定義
Starlink V3 是 SpaceX 新一代 LEO 衛星，由 Starship 發射，2026-09-28 第 14 次試飛首度在軌道佈署 26 顆；Starlink Mobile V2 則是手機直連（D2C）衛星的下一代平台，V3 開發的技術會支撐 Mobile 由 V1 升到 V2。本頁聚焦 V3／Mobile V2 相對 V2 的星上 RF 前端元件（PA／LNA）數量與材料組合（SiGe／GaAs／GaN）變化，這是穩懋等化合物半導體代工廠的價值量來源。內容為 UBS 依產業查訪與管理層討論自建的推估，SpaceX 並未公開每顆衛星的 PA／LNA 實際顆數（estimate）。
圖解
圖說：V2（2023 年 2 月發射，下行容量 96 GBPS）與 V3（目標 2026 年發射，下行容量 1,024 GBPS）衛星示意圖，V3 太陽能板明顯較長。來源：SpaceX，經 報告_UBS_穩懋3105_20261002 引用。
圖說：Starlink V3 與 V2/V2 Mini 天線系統表：V3 Ku 相位陣列 5 片×2,048 元件、gateway 4 片×1,024 元件，合計 PA 14,336／LNA 18,432；V2 Ku 5 片×512、gateway 3 片×256，合計 PA 3,328／LNA 4,096。來源：UBS 估計（UBS，2026-10-02）。
V3 vs V2 規格
| 項目 |
Starlink V3 |
Starlink V2 |
| 軌道高度 |
350 km |
550 km |
| 單星下行／上行容量 |
1,000 Gbps（1 Tbps）／160 Gbps |
96 Gbps／7-8 Gbps |
| 下行／上行 beam 數 |
2,048／2,048 |
192／144 |
| RF 回傳（backhaul）容量 |
1.2 Tbps |
140 Gbps |
| 頻段 |
Ka、Ku、V、E、W、D（潛在） |
Ka、Ku、V、E |
| 雷射星間鏈路 |
6 × 400 Gbps |
3 × 200 Gbps |
| 太陽能板發電 |
2 倍 |
基準 |
| 衛星質量 |
約 2,000 kg |
約 800 kg |
| 發射載具 |
Starship（預期單次最多約 60 顆） |
Falcon 9（單次約 20-27 顆） |
- 單次發射新增網路容量：Starship 約 60 Tbps，對比 Falcon 9 載 V2 Mini 約 2-3 Tbps，約 20 倍（UBS 估計）。
- V3 高度由 550 km 降到約 350 km，目標把終端延遲由 40-50 ms 降到 20 ms 以下，代價是大氣阻力增加、需更大推進系統，造成質量增至 2,000 kg 以上、必須改用 Starship。
- 頻段：Ku、Ka 維持用戶連線；回傳端擴大使用 E、V 並新增 W band（約 75-110 GHz），D band（約 110-170 GHz，FCC 申請延伸至 275 GHz）為未來超高容量回傳預留。V3 有 4 組 quad-band RF 回傳天線。
RF 含量推算（UBS）
| 天線系統 |
用途 |
V3 片數×元件 |
V3 PA／LNA |
V2 片數×元件 |
V2 PA／LNA |
| Ku 相位陣列 |
地面用戶終端 |
5 × 2,048 |
10,240／10,240 |
5 × 512 |
2,560／2,560 |
| Ka/E/V/W gateway 陣列 |
地面大型 gateway |
4 × 1,024 |
4,096／8,192 |
3 × 256 |
768／1,536 |
| 每顆合計 |
|
|
14,336／18,432 |
|
3,328／4,096 |
- 推算假設：每個輻射元件對應一個 RF 通道，需 1 顆 PA 發射、1-2 顆 LNA 接收；V3 Ku 面板假設 32×64 高密度矩陣（V2 為 16×32），gateway 面板由 16×16 升到 32×32。
- 每顆 V3 PA＋LNA 合計約 33,000 顆，對比 V2 Mini 約 7,500 顆，RF 半導體用量約 4-5 倍。
- Mobile V2（D2C）：UBS 估約有 3,000-4,000 個獨立中低頻蜂巢 RF 元件、頻段 1.6-2.7 GHz，PA＋LNA 合計約 15,000 顆，V1 約 2,600 顆。
- 驅動因素：下行容量約 10 倍、上行容量約 22 倍、beam 數 10-14 倍、新增 E/V/W 回傳 payload、Mobile V2 全面部署 D2C。
材料組合：SiGe → GaAs / GaN
| 材料 |
V2 用途 |
V2 顆數 |
V3 用途 |
V3 顆數 |
V3／V2 |
| SiGe |
Ku LNA 與部分回傳 LNA |
3,328 |
回傳 LNA |
4,096 |
1.2x |
| GaAs |
Ku/Ka/E/V PA 與部分 LNA |
4,096 |
Ku PA/LNA、回傳 LNA |
24,576 |
6x |
| GaN |
有限 |
— |
E/V/W PA |
4,096 |
n.a. |
| GaAs＋GaN |
|
4,096 |
|
28,672 |
7x |
- 材料占比：V2 約 SiGe 45%／GaAs 55%；V3 約 GaAs 75%／SiGe 13%／GaN 12%，化合物半導體合計由約 55% 升至約 87%，每顆衛星化合物半導體用量約 6-7 倍，高於整體 RF 顆數的 4-5 倍。
- GaN 取代 W/V/E/Ka 高頻 PA：UBS 估 GaN 功率密度為 GaAs 的約 4-8 倍，且大氣損耗較低、散熱較佳；Ku 用戶端 PA 仍沿用 GaAs。回傳 LNA 仍以 SiGe 為主（雜訊與整合度、成本優勢），高頻、效能關鍵位置才轉 GaAs。
- 每顆 V3 初期約消耗相當於 4 片 4 吋 GaN 晶圓（UBS 估計）；GaN 晶圓 ASP 約 US$8,000-10,000，對比一般 GaAs 晶圓約 US$2,000-3,000；GaN 製程毛利率比成熟 GaAs 製程高 10-20 ppt。
- 若後續世代採 D band，GaN 優勢更大（UBS）。
價值量與出貨假設（UBS 基本情境）
| 項目 |
2027E |
2028E |
2029E |
2030E |
| V3 元件出貨（顆衛星） |
3,000 |
4,500 |
5,200 |
6,000 |
| 每顆 V3 的 4 吋 GaN 晶圓數 |
4.00 |
4.00 |
4.15 |
4.30 |
| 4 吋 GaN 晶圓 ASP（US$） |
9,000 |
8,700 |
8,500 |
8,300 |
| 良率 |
80% |
82% |
85% |
87% |
- UBS 認為 V3 元件生產 2026 年已開始，晶圓需求 2027-28 隨部署放量；基本情境假設 SpaceX 初期目標發射至多 30,000 顆 V3，FCC 已受理 SpaceX 申請 100,000 顆 V3（更大計畫至 100 萬顆）。
- 對穩懋的營收映射（LEO 營收 2026E 約占總營收 10%、2027E 約 25%、2028E 約 30%）見 3105_穩懋（櫃）。
風險與注意事項
- 所有 PA／LNA 顆數與材料占比皆為賣方依查訪與公開規格推估，SpaceX 未揭露，誤差可能很大。
- 發射節奏受 Starship 成功率與量產佈署影響；2026-09-28 試飛實際佈署 26 顆，距單次約 60 顆滿載仍有距離（見 供應鏈_低軌衛星）。
- 衛星客戶集中、規格會變動；GaN 擴產需穩懋等代工廠先行投資（4 吋→6 吋、潔淨室）。
相關個股
來源
相關頁面