孔 ) | (1) 製備光罩 | 爐管、 PECVD | 為後續製程提供藍圖 | RDL ( 重分佈線 路 ) | (1) 介電層沉積 | PECVD | 提供絕緣層 |
| TSV ( 矽通孔 ) | (2) 光罩圖案化 | 旋塗機、顯影機、 曝光機 | 將光罩圖案轉移至晶圓上 | RDL ( 重分佈線 路 ) | (2) 光罩圖案化 | 旋塗機、顯影機、 曝光機 | 將光罩圖案轉移至晶 圓上 |
| TSV ( 矽通孔 ) | (3) 通孔蝕刻 | 蝕刻設備 ( 矽 ) | 在晶圓上形成垂直的通孔 | RDL ( 重分佈線 路 ) | (3) 銅阻擋層與 種子層沉積 | PVD 、 ALD | 為銅導線提供基礎 |
| TSV ( 矽通孔 ) | (4) 氧化層沉積 | PECVD 、爐管 | 提供絕緣層 | RDL ( 重分佈線 路 ) | (4) 導體層沉積 | 電鍍 | 形成導線層 |
| TSV ( 矽通孔 ) | (5) 銅阻擋層與 種子層沉積 | PVD 、 ALD | 為銅導線提供基礎 | RDL ( 重分佈線 路 ) | (4) 導體層沉積 | 電鍍 | 形成導線層 |
| TSV ( 矽通孔 ) | (6) 銅填充 | 電鍍 | 填充通孔形成導線 | RDL ( 重分佈線 路 ) | (5) 平面化 | CMP | 平整晶圓表面 |
| TSV ( 矽通孔 ) | (7) 銅退火 | 爐管 / 烤箱 | 改良銅的機械性質 | RDL ( 重分佈線 路 ) | (5) 平面化 | CMP | 平整晶圓表面 |
| TSV ( 矽通孔 ) | (8) 平面化 | CMP | 平整晶圓表面 | RDL ( 重分佈線 路 ) | (6) 測量 | 測量設備 | 監控製程品質 |
| TSV ( 矽通孔 ) | (9) 測量 | 測量設備 | 監控製程品質 | RDL ( 重分佈線 路 ) | (6) 測量 | 測量設備 | 監控製程品質 |
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Die 1
矽穿孔製程 (TSV)先進製程中關鍵垂直互連封裝技術
- ◼ 矽穿孔 (TSV) 是一種可實現晶片垂直互聯的關鍵封裝技術，透過在矽晶片內部製作高深寬比的金屬導通孔， 將堆疊在一起的多層晶片實現晶粒間的高速、低延遲與低功耗訊號傳輸，可實現約 100 倍的效能改善。
- ◼ TSV 出現位置主要用於 3D 封裝中的 TSV 與 2.5D 中借層上的 TSV 。主要應用於記憶體堆疊、邏輯晶片與記憶體 的直接疊合；這類 TSV 通常尺寸較小、密度高，需要承受多層晶片間的垂直訊號傳輸與電源供應，強調垂直 短距離高速傳輸和低延遲。
圖 18 、 2025-2034(F)TSV 市場趨勢
21 資料來源：材料世界網、 ZION ；福邦投顧整理
RDL
重新佈線製程 (RDL)先進製程中水平線路重新佈線之關鍵
ISV
RDL
- ◼ 重分佈製程（ Redistribution Layer, RDL ）中介層，採用 RDL 疊層取代傳統矽基版的設計，不依靠矽，而是 利用有機介電層支撐佈線結構。 PCB
- ◼ 過往 SiO2 作 CoWoS-S 中介層應用，雖具有低漏電、高可靠度與良好的熱穩定性，且因膨脹係數與 Si 基板相似 ，固可減少熱應力與翹曲問題。然而，因 SiO2 因介電常數 (DK 僅有 3.9) 、惟 SiO2 脆性高且加工難度大，增加 了成本與良率風險高，進而促使相關技術陸續轉向 CoWoS-R 。而目前主要廠商，以日本旭化成 ( 負型聚醯亞 胺 (PI)( 占比 46.8%) 、日商 HD 微系統 ( 占比 36.0%) 、富士電子 ( 占比 11.9%) 。
| 矽中介層 | RDL 中介層 | |
|---|---|---|
| RDL 層 | RDL 層形成於矽晶片上 | 多層 RDL 疊層行成中介層 |
| 製程難度 | 較高，需兼具矽晶圓製程精密 度 | 相對較彈性 |
| 線寬 / 線距 | 0.4um/0.4 | 1.5um/1.5um |
| 成本 | 相對較高 介電常數高 加工難度大 | 相對較低 |
| 介電材料 | SiO2 | PSPI 、 PBO |
| 代表技術 | CoWoS-S | CoWoS-R 、 FOCos |
圖 19 、 2023-2026(F) CoWoS 需求趨勢圖
- TSMC CoWoS-S TSMC CoWoS-L TSMC CoWoS-R
- Non-T CoWoS-S Non-T CoWoS-L Non-T CoWoS-R
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封裝尺寸擴大， FOPLP 需求預期 2026 年創 3 億美元市值
- ◼ 據 Yole 市場研調指出， FOPLP 產值將於 2024 年至 2030(F) 年以 CAGR 27.2% 高速成長，從 1.6 億美元增長 至 7 億美元。
- ◼ 而參考既有 FOPLP 發展趨勢，因應既有封裝尺寸 ( 關鍵 對照為中介曾尺寸光罩數 ) 持續擴大，過往封裝效率降 低下， FOPLP 將邁向大尺寸方型基板為主。例如 TSMC 便 規 劃 採 用 12inch SiC 方 型 基 板 (310mm310mm) ，於 2027 年跨入量產。此外，亦有其 他廠商同步進行方型基板開發，例如：群創 700700 、 Amkor650650 、力成 510510… 等。
圖 20 、 FOPLP 市值趨勢圖
| 項目 | 2023 | 2024 | 2025(e) | 2026(F) | 2027(F) | 2028(F) | 2029(F) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 算力 | 1X | 7X | |||||
| 異質整合 | 2XPU 8HBM | 2XPU(?) 8HBM | 4XPU+ 12HBM4 | 整合晶粒數提升 | |||
| 晶片邊長 | 80mm | 120mm | 封裝面積需求提升 | ||||
| 中介層尺寸 | TSMC CoWoS 尺寸 | TSMC CoWoS 尺寸 | 3.3x 光罩 | 5.5x 光罩 | 9x 光罩 | SiC 方型基板 2027 年放量 | |
| 封裝載板尺寸需求 | >100mm*100mm | >120*120mm | |||||
| 玻璃載體邊長 | 300mm-700mm | 現階段規格尚未統一 |
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Apply thermal release
Apply temporary bond layer
RDL 亦為 FOPLP RDL First 之關鍵技術 tape on carrier on carrier
Apply release layer on carrier
- ◼ FOPLP 目前可分為「 Mold First 」，就是先進行 壓模，然後在進行 RDL 製程，以及 「 RDL first 」 ，先把 RDL 做好，然後再將 Chip 轉移到 RDL 上。 on carrier
- ◼ 其中 Mold First 製程亦可拆分 Face down 與 Face UP 兩種； Face Down 製程需進行 Mold 後移除載板； 另一種則為 Face up 連同載板一同作業，後再針對 Mold 進行減薄。 Mold back grinding and RDL
- ◼ 而因 Mold First 易在前段黏晶、模封製程中，易 容易產生晶片偏移 (die shift) ，以及因模封下所產 生的晶圓翹曲。導致後續恐對於蝕刻、晶圓搬運 或是載台吸附等皆不易進行，故目前 FOPLP 有逐 步從 Mold First 轉向 RDLFirst 。
圖 22 、晶片偏移下對於 RDL 之影響性
圖 21 、 FOPLP-Mold / RDL 相關技術圖
Carrier Board ： Metal/Steel ； Glass ； Polymer
PSPI 為 RDL 製程主要關鍵材料，日美供應占全球用量 9 成
表 5 、 PSPI 類型分類
| 分類 | 詳細分類 | 特點 | 顯影劑 | 主要 供應商 |
|---|---|---|---|---|
| 正型 | 聚酰胺酸型 PSPI | 具有良好的光敏性與熱 穩定性、適用於高分辨 綠圖案化處理 | TMAH | 感光材料 ( 海 外 )- 占整體進 9 成的貢獻：住 友培科 ( 日 ) 、 旭化成 ( 日 ) 、 HD Microsystems( 美 ) 、 Toray( 日 ) 感光材料 ( 台 灣 ) ：長興 (1717) 、永光 (1711) 、達興 材料 (5234) |
| 正型 | 聚酰胺酯型 PSPI | 具有高耐熱性和耐熔劑 性，適合用於高溫與化 學處理 | TMAH | 感光材料 ( 海 外 )- 占整體進 9 成的貢獻：住 友培科 ( 日 ) 、 旭化成 ( 日 ) 、 HD Microsystems( 美 ) 、 Toray( 日 ) 感光材料 ( 台 灣 ) ：長興 (1717) 、永光 (1711) 、達興 材料 (5234) |
| 正型 | 聚異酰業胺 型 PSPI | 提升機械性能與化學穩 定性，適用於航太、汽 車等高溫領域 | TMAH | 感光材料 ( 海 外 )- 占整體進 9 成的貢獻：住 友培科 ( 日 ) 、 旭化成 ( 日 ) 、 HD Microsystems( 美 ) 、 Toray( 日 ) 感光材料 ( 台 灣 ) ：長興 (1717) 、永光 (1711) 、達興 材料 (5234) |
| 正型 | 含酚基或羫 基的聚酰業 胺型 PSPI | 其具有顯著的可改性與 加工性，適合用於激光 電劑等元件封裝 | TMAH | 感光材料 ( 海 外 )- 占整體進 9 成的貢獻：住 友培科 ( 日 ) 、 旭化成 ( 日 ) 、 HD Microsystems( 美 ) 、 Toray( 日 ) 感光材料 ( 台 灣 ) ：長興 (1717) 、永光 (1711) 、達興 材料 (5234) |
| 負型 | 酯型 PSPI | 具有良好的溶解性與光 敏性、適合用於微米級 圖案光阻劑 | 有機溶劑 ( 二甲苯 ) | 顯影材料 ( 海 外 ) ：長瀨集 團、多摩集 團 … 等 顯影材料 ( 台 灣 ) ：三福化 （ 4755) 、長 春 ( 未上市櫃 |
| 負型 | 離子型 PSPI | 具有高感光性，適合用 於高分辨綠圖案化處理 | 有機溶劑 ( 二甲苯 ) | 顯影材料 ( 海 外 ) ：長瀨集 團、多摩集 團 … 等 顯影材料 ( 台 灣 ) ：三福化 （ 4755) 、長 春 ( 未上市櫃 |
| 負型 | 自增感型 PSPI | 適合用於高晶度微機電 系統和光子晶體 | 有機溶劑 ( 二甲苯 ) | 顯影材料 ( 海 外 ) ：長瀨集 團、多摩集 團 … 等 顯影材料 ( 台 灣 ) ：三福化 （ 4755) 、長 春 ( 未上市櫃 |
| 負型 | 化學增幅型 PSPI | 適合用於高晶度微米級 結構和光元件 負型濕式為主要應用 | 有機溶劑 ( 二甲苯 ) | 顯影材料 ( 海 外 ) ：長瀨集 團、多摩集 團 … 等 顯影材料 ( 台 灣 ) ：三福化 （ 4755) 、長 春 ( 未上市櫃 |
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- ◼ PSPI 結合了聚醯亞胺（ Polyimide, PI) 的優良物理和化學特性，以及 光敏材料的特性。
- ◼ 正性 PSPI (p-PSPI) ：在受到紫外 光照射後，正性 PSPI 會變得可溶 於顯影劑。與負性 PSPI 相比，它 在光刻過程中更容易去除曝光區 域的材料，能降低污染導致的缺 陷風險，同時具備更高的圖案解 析度。因此，正性 PSPI 被普遍認 為是未來技術發展的重要方向。
- ◼ 負性 PSPI (n-PSPI) ：經過光照後 ，負性 PSPI 的分子會交聯，形成 不溶於顯影劑的結構。由於其應 用範圍廣泛，且在現階段仍能滿 足對高解析度的製程需求，負性 PSPI 目前依然在市場上維持著相 當大的佔有率。
系統級封裝下關鍵耗材展望
玻璃基板 (Glass Core Substrate) 簡介
玻璃基板應用簡介與說明
- ◼ 玻璃基板最早應用於液晶顯示 (LCD) 面板製程不斷成熟，對高精密玻璃加工技術需求增加。伴隨近年半導 體封裝技術朝高頻、高速、小尺寸與高度整合發展，使傳統矽基或有機基板於某些應用領域中呈現限制 ( 例 如： CTE 玻璃介於 0-13 、 SI 約為 3.0) 。目前玻璃基板應用可分為：轉移玻璃 (Glass Carrier 功能與承載晶圓 一樣；很多人做 ) 、玻璃芯載板 (Glass Core) 、以及 2028 年方有機會投入的玻璃中介層 (Glass Interposer) 。
- ◼ 而不同的玻璃基板會針對不同需求做搭配，例如：康寧鋁矽酸鹽玻璃，主要由 SiO2 & AL2O3 構成，具有低 熱膨脹 (CTE) 與低借電常數，適合高頻高速應用。
表 6 、 TGV 主要三大應用
| 用途 | 特性 | 規格 | 玻璃供應商 | |
|---|---|---|---|---|
| 轉移 玻璃 | 晶圓薄化與導線特 徵尺寸控制 2019 年康寧推出 | 物理特性 ( 低熱 膨脹係數；高強 度 ) | TTV⇐2.0um Bow ： 12 吋 ⇐50um CTE ： ⇐12ppm/ ° C | 康寧股份有限公 司 (Ealg XG/ 半導 體晶圓用途 ) |
| 玻璃 基板 | 類比 /MEMS/ 感測 器 LED 2023 年 Intel 推出 | 尺寸與成本驅動 ( 因為光罩數越 來越龐大 ) ； MEMSFab 、封 測廠製造 無關封裝、在於載板面積 | 厚度： 20 | 艾杰旭 ( 旭硝 子 )(Advanced Packaging Glass) SCHOTTAG(AF |
| 玻璃 中介 | 高階 Logic IC 應用 (GPU 、 CPU 、 FPGA 、 ASIC) Rapidus 2028 年量產 | 效能驅動 ( 寬頻、 低功耗 ) ；通常 由 CMOS Fab 製 造 | 厚度： ⇐100um Via( 孔洞 ) 直徑： ⇐10um Via Drilling ： DRIE Vias ： >10,000/cm2 AR( 深度 / 寬度 ) ： >=12 ： 1 | &BF Series) 日本電氣硝子株 式會社 (Ultra-Low Expansion Glass) |
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玻璃成孔技術 (TGV) 彙總說明
- ◼ 據資料統計，目前於 TGV 玻璃穿孔技術上，可分為機械成孔、乾式蝕刻與濕式蝕刻為主；然而因機械成孔 在於孔徑方面難以控制、且成孔精細度不佳，現多轉向乾式蝕刻與濕式蝕刻為主。
- ◼ 乾式蝕刻中目前主要應用為反應性離子蝕刻 ( 例如：晶呈科技 LADY 製程－深寬比 10:1 ；可滿足 Glass Core 應 用，尚無法達到 Glass Interposer 應用 ) ，以及雷射成孔 ( 易造成火山孔型與孔內微裂痕；濕式蝕刻中主流則在 於雷射誘導蝕刻 ( 例如：德國 LPKF 、美國康寧 ) ，透過雷射的高能量密度對玻璃基材進行特定區域的質變後 ，在運用 HF 或 KOH 進行蝕刻成孔。
表 7 、 TGV 相關技術彙總說明
| 成孔技術 | 成孔技術 | 製程內容簡介 |
|---|---|---|
| 機械 成孔 | (i) 鑽石鑽頭成孔 (ii) 超音波成孔 (iii) 電化學放電成孔 (vi) 噴沙法 | (iii) 電化學放電成孔：是將電火花加工 (EDM) 與電解加工 (ECM) 相結合的新型低成本玻璃微加工方 法，該方法通過電解液的電化學放電和化學服食產生的熱熔作用，將材料從基板中去除。 (vi) 噴沙法：採用複合掩膜，用乾粉噴砂進行蝕刻 / 易造成孔徑過大，且易造成損傷 |
| 乾式 蝕刻 | (i) 反應性離子蝕刻 (ii) 雷射成孔 (iii) 雷射誘導蝕刻 | (i) 反應性離子蝕刻：以 SF6 、 C4F8 等氟性蝕刻氣體搭配多晶矽遮罩層進行精準蝕刻 / 好處：取得高 深寬比且垂直壁的通道／缺點為蝕刻速率過低（ 0.5um~0.6um/min) (ii) 雷射成孔：運用飛秒雷射、皮秒雷射、納秒雷射／表面及孔內品質不佳，易產生火山行孔型與 孔內微裂痕、孔側壁表面粗糙度不佳等問題 (iii) 雷射改質誘導：運用雷射高能量密度對玻璃基材形成多光子吸收的非線性效應，從而造成玻璃 質變 (vi) 噴沙法：採用複合掩膜，用乾粉噴砂進行蝕刻 / 易造成孔徑過大，且易造成損傷 |
| 濕式 蝕刻 | 雷射誘導蝕刻 ( 濕蝕刻法 ) | 雷射改質誘導：運用雷射高能量密度對玻璃基材形成多光子吸收的非線性效應，從而造成玻璃質 變 / 可在 50/500um 厚的玻璃，形成孔徑大於 20um 的玻璃通孔 ( 深寬比約 25 ： 1) >> 目前此部分為德國 LPKF 、美國康寧 |
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TGV 應用於玻璃芯基板 (Glass Core Substrate ) 製程
- ◼ 根據研調資料、公司資訊與 Yole 資料彙整， TGV 整體製程約有 23 道製程，分別為：
- －進料階段：面板檢查 > 面板減薄 > 面板檢查 > 面 板清潔
- －成孔階段：雷射改質 > 改質後檢查 > 一次同
- －填孔：通孔檢查 > 成孔清洗 > 通孔金屬 > 通孔鍍 銅 > 通孔金屬化退火 > 金屬化檢查 > 通孔銅退火 > 成孔後檢查
- －成型：厚度量測 > 磨薄 > 光阻劑塗佈 > 成像曝光 >RDL 佈線 >RDL 後檢測 > 輸出前清洗
而玻璃芯基板（ Glass Core Substrate ）再將玻璃 進行完 TGV 加工製成後，便再提交給載板廠進 行壓合作業
圖 23 、 TGV+Glass Core 製程
資料來源： IEK 、世界材料網、網路資料；福邦投顧整理
玻璃芯基板 (Glass Core Substrate) 與有機載板之比較
- ◼ 據資料統計，面板之基板應用可較 300mm(12inch) 節省 10%-28% 封裝製造成本，可解決日前因 CoWoS 下，封 裝技術的效率日益降低之問題，從而提升單次可封裝晶片數、大幅提升產能。
- ◼ 然而在大尺寸面積下，傳統有機載板易受到受熱不均，造成載板易產生翹曲；而玻璃芯基板 (Glass Core Substrate) 因 CTE 係數較低，對於熱所產生的膨脹影響性較低，且在孔徑上深寬比亦可以達到 AR5 左右。
- ◼ 目前對於廠商而言，台灣雖與日系廠商有顯著差異，惟伴隨部份美系客戶開始規劃導入 Glass Core Substrate 之情況，現已有部分廠商進行供應鏈整合，從特氣原料端、金屬耗材廠 … 等進行合作試驗。
表 8 、玻璃芯基板 (Glass Core) 與有機基板差異；以及既有相關供應鏈
| 項目 | 有機載板 | 玻璃基板 | 玻璃材料 ( 經過 TGV 處理 ) | 玻璃供應商 | AGC 、 SCHOTT 、 CORNING |
|---|---|---|---|---|---|
| 項目 | 增層材料技術 | 蝕刻材料 | 晶呈科技 | ||
| 熱穩定性 | 對溫度變化敏感 | 熱穩定性佳 | 增層材料技術 | 鍍銅材料 / 銅柱 | Atotech 、上村工業、 MacDermid 奇彥科技 |
| CTE | 12-20 ppm/ ° C | 3-9 ppm/ ° C | 增層材料技術 | 絕緣材料 (ABF) | 味之素、晶化科技、 LG Innotek |
| 平整度 | 差 | 佳，利於 L/S 更精細 | 增層材料技術 | 絕緣材料 (ABF) | 味之素、晶化科技、 LG Innotek |
| L/S | 8/8 µm ~ 10/10 µm | < 5/5 µm | 增層材料技術 | 光阻材料 | 東京應化工業、杜邦、默克、永 光化學 |
| 孔徑 | 約 30-80 µm ，深寬比 < 2:1 | 約 5-30 µm ，深寬比 >5:1 | 增層材料技術 | 光阻材料 | 東京應化工業、杜邦、默克、永 光化學 |
| Dk / Df | 3.2-4.0 / 0.01-0.025 | 電路製造 + 基版加 工 | IC 載板廠 ( 傳統有 機載板廠 ) | 南電、新興、 IBIDEN 、 Shinko 、 FICT 、 SEMCO 、 LG innotek | |
| 4.6-5.0 / < 0.005 | 電路製造 + 基版加 工 | IC 載板廠 ( 傳統有 機載板廠 ) | 南電、新興、 IBIDEN 、 Shinko 、 FICT 、 SEMCO 、 LG innotek |
30 資料來源： IEK 、世界材料網、網路資料、供應鏈訪查；福邦投顧整理
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| 代號 | 公司名稱 | 2025 EPS | 2026EPS(F) | 2027EPS(F) | 2025-2026 EPS YoY 預估 | 歷史 PER(PBR ) 區間 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1560 | 中砂 | 8.24 | 12.89 | 15.49 | +56.43% | 24.58X-42.2X |
| 7768 | 颂勝科技 | 3.90 | 9.65 | - | +147.44% | 33X |
| 8028 | 昇陽半導體 | *4.40 | *6.91 | - | +57.05% | 28.83X-34.07X |
| 1773 | 勝一 | 6.82 | 7.03 | *8.83 | +3.08% | 19.36X-21.01X |
| 4749 | 新應材 | 11.40 | 15.57 | - | +36.58% | 54.4X-64.73X |
| 4768 | 晶呈科技 | 1.53 | 7.60 | 14.52 | +396.73% | 51.26X-86.10X |
| 5234 | 達興材料 | 7.36 | 9.27 | 13.30 | +25.95% | 24.06X-45.10X |
| 1711 | 永光 | - | - | - | N/A | - |
| 1717 | 長興 | - | - | - | N/A | 17.11X-39.90X |
| 4755 | 三福化 | 4.13 | 4.74 | *7.99 | +14.77% | 20.52X-27.9X |
| 7887 | 宇川精材 | -2.33 | -1.99 | -1.57 | +14.59% | 45X |
【僅供內部教育訓練使用，嚴禁外流】
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資料來源： Bloomberg 、 Cmoney 、福邦投顧整理及預估
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