技術_半導體濕製程設備

定義

半導體濕製程設備是用於晶圓與封裝製程中的化學清洗、蝕刻、剝膜與殘留物去除設備。本頁聚焦先進封裝用濕製程設備，包含金屬蝕刻（metal etching）、單晶圓清洗（single-wafer cleaning）、剝膜與 residue 去除。

在 CoWoS、技術_SoIC、PLP 等先進封裝中，濕製程負責處理 bump / RDL / 金屬層與鍵合前後表面品質。3D IC / SoIC 因堆疊、薄化與鍵合面潔淨度要求更高，濕清製程複雜度、設備 ASP 與毛利率結構性高於 2.5D CoWoS。

圖解

flowchart LR
    A[晶圓] --> B[Bump / RDL / 金屬層]
    B --> C["濕清 / 金屬蝕刻<br/>剝膜 / residue 去除"]
    C --> D["堆疊 / [[技術_SoIC]]<br/>Hybrid bonding"]
    D --> E[封裝後測試]
    C -. 設備供應 .-> F["[[3131_弘塑（櫃）]]<br/>wet clean / metal etching"]

圖說：技術_半導體濕製程設備位於先進封裝的 RDL / bump 後、堆疊 / SoIC 前後清洗與蝕刻節點，是良率與 ASP 提升的關鍵設備環節。

技術原理

濕製程透過化學液、清洗腔體、單晶圓處理與製程控制，移除晶圓表面的金屬殘留、光阻、顆粒與有機 / 無機污染物。先進封裝中常見應用包括：

金屬蝕刻：處理 RDL、bump 與金屬鍍層製程後的圖形化與殘留物。
單晶圓清洗：提高製程均勻性與潔淨度，降低顆粒與污染造成的良率損失。
剝膜 / residue 去除：移除光阻、乾膜與封裝製程殘留。
鍵合前後清洗：SoIC / hybrid bonding 對表面潔淨度與平坦度要求更高，濕清與 CMP / plasma activation 共同決定鍵合良率。

關鍵參數 / 判斷指標

指標	意義	觀察重點
顆粒控制	影響鍵合與互連良率	SoIC / 3D IC 對顆粒更敏感
清洗均勻性	影響 RDL / bump 品質	大尺寸封裝與 PLP 更需要均勻性
金屬殘留去除	降低短路與可靠度風險	Cu / Ni / Au 等金屬層處理
設備 ASP	反映製程複雜度	GS 指出 3D IC 濕清設備 ASP 高於 CoWoS
毛利率	反映產品組合	3D IC、PLP、CPO 導入使毛利率結構改善

技術瓶頸 / 風險

3D IC 良率：SoIC 對鍵合面顆粒、表面潔淨度與翹曲控制更敏感，任何殘留都可能造成鍵合缺陷。
對位與翹曲控制：濕製程本身需與 CMP、薄化、暫時鍵合 / 解鍵合與檢測設備搭配，單一設備改善不足以保證整體良率。
第二供應商風險：隨 SoIC 技術成熟，客戶可能導入第二供應商；但 GS 仍認為3131_弘塑（櫃）相對本土同業具技術領先。

關鍵廠商

環節	廠商	角色
濕清 / 金屬蝕刻設備	3131_弘塑（櫃）	GS 指出其為台積電 CoWoS 濕清主要供應商，市占約 50%；日月光 / 矽品近 100%；SoIC 濕清為台積電獨家供應商
CMP / 平坦化互補	5443_均豪精密（櫃）	與濕清共同影響鍵合面品質與先進封裝良率
CoWoS Stripper（剝離液）耗材	4755_三福化（市）	三福化 CoWoS Stripper 為精密化學品中今年獲利亮點：新單 2026-04 中旬開始反映，找到較便宜替代材料後毛利率穩定 40–45% 以上；AP8 將以 CoWoS 為主，AP7 由 SoIC 主力改為以 CoWoS 為主，需求結構性上升

CoWoS Stripper / 先進封裝濕製程耗材（2026-05-28 更新）

CoWoS Stripper 是先進封裝光阻去除（剝離）製程的關鍵化學品，與弘塑等濕清設備搭配使用。三福化在此項目取得較佳價格，新單從 2026-04 中旬開始反映，公司預期毛利率可達 40–45% 以上。

因 AP7 路線從 SoIC 改以 CoWoS 為主，且 AP8 將以 CoWoS 為主，CoWoS Stripper 需求結構性上修。公司原預估 CoWoS 成長 40–60%，目前看可穩定超過 60%，有機會達 70–80%。

同時推進的 TMAH 回收（顯影液再生）詳見技術_TMAH回收，是先進封裝濕製程耗材的另一條成長線。

應用場景

技術_CoWoS：2.5D 先進封裝濕清與金屬層處理。
技術_SoIC：3D IC / hybrid bonding 前後潔淨度控制，設備 ASP 與毛利率高於 2.5D。
PLP / FOPLP：大尺寸面板級封裝對清洗均勻性與殘留控制要求提升。
CPO：光電封裝與異質整合提高製程複雜度，帶動高階濕製程設備需求。

投資觀察

GS 2026-05-26 指出，3131_弘塑（櫃）受惠 2.5D、3D IC、PLP、HBM 與 CPO 多重先進封裝擴產，2026-2028 需求 CAGR 約 45%、產能 CAGR 約 50%。其中 3D IC / SoIC 濕清設備因 ASP 與毛利率較高，是產品組合改善主因。

來源

報告_GS_弘塑3131_20260526
活動_4755_三福化_法說重點_20260528 — CoWoS Stripper 毛利率 40–45% 以上 / TMAH 回收 / SoIC 蝕刻液

半導體濕製程設備

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