PDF 原檔：報告_元大_光通訊產業_20260921_original.pdf
圖片清單（已驗證 2026-09-29）
| 檔名 | size | 分類 | 親眼所見內容 |
|---|---|---|---|
報告_元大_光通訊產業_20260921_001.png |
43KB | 真資料圖 | 光收發模組 OE 架構方塊圖：ASIC-DSP-Driver/TIA（Electronic IC）與 Modulator/Photo Detector-Coupler（Photonic IC）再接 FAU，標示 OE Engine／Transceiver 分區 |
報告_元大_光通訊產業_20260921_002.png |
68KB | 真資料圖 | 全球光收發模組廠商市占圓餅圖：中際旭創、Coherent、新易盛(Eoptolink)、思科(Cisco/Acacia)、光迅科技、Lumentum、Broadcom、Others |
報告_元大_光通訊產業_20260921_005.png |
41KB | 真資料圖 | 傳輸距離與光學規格對照圖：SR(100m)/DR(500m)/FR(2km) 藍色區塊、LR(10km)/ER(40km) 橘色區塊、ZR(80-120km) 灰色區塊，對應 850nm VCSEL／1310nm DML-EML-SiP／1310-1550nm EML／1550nm IQ MZM，並標示 IMDD 與 Coherent Detection 分野 |
其餘 003、004 均 <40KB，依規則預設非必要逐張 Read 之候選（003、004 為圖 5 CPO/NPO 架構圖組成部分，內容已由正文表格 6 涵蓋）。
原始內容
元大投顧
光通訊產業
光模組數量及規格均提升，光晶片、PCB、DSP及石英元件受惠
報告內文個股資訊
| 產業 | 公司 | 代碼 | 評等 | 目標價 |
|---|---|---|---|---|
| 光通訊 | 全新 | 2455 TT | 買進 | 430.0 |
| 光通訊 | 環宇 | 4991 TT | 買進 | 600.0 |
| 光通訊 | 聯亞 | 3081 TT | 買進 | 3200.0 |
| 石英元件 | 晶技 | 3042 TT | 買進 | 230.0 |
| PCB | 臻鼎 | 4958 TT | 買進 | 680.0 |
| PCB | 欣興 | 3037 TT | 買進 | 1010.0 |
| PCB | 華通 | 2313 TT | 買進 | 256.0 |
| 晶圓代工 | 聯電 | 2303 TT | 買進 | 125.0 |
| IC設計 | 達發 | 6526 TT | 買進 | 750.0 |
陳玫芬 合格證券投資分析人員 &
CFP
Lisa.mf.chen@yuanta.com
葉建伸
jasperyeh@yuanta.com
元大觀點
- ⧫ 光收發模組400G以上估2026年增80%至1億個，2027年增43%至 1.45億個；2027-2029年規格以800G為主流；PIC及EIC持續升級。
- ⧫ NPO/CPO於2026/2027/2028年估為40/320/2,200萬個，低於光收發 模組數量；需搭配插拔式的ELSFP；NPO數量三年內領先CPO。
⧫ 光收發模組產業以光晶片、PCB、DSP (如達發)供需最為緊俏，石英元 件具機會，NPO/CPO為未來動能，看好晶技、達發、環宇、聯亞。
光收發模組的規格及數量提升，OE包含EIC與PIC
AI 資料中心需求使光收發模組大幅增長，插拔式光收發模組具維修便利優勢， 發展多年但仍非標準品；400G 以上光收發模組估計 2026 年增 80%至 1 億 個，2027 年增 43%至 1.45 億個；2026 年以 400G 為主流，但 2027-2029 年規格以 800G 為主流，2026/2027/2028 年的 1.6T 占比為 15%/38%/42%， 升級至 1.6T 會採更高階內部零件。內部架構以 DSP 為主晶片，其與 TIA 及 Driver組成EIC；PIC則包含PD、LD、調變器；OE (光引擎)包含EIC與 PIC，所有零件在傳輸速率提升下持續升級。
NPO及CPO亦需要插拔式ELSFP，2027年估計為320萬個
NPO/CPO 於 2026/2027/2028 年估計為 40 萬/320 萬/2,200 萬個，年增幅高 但數量遠低於光收發模組數量；且其亦需搭配插拔式的模組即ELSFP (外接 雷射光源模組)。市場已有 Nvidia 及 Broadcom 發表 CPO 交換機，將交換機 內的 ASIC 與 OE 共同封裝，縮短交換機內 PCB 上銅線傳遞距離並且降低功 耗至 1/3；惟 NPO 數量估計將於三年內領先 CPO，主因 NPO 將 OE 放在 ASIC旁的 PCB上，兩者各自獨立使封裝良率提升且具備可維修性。
看好光晶片及石英元件、PCB，看好晶技、達發、環宇、聯亞
光通訊傳輸速率 400G 於 7 公尺內可採銅纜，但 800G 則距離降至 2 公尺， 光纖使用增加。此外，在光晶片部份2公里的傳輸距離可採用CW Laser， 但2公里以上採EML Laser，聯亞、全新、環宇都受惠。PCB於800G以 上需採 mSAP 製程使技術門檻提升，臻鼎、欣興、華通均切入；石英元件 由 400G 至 800G 速率的頻點由 156MHz 升至 312MHz，合格供應商含晶技 的家數僅個位數；PIC 的研發台廠有聯電、瑞昱涉入。光收發模組產業以光 晶片、PCB、DSP (如達發)最供需緊俏，石英元件具機會，NPO/CPO為未 來新的成長動能，整體最看好晶技、達發、環宇、聯亞。
光收發模組為光通訊市場主流且持續增長
光收發模組2027年400G以上達1.46億個且主流為800G；NPO/CPO 320萬個
根據 Yole 數據，光收發模組於 1G、10G、25G、40G、50G、100G、200G 等歸類為 400G 以下 且市場穩定；然而 AI 資料中心需求使 400G 以上光收發模組大幅增長，400G 以上光收發模組估計 2026 年增 80%至 1 億個，2027 年增 43%至 1.45 億個；2027-2029 年規格以 800G 為主流，升級 至 1.6T 採更高階內部零件。NPO/CPO 於 2026/2027/2028 年估計為 40 萬/320 萬/2,200 萬個，大 幅年增但數量遠低於光收發模組數量。
圖1：光收發模組(Optical Transceiver)市場預估數量
| (K, Units) | 2025 | 2026 | 2027 | 2028 | 2029 |
|---|---|---|---|---|---|
| Total | 110,798 | 155,679 | 196,758 | 209,500 | 215,665 |
| 3.2TbE (XPO 25.6T) | 38 | ||||
| 3.2TbE (OSFP-XD) | 124 | 8,000 | 19,700 | ||
| 6.4T CPX (200G/lane) | 1,125 | 2,925 | |||
| 1.6TbE (XPO 12.8T) | 1,219 | 2,250 | 4,388 | ||
| 1.6TbE (OSFP) | 668 | 15,000 | 55,250 | 67,500 | 70,200 |
| 800 Gb | 23,233 | 70,000 | 75,000 | 69,731 | 62,000 |
| 400 Gb | 32,938 | 17,114 | 14,243 | 11,842 | 8,927 |
| 400G以下數量 | 53,958 | 53,565 | 50,922 | 49,052 | 47,488 |
| (K, Units) | 2025 | 2026 | 2027 | 2028 | 2029 |
| Total | 110,798 | 155,679 | 196,758 | 209,500 | 215,665 |
| 400G以下數量 | 53,958 | 53,565 | 50,922 | 49,052 | 47,488 |
| 400G以上數量 | 56,839 | 102,114 | 145,836 | 160,448 | 168,178 |
| 400G以上 YoY | 87.5% | 79.7% | 42.8% | 10.0% | 4.8% |
資料來源：Yole、元大投顧整理
圖2：CPO/NPO市場預估量，NPO自2026-2029年均較CPO數量多
| (K, Units) | 2026 | 2027 | 2028 | 2029 |
|---|---|---|---|---|
| NPO 3.2T Equiv OEs | 399 | 1,797 | 14,772 | 41,933 |
| CPO 3.2T Equiv OEs | 12 | 1,408 | 7,508 | 21,545 |
| Total 3.2T Equivalent Optical | 411 | 3,205 | 22,280 | 63,478 |
| Engines - CPO + NPO | ||||
| Total YoY | 680% | 595% | 185% |
資料來源：SemiAnalysis，元大投顧整理
插拔式光收發模組為光通訊市場主流，OE由EIC與PIC組成
插拔式光收發模組具維修便利優勢，發展多年但仍非標準品；內部架構主要DSP (Digital Signal Processor)主晶片為高速訊號進行調變、錯誤修正與均衡等功能，占整體功耗50% (400G-8W， 800G-18W)；由 Broadcom 及 Marvell 寡占市場，達發為後起之秀；DSP 與 TIA 及 Driver 組成 EIC；PIC (Photonic Integrated Circuit)包含PD、 LD、調變器；FAU (Fiber Array Unit)於光收發模 組的應用亦需要對位製程。矽光等級PIC以成熟的半導體 CMOS 微影製程，元件與元件之間的距 離從'毫米'縮短到'微米'降低功耗。
圖3：光收發模組中的OE含EIC與PIC ；FAU亦需要對位製程
資料來源：市場資料，元大投顧整理
全球光收發模組市場廠商寡占，生產基地在亞洲且均有擴廠動作
全球光收發模組為寡占市場，龍頭為中際旭創、Coherent、新易盛等，生產基地以亞洲為主；均有 擴充產能之動作，且產能供不應求。
圖4：全球光收發模組市場廠商寡占
資料來源：市場資料，元大投顧整理
Transceiver
傳統插拔式模組維修便利；NPO/CPO將OE與ASIC距離拉近
傳統光模組為主流；NPO/CPO縮短ASIC與OE距離且降低功耗但仍需ELSFP
插拔式光收發模組為市場主流；然而，市場已有Nvidia及Broadcom發表CPO (Co-Packaged Optics，共同封裝光學)交換機，將交換機內的ASIC與OE (光引擎)共同封裝，縮短交換機內PCB 上銅線傳遞距離；惟NPO (Near-Packaged Optics，近封裝光學)數量估計將於三年內領先CPO。 插拔式光收發模組、NPO 與 CPO 三種不同光電整合架構：插拔式模組維護便利、技術成熟；NPO 將光引擎移至 ASIC 晶片周邊 PCB 上降低功耗；CPO 則將光引擎與 ASIC 共同封裝同一載板。 NPO及CPO仍需ELSFP (外接雷射光源模組；External Laser Small Form-Factor Pluggable)。 CPO/NPO 架構的光對光以及光對電的精密對位具技術門檻；包含晶圓/晶片級的光電主動對位、光 纖與晶片的耦合對位(Fiber-to-Chip Coupling)，以及ELSFP的盲插對位等均具高階技術商機。
圖 5：CPO 現行方案將的 OE 置於交換機內與 ASIC 共同封裝；NPO 將光引擎移至 ASIC 晶片周 邊PCB上
資料來源：市場資料，元大投顧整理
圖6：CPO為將ASIC與OE共同封裝；NPO將OE與ASIC置於相同PCB；目的為縮短距離
| 比較項目 | 傳統插拔式光收發模組 (Pluggable) | 近封裝光學 (NPO，Near- Packaged Optics) | 共同封裝光學 (CPO，Co- Packaged Optics) |
|---|---|---|---|
| 光電整合程度 | 分離設計，光模組獨立 | 光引擎置於ASIC旁 | 光引擎與ASIC共用載板封裝 |
| 電訊號傳輸距離 | 約 15 至 30 公分 | 約 5 至 7 公分 | 毫米級 (超短距離) |
| 能源效率 / 功耗 | 較高能耗 (約 12-15 pJ/bit) | 較插拔式降低約 50% | 最省電 (低於 5 pJ/bit) |
| 散熱與維護性 | 維護與更換極為容易， 散熱簡單，最成熟 | 維護性高於CPO， 散熱比插拔難但可控 | 損壞時難以單獨更換，散熱與維 護挑戰極大 |
| 適用與成熟度 | 現今主流，廣泛應用於 400G/800G | 介於成熟與前瞻之間的替代或過 渡選項 | 未來 AI 算力極限的新一代商轉 技術 |
資料來源：市場資料、元大投顧整理
LPO亦為插拔式模組，省略DSP降低功耗但僅適用100公尺以下
LPO與LRO為降低DSP功耗之產品；LPO (Linear-drive Pluggable Optics)雙向DSP均移除，較 傳統光收發模紅節省2/3功耗但僅適用100公尺以下，且需搭配不同的交換機(Switch)，NV & Meta部份採用但非市場主流。FRO (Fully Retimed Optics)：模組兩端有 DSP；LRO (Linear Receive Optics)：發射端有 DSP 確保射出信號品質，接收端用低功耗TIA。
圖7：光收發模組具雙向DSP，LPO移除DSP可省功耗且低延遲
| 技術特性 | FRO（傳統光收發模組） | LRO（線性接收光學） | LPO（線性驅動可插拔光學） |
|---|---|---|---|
| DSP 配置 | 雙向配置（Tx 與 Rx 皆有 DSP） | 半配置（僅 Tx 有 DSP，Rx 無） | 完全移除（雙向皆無 DSP） |
| 功耗表現 | 最高（1.6T 模組約 25W- 30W） | 中等（1.6T 可壓至 20W 以下） | 最低（比 FRO 節省約 50% 功 耗） |
| 延遲時間 | 最高（因 DSP 數位運算處理） | 中等（接收端無 DSP 延遲） | 最低（純類比傳輸，近乎零延 遲） |
| 互通與相容性 | 極高，隨插即用，支援任何交 換機 | 高，Tx 端有 DSP 保障，相容性 佳 | 低，極度依賴主機端交換晶片 |
| 傳輸距離限制 | 2 km ~ 10 km（視規格，長距 首選） | 500 m ~ 2 km（中短距平衡方 案） | < 50 m ~ 100 m（僅限機櫃內或 相鄰機櫃） |
資料來源：市場資料、元大投顧整理
光收發模組於不同距離採不同的光晶片，光纖成長率高於銅纜
銅纜的使用於傳輸速率400G可用於7公尺之下，800G距離則僅2公尺
AI 資料中心的機櫃內及機櫃間大量使用銅纜，傳輸介質包含 DAC、ACC、AEC，銅纜的使用於傳 輸速率 400G 可用於 7 公尺之下，800G 距離則僅 2 公尺，主要為機櫃內及機櫃間傳輸；隨著 800G以上比重增加，部份銅纜被光纖取代。
圖8：400G傳輸速率則銅纜於7公尺以下適用，800G速率則銅纜僅適用2公尺以下
| 比較項目 | DAC | ACC | AEC | AOC | 光收發模組 +光纖跳接線 |
|---|---|---|---|---|---|
| 傳輸介質 | 銅纜 | 銅纜 | 銅纜 | 光纖 | 光纖 |
| 傳輸距離 (400G) | 極短（ 1 ~ 7 公 尺） | 短（約 3 ~ 5 公 尺） | 中短（ 3 ~ 7 公 尺） | 中長（ 5 ~ 100 公尺以上） | 遠距（數公尺至數十公 里） |
| 傳輸距離 (800G) | 不適用 X | 不適用 X | 2公尺以下 | 100公尺以下 | 遠距（數公尺至數十公 里） |
| 耗電量 | 極低（被動式 ≈ 0 W） | 低 | 中 | 中高（兩端需供 電轉換） | 最高（模組發熱量較大） |
| 訊號抗干擾 | 易受電磁干擾 (EMI) | 易受電磁干擾 | 易受電磁干擾 | 抗電磁干擾 | 抗電磁干擾 |
| 擴充與維護 | 不可拆卸，固定 長度 | 不可拆卸，固定 長度 | 不可拆卸，固定 長度 | 不可拆卸，損壞 需整條更換 | 極佳；模組與線材可獨立 更換/重複使用 |
| 成本 | 最便宜 | 低 | 中 | 中 | 最高；需考量佈線基礎建 設成本 |
資料來源：市場資料、元大投顧整理
光收發模組於不同距離採不同的光晶片，中長距離多採長波長的磷化銦(InP)方案
光通訊的發射端，100 公尺以下 SR 短距離以 100G 的傳輸速率可採 VCSEL 的 850 波長解決方案； 2公里以下可採EML Laser及CW Laser；2公里以上則以EML Laser為主。
圖9：短距離可採VCSEL及CW Laser，2公里以上長距離需採EML Laser
資料來源：MIC；元大投顧整理
光晶片製程的磊晶段與晶圓製造段於愈長波長的製程愈複雜
光晶片前段製程為磊晶及多次重覆磊晶，中段的晶圓製造包含光柵、切割、鍍膜；VCSEL 採 GaAs材料且製程較單純；CW Laser的重覆磊晶次數低於EML Laser，主因EML Laser將調變功 能於磊晶時已置入，CW Laser需另外搭配調變器。
圖10：光晶片前段製程為磊晶及多次重覆磊晶；中段的晶圓製造包含光柵、切割、鍍膜
| 比較項目 | VCSEL (垂直共振腔面射型) | CW Laser (連續波雷射) | EML Laser (電吸收調變雷射) | Tunable Narrow- Linewidth Laser (可調諧窄線寬連續波) |
|---|---|---|---|---|
| 主要材料與波長 | GaAs 基板為主 (短波長850nm) | InP 基板為主 (1310/1550nm波長) | InP 基板為主 (1310/1550nm波長) | 矽基(Si)或 InP 混合集成 (C/L 傳輸波段) |
| 磊晶製程 (Epitaxy) | 厚層磊晶 精準長出 DBR 反射鏡 | 標準重覆磊晶 長出主動層與光柵結 構共15-35層 | 多次重覆磊晶 (Regrowth) 在同片晶圓長出發光與調 變相異能隙共20-40層 | 超複雜多段式重覆磊晶 需整合增益、相位、光柵 等多個區域 |
| 光柵與波導製作 | 無需水平光柵 依靠上下 DBR 形成共 振腔 | 需透過光微影與蝕刻 製作內部分佈布拉格 光柵 (DFB) | 同時製作 DFB 光柵 與微米級電吸收調變器 (EAM) 結構 | 需精密蝕刻微環共振腔、 多段取樣光柵 (SG-DBR) 或外腔 |
| 晶圓切割與測試 | 晶圓級測試(On-Wafer) 不需解理切割即可在晶 圓表面測試 | 需解理(Cleaving) 切割成條狀/條片後， 才可進行端面測試 | 需 解 理(Cleaving) 端面精度要求極高，才能 降低反射損耗 | 極精密解理與光學耦合 內部多段解理或需與外部 共振腔精準對齊 |
| 端面鍍膜 (Coating) | 無需端面鍍膜 (出光面在表面) | 兩端面需鍍抗反射膜 (AR) 與高反射膜 (HR) | 兩端面需鍍超低反射膜 (AR) 避免光反射回雷射區影響 調變 | 需進行極致的超低反射鍍 膜以維持線寬的窄度與波 長穩定度 |
| 技術製造難度 | 低 製程高度標準化，良率 最高。 | 中 技術成熟，難點在於 應用於 CPO 時的次 微米對準。 | 高 多次磊晶介面控制極難， 製程長且良率較低。 | 極高 對溫度、相位雜訊、微米 級光學對準要求極嚴苛。 |
資料來源：市場資料、元大投顧整理
調變器有MZM及MRM二種架構，矽及InP材料為主流，TFLN適用800G以上
調變器(Modulator)主流架構為MZM及MRM：材料包含Silicon (矽)、InP (磷化銦)及TFLN (薄膜 鈮酸鋰)。資料傳輸速率向 800G、1.6T、3.2T 邁進，或採CPO架構，則TFLN優先被使用。主要 廠商為國際大廠：MZM - Lumentum、Coherent、Broadcom；MRM - Intel、New Photonics、 Celestial AI。
圖11：調變器有二種主流架構MZM及MRM
| 比較項目 | 馬赫-詹德調變器 (MZM) | 微環調變器 (MRM) |
|---|---|---|
| 相同點 | 皆可用於光通訊中將電訊號轉換為光訊號（高速資料編碼），且能與矽光子或薄膜鈮酸鋰等平台整合。 | 皆可用於光通訊中將電訊號轉換為光訊號（高速資料編碼），且能與矽光子或薄膜鈮酸鋰等平台整合。 |
| 光學原理 | 利用干涉原理，藉由相位差控制光的相長或相消干 涉來調變強度。 | 利用共振原理，在特定共振波長下將光耦合進/出 環形波導來改變強度。 |
| 尺寸大小 | 尺寸較大(公釐級 mm)。 | 尺寸極小(微米級 µm)，利於高密度陣列整合。 |
| 溫度敏感度 | 低，環境溫度變化不易影響工作點。 | 高，需額外設計加熱器(Heater)進行熱調諧與穩定 控制。 |
資料來源：市場資料、元大投顧整理
相關供應鏈具機會
光收發模組的零件以光晶片、DSP及PCB供需最緊俏，石英元件具機會
光收發模組具多項內部零件，目前市場以光晶片、DSP 及 PCB 供需最緊俏；DSP 主要由 Broadcom 及 Marvell 寡占，且製程由 7/5 奈米朝 3 奈米邁進，台灣的 IC 設計公司達發亦有個位數 比重為DSP且2026/2027年均有數倍成長率；光收發模組於800G (單通道100G以上)大量導入 mSAP製程的PCB，主因受限於PCB厚度與高頻阻抗精確度要求且線寛線距需小至25-30 µm， HDI線寛線距在35-40 µm已不敷使用。石英元件在光收發模組中的核心角色包含時脈基準(Clock Reference)、抖動容忍度(Jitter Tolerance)，且需滿足高頻率、低功耗、耐高溫穩定度以及極小體 積，台廠晶技的國際競爭者主要為NDK (日)及Sitime。
圖12：光收發模組之零組件持續朝更高階邁進；供應鏈包含台灣及國外廠商
| 產品 | 國內投入廠商 | 國外投入廠商 |
|---|---|---|
| DSP | 達發、TSMC | Broadcom、Marvell、Credo |
| 石英/MEMS振盪器 | 晶技、泰藝 | Epson、NDK、SiTime |
| PCB | 欣興、臻鼎、華通 | 勝宏、景旺、深南、鵬鼎、滬士電 |
| PCBA及其他 | 大眾控、台表科、同欣 電、詮欣、崴寶 | - |
| Driver | - | Broadcom、Smetech、TI |
| TIA | 達發、同欣電 | Marvell、Semtech、Macom 、ADI、Coherent 、Renesas |
| PIC/Optical PHY | 聯電、瑞昱 | HyperLight |
| FAU | 上詮、波若威 | Corning、Coherent、Fujikura、Sumitomo、Orbray |
| 散熱 | 奇鋐、毅嘉、一詮 | TE、Molex、Amphenol |
| Transceiver | 源傑、威世波、連訊 | 中際旭創、新易盛、Acacia(Cisco)、光迅、Lumentum、 Coherent、Sumitomo、AAOI、Fujikura 、Jabil、TE、Molex、Amphenol、鴻騰 |
資料來源：市場資料、元大投顧整理
光晶片供應鏈的基板、磊晶、晶圓製造均因AI而需求大增
磷化銦(InP)基板以 AXT 及 Sumitomo 為領導廠商，市占各約 4 成，二家廠商均表示倍數擴增產能， 其他家廠商如JX、Freiberger亦積極提升產能中。磊晶廠及晶圓製造廠均有擴廠動作。
圖13：光晶片供應鏈包含InP及GaAs基板廠、磊晶廠商、晶圓製造及封裝
| 產品 | 產品項目/製程技術 | 國內投入廠商 | 國外投入廠商 |
|---|---|---|---|
| InP, GaAs基板 | 基板 | - | AXT、Sumitomo、JX、Freiberger |
| 上游 - 磊晶 | MOCVD and MBE | 全新光電、聯亞 | IQE、IET-KY (英特磊) |
| 中游 - 晶粒 | VCSEL、InP光元件 | 穩懋 | 環宇-KY (GCS)、Furukawa、Mitsubishi、 Broadcom、Lumentum、Coherent、Sumitomo |
| 下游 - 封裝測試 | TOSA、ROSA、BOSA | 聯鈞、華星光、矽格、 訊芯、長科、環旭 | YSOD、眾達-KY 等 |
資料來源：市場資料、元大投顧整理
推薦個股匯總
圖14：光通訊產業推薦類股彙整
| 所屬產業 | 公司名稱 | 代碼 | 市值 | EPS (NT$) | EPS (NT$) | EPS YoY | EPS YoY | 重點推薦理由 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 所屬產業 | 公司名稱 | 代碼 | (百萬元) | 2026 | 2027 | 2026 | 2027 | 重點推薦理由 |
| 光通訊 | 全新 | 2455 TT | 3,263 | 5.6 | 8.6 | 87.3 % | 54.1 % | ⚫ 全新在三五族磊晶具領導地位，近年光通訊市場需求快速增 加，光傳輸元件需求持續增長至2027-2028年仍不墜。 ⚫ 光電子新訂單及新客戶持續增加，新購置MOCVD設備由五 台上修至七台(新增加二台)，2025-2027 年光電子占營收比重 分別為24%/35%/51% (2027成長率由83%上修至91%)。 |
| 光通訊 | 聯亞 | 3081 TT | 9,236 | 19.3 | 47.1 | 315.6 % | 144.5% | ⚫ 聯亞1.6T CW Laser應用已開始出貨，並佈局EML Laser、 NPO/CPO之插拔式模組產品，產品組合持續優化。 ⚫ 新產能建置使2027年底產能提升150%，MOCVD及奈米壓 印量產順利，2025-2027 AI矽光應用占比62%/85%/90%，營 運動能強勁。 |
| 光通訊 | 環宇 | 4991 TT | 1,811 | 5.60 | 15.10 | 3,549.9% | 169.6% | ⚫ 環宇在100G PD應用於800G (100G*8)的光收發模組市占率 約70%，訂單能見度已至1Q27；CW Laser 70mW已通過多 位客戶認證，目前美國廠小量交貨，未來量能持續放大。 ⚫ 預估2026/2027年營收年增48%/55%，成長動能來自AOC 受惠於整體市場需求，以及CW Laser對營運貢獻。 |
| 石英元件 | 晶技 | 3042 TT | 1,981 | 6.4 | 8.1 | 21.3 % | 26.1% | ⚫ 晶技為全球石英元件領導廠商，毛利率多年維持30%以上， 財務穩健且採高配息政策，以高頻及小型化切入高階產品。 ⚫ 成長動能來自AI及車用，估計AI應用2026/2027年增 61%/60%，2027 年 AI 占比提升至 22%，手機應用占比則降 至20%。 |
| PCB | 臻鼎 | 4958 TT | 16,536 | 11.1 | 27.3 | 69.1% | 146.9 % | ⚫ 3Q26載板、AI伺服器等高毛利產品出貨持續提升，AI手機及 折疊機亦受惠設計複雜度增加，帶動單機PCB價值量成長。 ⚫ 臻鼎新增產能將於2026－2030年間分階段開出，預估 2026/2027 年伺服器、光模組及 IC 載板合計營收占比將達 23%/37%，相關營收年增119%/121%。 |
| PCB | 欣興 | 3037 TT | 52,705 | 24.6 | 36.4 | 461.8% | 47.7 % | ⚫ 欣興上修 2026 年資本支出上修57%至537億元，主要聚焦 光復二廠與楊梅廠擴建，包含泰國新廠高階 PC/Server/HDI 產能，以及EMIB/T先進封裝量產。 ⚫ 欣興AI ASIC載板市占率高達70%，加上T-glass供給仍緊 俏，預期高階 ABF 價格有望持續上揚；公司亦切入 HDI、光 收發模組等業務，有望挹注2026/27年營運動能。 |
| PCB | 華通 | 2313 TT | 8,623 | 6.8 | 14.2 | 45.0% | 109.1% | ⚫ 新一代V3衛星規格升級帶動PCB用量、製程難度及單顆衛 星產值增加，估計2026/2027年衛星業務占比為21%/24%。 ⚫ 光模組方面，隨傳輸速率提高，對於PCB則需要更細線路、 低損耗材料，展望 2026/2027 年，隨 800G／1.6T 需求放量 及mSAP產能開出，估光模組營收占比由8%升至18%。 |
| 晶圓代工 | 聯電 | 2303 TT | 61,734 | 8.2 | 7.8 | 145.7% | -4.7% | ⚫ 董事會已通過至2028年總計約50億美元的可運用資金，用 於擴建新加坡廠 P4 無塵室以提供 PIC 產能、台南 P7、P8 新 建廠房，預期2H28~2029年量產。 ⚫ PIC業務主要提供TFLN調變器給400G/Lane的需求，且以 12 吋生產良率優於同業的 8 吋，目前已交付首批產品，預期 |
| IC設計 | 達發 | 6526 TT | 3,633 | 24.4 | 30.1 | 41.1% | 23.0% | 2027年可較顯著貢獻營收。 ⚫ 達發2H26 100G SerDes DSP直接搭配TIA出貨，公司樂觀 看待光通訊業務的貢獻，預估 2027 年營收規模成長 3 倍，比 重將從0~5%提升至5~10%。 ⚫ 有線網通產品需求強勁，10GPON滲透率持續提升，加上光 |
| 所屬產業 公司名稱 | 市值 (百萬元) | EPS (NT$) - 2026 | EPS (NT$) - 2027 | EPS YoY - 2026 | EPS YoY - 2027 | 重點推薦理由 |
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| 通訊、乙太網、LEO 等具成長潛力的應用，預估 2026 年有線 網通事業營收將年增25~30%，為主要營收成長來源。 |
資料來源：元大投顧