定義
EAM（Electro-Absorption Modulator，電吸收調變器）利用量子侷限史塔克效應（QCSE）：對量子井結構施加反向偏壓時，材料吸收邊緣紅移、對特定波長的吸收率劇變，藉「吸收/透過」直接開關光強度。與 MZM（干涉式）相比，EAM 不需要毫米級干涉臂，元件僅 50–100µm，驅動電壓低（~2V 級），是尺寸與整合性取向的調變路線。
圖解
圖說：EAM 縱剖面。CW 光沿量子井核心前進，上下電極加反向偏壓；偏壓小時光穿過（高光強＝1），偏壓大時量子井吸收邊緣紅移、光被吸收（低光強＝0）。元件長度僅約 50–100µm。自繪剖面，結構依本頁 QCSE 描述。
兩大材料路線
| 路線 | 結構 | 定位 |
|---|---|---|
| InP EAM（EML 整合） | EAM 與 DFB 雷射單片整合 = EML（Electro-absorption Modulated Laser） | 800G/1.6T 可插拔光模組主力光源；產業最成熟的 EAM 形態（見 技術_InP磷化銦） |
| GeSi EAM（矽光整合） | Ge/GeSi 量子井直接做在矽光 PIC 上 | in-die / 封裝內光學 I/O 路線：體積小、無諧振熱敏問題、可貼近高發熱 compute die；Marvell/Celestial AI（Photonic Fabric / OMIB）為代表 |
優缺點
優點 - 尺寸小（50–100µm）、驅動電壓低、易與雷射（EML）或矽光 PIC 單片/異質整合。 - 無 MRM 的諧振熱調諧需求——不需逐元件 micro-heater 閉環控制。
缺點 / 風險 - 溫度與波長依賴：吸收邊緣隨溫度漂移，工作溫度窗口臨界（穎崴表標「需 TEC」）；波長容差窄，多波長 WDM 佈署比 MRM 麻煩。 - PAM4 線性度中等（吸收曲線非線性），chirp 高於 MZM。 - SiGe EAM 與 MZM 的取捨（聯電簡報，2026-08-31）：SiGe EAM 約 50µm、驅動約 1–3V、fJ/bit 級能效，但光頻寬窄（需波長匹配）、chirp 高、距離增加有代價，適合短距資料中心、AI tensor core 與板載光收發；MZM 為毫米級、驅動電壓高、寬頻、chirp 較低，用於長距電信、相干與高功率應用（產業_SEMICON2026矽光子論壇_UMC簡報_20260831）。 - 量產性爭議（ECTC 2026）：SemiAnalysis 質疑 EAM 規模化量產能力；若 EAM 難以放量，Marvell/Celestial 的 in-die 光學時程風險上升、MRM 陣營相對受益（分析_ECTC2026先進封裝五大戰線_260706 戰線④，記錄為爭點）。
應用場景
- EML：DR/FR 中短距 800G/1.6T 可插拔模組的絕對主力（與矽光方案的 BOM 對比見 分析_xPO全景與BOM拆分_申万宏源_20260630）。
- 封裝內光學 I/O：Marvell OMIB（ECTC 2026：局部內嵌 PIC、1.8Tbps/mm²）、Celestial AI Photonic Fabric 均押 EAM。
- 448G 世代：GeSi/InP EAM 異質整合與 TFLN 並列為突破矽 MZM 頻寬牆的兩條路。
關鍵廠商
| 廠商 | 角色 |
|---|---|
| Marvell / Celestial AI | GeSi EAM in-die 光學路線代表（OMIB / Photonic Fabric） |
| Lumentum、Coherent | EML（InP EAM+DFB）主力供應商，NVIDIA 投資對象 |
| 3081_聯亞光電（櫃） | EML 磊晶上游（台股映射） |
| imec / OpenLight | GeSi EAM 研發（>110GHz demo）/ InP-on-Si 平台（agy 方向性） |
相關技術
來源
- 報告_SemiAnalysis_ECTC2026先進封裝_20260702（Marvell OMIB EAM 路線、EAM vs MRM 量產性爭點）
- 產業_SEMICON2026矽光子論壇_UMC簡報_20260831（SiGe EAM vs MZM 比較表）
- 活動_穎崴_CPO論壇簡報_20260514（三方對決表：尺寸/熱穩定/線性）
- agy web 搜尋 2026-07-22（QCSE 原理、GeSi/InP 路線彙整，方向性，未逐項驗證）