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技術_光阻材料

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技術_光阻材料

定義

光阻（Photoresist）是微影製程的關鍵材料，在晶圓表面形成感光薄膜，透過曝光（紫外光/EUV）與顯影步驟將電路圖案轉移至晶圓。光阻材料與曝光光源的演進直接決定製程節點的推進能力。

光阻技術演進

光源應用節點光阻類型顯影劑
G/I Line0.5–1.5µm非化學增幅型正型 TMAH、負型二甲苯
KrF130–500nm化學增幅型（有機高分子）TMAH
ArF65–130nm化學增幅型（含 Aliphatic Resin）TMAH
ArF 浸潤式7–65nm化學增幅型（含氟樹脂）TMAH
EUV7–1.6nm化學增幅型（含碘/氟複合結構）TMAH
A14（1.4nm）1.4nm金屬氧化物光阻（非化學增幅型）、有機高分子驗證中

A14 節點光阻材料變革

1.4nm（A14）製程由化學增幅型光阻逐步轉向金屬氧化物光阻（非化學增幅型），三大技術路線：

  1. CVD/ALD 沉澱光阻劑：Lam Research + ASML + imec 聯合開發
  2. 金屬氧化物光阻：Inpria（JSR）開發的錫基金屬氧化物光阻，高解析度
  3. 小分子光阻：住友化學開發，低碳氟鏈（呼應 PFAS 禁令）

市場規模

2024 年全球光阻市值約 64 億美元，2024–2034 CAGR 5.6%。ArF 浸潤式光阻市占最高（38–40%）。（estimate，中信心，market.us）

台灣廠商現況

廠商應用地位
1711_永光（市）PSPI（兼有光阻）、玻璃芯基板光阻台灣感光材料廠，布局先進封裝與玻璃芯基板
1717_長興（市）PSPI 光阻材料台灣封裝材料廠，PSPI 應用

台灣廠商限制

台灣光阻材料廠商目前主要聚焦於 PSPI（感光聚醯亞胺，先進封裝用）。前段製程用的 EUV/ArF 光阻仍由日本（JSR/住友化學/東京應化）與美國（Rohm and Haas）廠商主導，台廠尚未明確進入。

海外主要廠商

廠商國籍主要產品
JSR / Inpria日本 / 美國金屬氧化物光阻（A14）、化學增幅型
住友化學日本小分子光阻、化學增幅型
東京應化工業（TOK）日本EUV 光阻、KrF/ArF
旭化成日本PSPI 材料（先進封裝）
HD Microsystems美國正型 PSPI（先進封裝）

TSMC 光阻技術路線

製程節點曝光技術光阻類型
7nm–3nmArF 浸潤式 + EUV化學增幅型
2nmEUV化學增幅型（GAA）
A16EUV化學增幅型 + BSPDN
A14EUV金屬氧化物光阻（驗證中）/ 化學增幅型

相關技術

  • 技術_PSPI（先進封裝用光阻材料，PSPI 是 PI 系光阻）
  • 技術_BSPDN（A16 製程導入 BSPDN，光阻製程道次增加）
  • 技術_TGV（玻璃芯基板 TGV 成孔後光阻塗布步驟）

供應鏈

→ 供應鏈_半導體特化耗材

圖解

圖說：2024–2034 年全球光阻劑市場趨勢：CAGR 5.6%，ArF 浸潤式占比最高（38–40%）。EUV 光阻與金屬氧化物光阻（Metal Oxide Resist）為未來關鍵成長驅動。

來源

關係圖譜