定義
濺鍍靶材（sputtering target）是 PVD 濺鍍製程中的薄膜來源材料。濺鍍機台維持真空環境後，以氬離子轟擊靶材，使靶材表面的原子或分子被擊出並沉積到矽晶圓、玻璃或其他基板上形成薄膜。靶材可由金屬或陶瓷加工而成，是導電層、阻障層與封裝金屬佈線的關鍵材料。
圖解
圖說：濺鍍製程以氬離子轟擊靶材，靶材原子被打出後在基板上沉積成薄膜。
技術原理
濺鍍靶材依化學組成可分三類：
| 類型 | 代表材料 | 用途 |
|---|---|---|
| 金屬靶材 | Al、Ti、Cu、Ta | 半導體導電層、阻障層、金屬佈線 |
| 合金靶材 | Ni-Cr、Ni-Co 等 | 特定薄膜電性或可靠度需求 |
| 陶瓷化合物靶材 | Oxides、silicides、carbides、sulfides | 顯示、太陽能與其他電子薄膜應用 |
在晶圓製造中，靶材主要用於導電層、阻障層與金屬柵；在晶片封裝中，靶材用於 bump 下金屬層、佈線層與其他金屬材料。
關鍵參數 / 判斷指標
| 指標 | 意義 | 觀察重點 |
|---|---|---|
| 晶圓尺寸 / 節點 | 決定主流金屬材料 | 8 吋以下以 Al / Ti 為主；12 吋先進銅互連以 Cu / Ta 為主 |
| 純度 | 直接影響薄膜缺陷與電性 | 半導體靶材常要求 4N / 5N 高純度 |
| 尺寸與均勻性 | 影響薄膜厚度與製程穩定 | 高精度尺寸與高均勻性要求 |
| 客戶認證週期 | 進入量產供應鏈的時間成本 | 新供應商通常需 2-3 年才達量產出貨 |
靶材在晶圓製造與封裝材料成本中占比不高，SEMI 統計約占半導體材料市場 3%；但靶材品質會直接影響導電層與阻障層的均勻性與性能，進一步影響晶片傳輸速度與穩定性。
技術瓶頸 / 風險
- 研發與製造門檻高：靶材製造對 R&D、材料純化、成形與加工精度要求高。
- 客戶認證長：客戶驗證條件多且週期長，通常需 2-3 年才可能達到量產出貨。
- 原料供給受制於上游：高純度金屬原料供應商議價能力強，部分地區廠商長期依賴海外進口高純度金屬。
- 日美廠商主導：高純度濺鍍靶材產業玩家有限，長期由日本與美國廠商壟斷。
JX Advanced Metals 市場地位（2026-07-06）
來源：memo_JX金屬_AI材料成長動能_20260706
- 全球市占率 65%，全球第一；下一個最大競爭者 Materion 市占約 20%
- 靶材市場規模 2025 年 YoY +17%，2026F YoY +19%（AI 伺服器驅動）
- 驅動力：HBM（高頻寬記憶體）靶材需求最強勁，其次為高階邏輯晶片（CoWoS、先進封裝）
- HBM 靶材耗材性（每次更換整塊）帶來持續性需求，與設備不同
- 競爭壁壘高：靶材需 4N-5N 高純度金屬、精密成型加工、嚴苛客戶認證（2-3 年），難以快速取代
關鍵廠商
| 環節 | 廠商 | 角色 |
|---|---|---|
| 高純度濺鍍靶材 | 5016.JP(jx_advanced_metals) | 全球市占 65%，絕對龍頭；Cu/Al/Ti/Ta 靶材全系列 |
| 高純度濺鍍靶材 | Materion | 全球第二，市占約 20% |
| 高純度濺鍍靶材 | Heraeus | 德國材料供應商 |
| 高純度濺鍍靶材 | Plansee | 歐洲主要靶材供應商 |
| 高純度濺鍍靶材 | ULVAC | 日本真空與濺鍍相關供應商 |
應用場景
- 半導體晶圓導電層與金屬柵
- 銅互連與 Ta 阻障層
- 封裝 bump 下金屬層與金屬佈線層
- 顯示、太陽能、資訊儲存與電子元件薄膜
相關技術
供應鏈
- 半導體材料供應鏈
相關公司
- 5016.JP(jx_advanced_metals) — 全球市占 65%，濺鍍靶材絕對龍頭
來源
- memo_JX金屬_AI材料成長動能_20260706，Kevin（使用者），2026-07-06；JX 市占 65%、2025 市場 YoY +17%、2026F +19%、HBM 靶材需求最強
- 260521_nmr_semi-renaissance，野村《Greater China Semi: A Guide to Semi Renaissance in 2026-30F》，2026-05-21