定義
SOCAMM2（Small Outline Compression Attached Memory Module 2）是次世代 AI 伺服器 CPU 記憶體連接技術。NVIDIA Vera Rubin 平台全面採用，取代傳統 SO-DIMM 插槽與 LPDDR 直焊方案。
圖解
圖說：LP5 SOCAMM2 組裝爆炸圖，由上而下為 SOCAMM2 模組（M2 螺絲）、SOCAMM2 連接器、主板、背面 PCB 補強片（螺帽）；模組以螺絲鎖合壓在連接器的壓縮接觸 pin 上，不需焊接。SOCAMM2 兼顧 LPDDR 低功耗優勢、SO-DIMM 可更換特性，突破訊號速率限制。來源：富邦 2026-09-23。
技術原理
- 壓縮接觸（Compression Attached）：模組垂直壓貼 PCB，以螺絲鎖合施壓，使 600+ 針腳形成穩定電氣接觸；無焊接、無電纜
- 訊號優勢：縮短訊號走線，支援 LPDDR5X 9,600+ MT/s（傳統 SO-DIMM 在 6,400 MT/s 以上衰減嚴重）
- 位置：CPU 與 SOCAMM2 模組在同一節點板，不走獨立線纜（Cableless）
- CAMM2 vs SOCAMM2：CAMM2 用於標準 DDR5；SOCAMM2 用於 LPDDR，更適合 CPU 低功耗設計
關鍵參數
| 參數 | 規格 | 說明 |
|---|---|---|
| 訊號速率 | 9,600+ MT/s（LPDDR5X） | 傳統 SO-DIMM 上限約 6,400 MT/s |
| 記憶體頻寬 | 1.2 TB/s（Vera CPU） | 支援高頻寬 Agentic AI 推論 |
| 最大容量 | 1.5 TB（Vera CPU） | |
| 接腳數 | 600+ pin | 精密沖壓技術門檻 |
| 連接方式 | 壓縮接觸 + 螺絲鎖合 | 可維修，無焊接 |
應用場景
- NVIDIA Vera CPU（Vera Rubin 平台）：主要應用；取代 LPDDR 直焊
- Intel LP-CAMM2（筆電）：桌機 / 筆電同類技術，普及中
- 未來 AI 伺服器：DDR6 CAMM2 預計跟進
關鍵廠商
| 環節 | 廠商 | 角色 |
|---|---|---|
| 連接器 | 3217_優群（櫃） | 爭取第四大；精密沖壓護城河 |
| 連接器 | 嘉澤（3533，待建） | 第三大競爭者 |
| 連接器 | Amphenol | 第一大，國際大廠 |
| 連接器 | 2317_鴻海（市） | 第二大，垂直整合 ODM |
| 記憶體模組 | SK Hynix、Micron | LPDDR5X 模組供應 |
| 模組晶片 | RMBS.US(rambus) | 首款 LPDDR5X SOCAMM2 晶片組（2026 年初）、LPDDR6 SOCAMM2 PMIC；稱 SOCAMM 屬利基、預計約 2028 年進入市場，與標準 DIMM 互補（活動_Rambus_3Q26法說memo_20261026，2026-10-26） |
| CPU 平台 | NVIDIA Vera CPU | 採用方 |
技術瓶頸 / 風險
- 精密製造門檻高：600+ pin 壓接，螺絲鎖合受力均勻性要求極高，進入者少
- 市場集中：Amphenol 市佔最大，台廠追趕中
- 量產時程：依附 Vera Rubin 平台，3Q26 ramp；若平台延遲則連動
前瞻：Samsung VCS 堆疊 DRAM（ECTC 2026）
Samsung 發表不用 TSV 也不用打線的銅柱堆疊 DRAM（功耗 −41%、11.8Gb/s、高度/佔位 −40%），SemiAnalysis 認為適用於 SOCAMM 類伺服器記憶體模組。完整規格見 技術_VCS銅柱堆疊。
來源
- memo_VeraRubin_機櫃連接器供應鏈_20260519
- 報告_SemiAnalysis_ECTC2026先進封裝_20260702，SemiAnalysis，2026-07-02（Samsung VCS：−41% 功耗、11.8Gb/s、高度/佔位 −40%、對 SOCAMM 類模組的意義）
- 活動_Rambus_3Q26法說memo_20261026 — Rambus 3Q26 法說，2026-10-26；SOCAMM2 PMIC、每模組含量、2028 導入時點