報告_元大_TPCA2026高階材料與CCL漲價_20261021

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原始內容

元大投顧

TPCA 2026

高階材料升級路徑漸明，中低階CCL漲價延續

何宗祐

bill0066@yuanta.com

王懷綺

Becky.HQ.Wang@yuanta.com

元大觀點

• ⧫ M9高階CCL預期2027年放量，M10以碳氫樹脂搭配Q-Glass方案 漸趨明確，帶動高性能樹脂、玻纖布及低粗糙度銅箔同步升級。
• ⧫ 玻布與高階銅箔供應仍偏緊，產能轉向高階產品亦影響傳統材料供給， 中低階CCL漲價趨勢可望延續至1H27，原料掌握能力為關鍵。
• ⧫ AI及光通訊推動PCB朝高層數、HDI與精細線路升級，提升製程難度 及產值，正向看待PCB產業之高階產品布局。

AI算力與高速傳輸規格升級，推動高階PCB及載板需求成長

2026年TPCA 展聚焦AI算力、高速傳輸及先進封裝技術升級。隨NVIDIA GPU、美系CSP AI ASIC持續升級，以及交換器由800G邁向1.6T/3.2T， 高階 PCB 朝高層數（HLC）、高密度互連（HDI）及低損耗方向發展，AI 伺服器主板層數已朝 30～40 層以上演進，HLC 搭配 HDI 複合製程應用亦持 續增加。此外，AI 晶片尺寸及封裝面積擴大，帶動 ABF 載板朝大尺寸、高 層數與低翹曲方向升級，推升PCB製程難度及單位產值。

M9/M10高階CCL加速導入，部分上游材料仍維持緊俏

本中心認為，展覽焦點除規格升級外，亦指出上游材料供應瓶頸。隨 AI 伺 服器、高速交換器及先進封裝需求成長，Q/LDK Glass、HVLP3/4銅箔、高 性能樹脂及 ABF 等關鍵材料規格持續升級，皆可見 CCL 廠商積極開發新一 代產品，以滿足高速低損耗及高密度互連需求。欣興董事長簡山傑指出， 2027 年部分關鍵材料缺口可能達 20%～40%，設備交期最長達 30 個月。此 外，E-Glass 亦受產能排擠影響，帶動低階 CCL 價格持續上漲。整體而言， 產業競爭重點已由訂單取得逐漸轉向原料掌握與供應鏈管理能力。

PCB廠商皆有AI產品發展

CCL 規格由 M7/M8 逐步升級至 M9/M10，台光電已於 3Q26 小量量產 M9 材料，預期 2027 年隨新世代 ASIC 放量；M10 則規劃 1Q27 進入 NPI，高 階材料需求能見度可望延伸至 2030 年。隨 PCB 層數增加及傳輸速率提升， 低損耗、低 CTE 與加工良率要求同步提高，並帶動玻纖布、銅箔及樹脂耗 用量增加，進一步壓縮有效產能。雖 PTFE、Q-Glass 及無玻纖布方案受到 市場關注，惟成本與製程良率仍為量產關鍵。本中心認為，高階材料升級、 原料供應緊俏及產品組合優化，將持續推動 PCB 產業價值提升，維持對台 光電、華通、臻鼎等業者之正向看法。

TPCA展聚焦CCL規格提升，上游材料也一併升規

此次展覽以「Energy-Efficient AI：From Computing to Systems and Applications」為主題，聚焦 AI算力需求成長、高速傳輸及先進封裝技術升級下對PCB產業之助益。隨NVIDIA GPU及美系 CSP AI ASIC持續升級，加上800G向1.6T/3.2T交換器演進，高階PCB朝高層數（HLC）、高 密度互連（HDI）及低傳輸損耗等方向發展， AI伺服器主板層數已朝30～40層以上演進，且HLC 搭配 HDI 之複合製程應用增加。此外，AI 晶片尺寸及封裝面積持續擴大，帶動 ABF 載板朝大尺寸、 高層數及低翹曲方向升級，顯示 AI 算力成長除推升 PCB 需求量外，亦持續提高產品製程難度及單 位產值。

本中心認為本屆展覽焦點除單純探討 CCL 規格升級，亦進一步轉向上游關鍵材料供應瓶頸。受惠 AI 伺服器、高速交換器及先進封裝需求成長，玻纖布、銅箔、CCL 及 ABF 等材料規格持續提升， 其中低介電、低熱膨脹係數玻纖布（Q/LDK Glass）、低粗糙度銅箔（HVLP3/4）及高性能樹脂等 材料，皆可見 CCL 廠商積極開發新一代產品，以滿足高速低損耗及高密度互連需求。又欣興董事 長簡山傑也於展會指出，2027 年部分關鍵材料供需缺口可能達 20%，部分設備交期更長達 30 個 月，反映產業擴產瓶頸已由下游 PCB 製造逐步延伸至上游原材料及設備。玻纖布方面，傳統 EGlass亦受供需吃緊及上游產能配置調整影響，帶動CCL材料價格上漲。

CCL 規格方面，2026 年市場主流高階材料已由 M7、M8 進一步朝 M9、M10 演進。台光電董事長 董定宇於展會表示，公司已率先量產M9 CCL，預期2027年將隨客戶新平台導入而明顯放量， M10 則預計 2026 年底至 2027 年初推出，並已開始布局下一世代 M11 材料；高階 CCL 需求能見 度可望延伸至2030年。隨AI ASIC、高速交換器及一般伺服器平台升級，PCB除使用更低損耗之 CCL 材料外，層數增加亦帶動單片 PCB 所需玻纖布、樹脂及銅箔用量提升，且更高階材料加工良 率與產出效率相對受限，使高階 CCL 有效產能受到進一步壓縮。另一方面，市場近期關注 PTFE 及石英玻纖布（Q-Glass）等下一世代低損耗材料之應用潛力，惟考量成本、加工難度與大規模量 產相容性，短期內傳統樹脂搭配高階玻纖布及低粗糙度銅箔之 CCL 架構仍為主要升級方向，材料 技術與供應鏈競爭將成為高階 CCL 廠商維持產品溢價的重要關鍵。綜合上述，本中心維持台光電、 欣興、華通、臻鼎等正向看法

CCL規格持續升級，低階CCL漲價有望延續

台光電

台光電展示高階HDI、低損耗CCL及載板材料技術。隨AI ASIC及1.6T交換器升級，M8產品 EM-892K2 於 2H26 放量，2027 年需求可望進一步增溫；M9 產品 EM-896 系列已於 3Q26 小量量 產，預期 1H27 隨新世代 ASIC 擴大出貨；M10 產品 EM-898K4 採 Q-Glass 方案，Df 降至 0.0004， 預計 1Q27 進入 NPI。材料發展除追求低損耗外，更重視低 CTE、翹曲控制及 HDI 加工良率，並 透過 Hybrid 混壓結合高速與載板材料，兼顧成本、電性及可靠度。載板材料方面，公司以自主配 方布局光模組及 CSP 封裝應用，EM-S572T 採 T-Glass，具超低 CTE 約 0.8ppm/°C 及 40GPa 高 模數，預計4Q26量產；各新廠亦配置Class 100載板等級產線，強化高階材料供應能力。原料方 面，銅箔及玻纖布供應有限，公司優先配置予 M8 以上產品。同時台光電也規劃未來 2～3 年翻倍， 新增產能以 M8 以上為主。本中心正向看待高階 CCL 升級、載板材料滲透及產能擴張帶動 2027 年 營運成長。

圖1：台光電EM-898K4 (M10) 與EM-896K3(M9)，Df值提升50%

資料來源：公司展場資料、元大投顧整理

圖2：台光電各規格產品

資料來源：公司展場資料、元大投顧整理

聯茂

本次 TPCA 交流顯示，中低階 CCL 漲價趨勢延續。聯茂指出，玻纖布供給仍偏緊，預期漲價趨勢 將延續至1H27。公司3Q26 CCL產品漲幅已逾15%，目前玻纖布及銅箔成本漲幅均可即時反映於 產品報價，後續亦將隨原料成本持續調價。

高階材料方面，本次展出的 M10 產品 IT-Q10GSE4 已提出碳氫樹脂搭配第二代 Q 布及 HVLP4／5 銅箔的具體方案，10GHz下Df達0.0004，對應3.2T Ethernet及448Gbps等次世代高速傳輸需求， 目前已送樣AI GPU與ASIC客戶並持續進行配方調整及認證。公司表示後續M11研發亦延續碳氫 樹脂系統，雖具備PTFE配方，仍判斷AI多層板長期主流將以碳氫樹脂為主。

就聯茂本身而言，目前產品結構仍以中低階為主， 2H26受惠低階CCL漲價程度相對較大。惟原 料取得仍為營運關鍵，目前集團產能利用率約 75%，主要受 E-glass、LDK2 及 LDK1 玻纖布供給 不足限制，高速及 Low-CTE 材料需求仍強；中國供應商自 2026 年 9 月起雖略增供貨，仍不足以 支應滿載生產。展望2027年，成長動能包括一般型伺服器平台升級、M9 AI GPU材料及低軌衛星 地面設備。PCIe Gen6升級受IC測試產能不足影響而遞延，公司預期美系客戶相關需求自2027 年初啟動。M9等級IT-999GSE2／GSE3持續送樣美系AI GPU加速器板，以及低軌衛星地面收發 站材料，均目標 1H27 放量。擴產集中於無錫及泰國，2026／2027／2028／2029 年底總月產能預 計分別達570／630／825／915萬張，後續仍須觀察原料供應改善及高階產品放量進度。

圖3：聯茂M10材料採碳氫樹脂搭配Q布

資料來源：公司展場資料、元大投顧整理

圖4：聯茂Low-CTE材料布局光通訊應用

資料來源：公司展場資料、元大投顧整理

帶動銅箔往HVLP4/5、玻纖布往LDK/Q glass，樹脂升級HC

金居

金居本次 TPCA 聚焦高階銅箔低粗糙度化、表面處理技術及產能規劃。PF51N（HVLP4+）與 PF511（HVLP5）分別對應 M8 及 M9／M10 材料，表面粗糙度 Rz 約 0.5μm 及 0.45μm，支援高 速互連規格升級。公司持續優化 coating 均勻性、抗氧化及附著力，並可依 PTFE 或其他基材調整 表面處理，產品布局涵蓋不同材料路徑。

產品進度方面，RG313+（ARTF4）已通過認證，預計2026年底開始供應PCIe Gen6相關平台； PF51N 已通過 GPU 及 ASIC 平台材料認證，公司預期較大量需求落在 2H27。PF511 則規劃 2026 年底送樣，正常認證流程約需1.5～2年，短中期放量主軸仍為HVLP4+。

產能方面，公司已於 8M26 退出低階 HTE 及傳統 RTF 產品，透過既有廠設備更新與良率改善，目 標將 HVLP3＋4 有效月產出由約 220 噸提升至 250 噸。雲林三廠預計 2026 年底完成設備安裝， 2027 年進入調機、認證及爬坡，目標年底總設計產能達 25,000 噸／年；海外 2028～2029 年擴產 初期亦以HVLP4+為主，實際出貨量仍取決於建置進度、產品組合及良率。

圖5：金居產能規劃

資料來源：公司展場資料、元大投顧整理

PCB板廠往HDI，高多層升級，聚焦光模塊/衛星/伺服器應用

臻鼎

臻鼎（4958）於2026年TPCA Show展示AI伺服器、高階HDI、高速光通訊、低軌衛星及 Physical AI等PCB產品。AI主板方面，展出30層HDI、24層N+M及34層厚板HDI，採 M8/M8U 低損耗材料，板厚 3～5mm 以上，最高電鍍深寬比達 42:1，展現高階製程能力。光通訊 方面，展示 800G、1.6T、XPO 及 NPO 模組板，800G 採 10～12 層、1.6T 及 XPO 採 12～16 層， NPO 達 14～18 層，板厚 1.0～1.2mm，並導入 mSAP、埋孔與 Cavity 製程，最細線寬線距達 25/30μm。其他應用包括14層低軌衛星PCB、12層mSAP摺疊手機板，以及AI PC、ADAS、機 器人與 AI 眼鏡等。整體而言，臻鼎產品布局已由傳統 PCB 延伸至 AI 高速運算、光電整合與 Physical AI，本中心正向看待高階HDI、SLP及光模組產品升級帶動後續營運成長。

圖6：臻鼎產品

擴產規劃

提升營運效益之策略 提升營運效益之策略

• 2025下半年至2028年將投入人民幣80億元·在淮 安園區擴充高階PCB產能·
• 规劃至2026年底·淮安園區iHDI與HLC產能將較現 在翻倍成長·
• 泰國一廠於5/8試產·目前量產爬坡遮展顺利·预 期2Q26達到滿產
• 目前泰國二廠、三廠、五廠、機械鑽孔中心四座廠 房同步建置·滿足客戶不断上升的高階AI產品需求
• 投入新台幣80億元購置IC藏板生產設黄·建置全流 程之最先进封装用FCBGA量產場域·
• 投入新台幣20億元購置iHDI+HLC PCB生產設備·
• 軟板產線已開始量產·並貢獻營收·

資料來源：公司資料、元大投顧整理

華通

華通（2313）於2026年TPCA Show展示AI伺服器、高階HLC/HDI、低軌衛星及高速光通訊 PCB。AI 運算板方面，展出 M8 等級 42 層（8+26+8）HDI 主板，以及 M7 等級 24 層（5+14+5） 設計；高階 HLC 目前最高可達 52 層，2027/2028 年預計提升至 56/60 層，板厚由 6mm 增加至 8mm。HDI 目前 9+N+9，2028 年 10+N+10，線寬線距縮小至 40/40μm。光通訊方面，展示 400G、 800G及1.6T光收發模組PCB，其中800G採12層AnyLayer、1.6T採14層AnyLayer HDI設計， 並展出800G LPO/LRO及6.4T NPO Optical Engine，採高密度mSAP製程，反映光模組朝高頻 寬、精細線路及高密度整合發展。衛星方面，展出M7等級低軌衛星地面接收端Tx/Rx板。

• 各廠區分階段導入智慧工廠與數位轉型 提升警还效率·確保單位人均產值有效提 升·推一步提升整體擅利率與競爭力· ☑各廠區分階段導入智慧工廠與數位轉型 提升警还效率·確保單位人均產值有效提 升·进一步提升整體擅利率與舷爭力·
• 目前已通逼多家客戶認逼·尚有多家伺服 器與光通訊全球领先客戶正積極進行認證 中·泰國一廠以高階iHDI·HLC·及光通訊 模組產品為主·量產後有助於優化產品組 合·提升毛利率。
• 规劃生產超高階產品(30L~80L)
• 高雄AI園區之高階ABF截板與iHDI+HLC產能 陸續裝機試車·將於年底進入試產·1Q26 进入小量產·

圖片清單（已驗證 2026-10-26）

注：報告圖1–6 與擷取檔編號不對應（臻鼎圖6 為文字卡未抽出）；以上以實檔所見為準。