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CMOS

更新 2026-06-10

定義

CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,互補式金氧半導體)是現代邏輯 IC 與多數混合訊號 IC 的基礎製程平台。它同時使用 NMOS 與 PMOS 電晶體,以低靜態功耗、高整合度與成熟量產生態成為 CPU、GPU、ASIC、SerDes、DSP、PMIC 控制邏輯與 CPO EIC 的主流基礎。

在 LPO / CPO 光通訊中的角色

位置 CMOS 角色 說明
Switch ASIC / SerDes Host-side equalization / compensation LPO 把模組 DSP 移除後,ASIC SerDes 承接更多補償
Optical DSP PHY DSP + TIA / driver integrated SoC Broadcom / MaxLinear 等公開產品多為 5nm CMOS DSP PHY
CPO EIC Driver / TIA / control logic TSMC COUPE 2.0 類架構中,EIC 可採先進 CMOS / FinFET,與 PIC 3D 堆疊
PMIC / mixed-signal 控制邏輯 + power device 光模組低雜訊 PMIC / power sequencing 也需 CMOS / BCD 等平台

與 SiGe / GaAs / InP 的差異

製程 優勢 限制 光通訊應用
CMOS / FinFET CMOS 整合度最高、成本與生態成熟,可與 SerDes / DSP / logic 整合 極限高頻類比性能不一定優於 III-V / SiGe DSP PHY、CPO EIC、host ASIC、部分 TIA / driver
SiGe BiCMOS 高頻類比性能佳,可與 CMOS 控制整合 成本與製程平台較專用 高速 TIA / Driver
GaAs 高電子遷移率、高頻與功率能力 整合度較低,成本較高 RF / 部分 high-speed driver
InP 高速光電性能最佳 成本高、供應鏈少 超高速長距 / coherent / 特規光電 IC

圖解

flowchart LR
    A[CMOS / FinFET CMOS] --> B[Switch ASIC / SerDes]
    A --> C[Optical DSP PHY]
    A --> D[CPO EIC]
    A --> E[PMIC control / Mixed-signal]
    D --> F[Driver / TIA / Wavelength control]
    F --> G[PIC / SiPh]

圖說:CMOS 在 LPO/CPO 中不是單一元件,而是 host ASIC、DSP PHY、EIC 與 PMIC control 的基礎平台。

投資觀察

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來源

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