鉬金屬互連

定義

鉬（Molybdenum，Mo）在先進製程（約 3nm 以下）逐漸取代傳統鎢（W） 作為金屬互連/導線材料。當製程微縮，傳統鎢金屬已無法滿足互連需求（電阻、薄膜化與阻障層占比問題）。此外，鉬金屬也被新導入至微機電（MEMS），作為壓電材料的金屬導線。

來源：活動_天虹_小場_20260521（2026-05-21 天虹小場）；技術背景輔以公開產業知識。

圖解

flowchart LR
    A[傳統鎢 W 互連<br/>需 TiN 阻障層] -->|3nm 以下微縮| B[鉬 Mo 互連]
    B --> C1[更低薄膜電阻<br/>阻障層占比下降]
    B --> C2[ALD/PVD 保形沉積<br/>3D 結構]
    B --> D1[先進邏輯互連 / 局部互連]
    B --> D2[MEMS 壓電金屬導線]

製程微縮下鎢逐步讓位給鉬；鉬以更低薄膜電阻與較少阻障層需求切入先進互連與 MEMS。

技術原理

• 為何 W → Mo：在 scaled dimensions 下，鎢需要相對厚的阻障層（如 TiN），使有效導體截面縮小、電阻上升；鉬可在更薄膜厚下維持較低電阻，且阻障層需求較低，有利於微縮節點的局部互連與導通孔填充。
• 沉積方式：鉬金屬可用 ALD / PVD / CVD 沉積。ALD 能在 3D 崎嶇結構保形包覆，適合先進製程底層；PVD 用於金屬層鍍膜。詳見 技術_薄膜沉積。
• 前驅物與腐蝕：金屬鉬 ALD 常面臨氯系前驅物腐蝕問題，設備需具原位清洗（in-situ clean）能力對抗氯氣腐蝕（6937_天虹（市） HB ALD 第四代腔體即訴求此點）。

關鍵參數 / 判斷指標

技術瓶頸 / 風險

• 鉬 ALD 前驅物（氯系）腐蝕與純度控制
• 與既有鎢製程整合、良率驗證
• 屬早期導入，放量為長線敘事（非短期波段）

應用場景

• 先進邏輯製程互連 / 局部互連 / 導通孔填充（3nm 以下）
• MEMS 壓電元件金屬導線

關鍵廠商

相關技術

• 技術_薄膜沉積（ALD/PVD/CVD 母頁）
• 技術_GAA、技術_BSPDN（先進製程結構，互連材料演進相關）

來源

• 活動_天虹_小場_20260521，2026-05-21（鉬取代鎢、MEMS 壓電金屬導線、HB ALD 鉬沉積）

相關頁面

• 技術_CFET
• 技術_FEOL_MOL_BEOL