原始紀錄
天虹 5/21 小場 - 主要做PVD/ALD鍍膜設備, 估算今年revenue成長 yoy 大概20%, 毛利有機會回到接近24年水準（44%），目前都還沒有比較量產的產品，機台從2018算起到26Q1只出貨154台 - 目前在開發新的ALD設備, 不同前驅物的設備不一樣, 原本的設備都是國外大廠（ASM/應材）, 要做新的機台打進新的製程會比較有機會, ALD的總體成長可以用先進封裝的成長估算, 目前比較像早期佈局等未來放量, 但應該是長線敘事不是波段會發酵的東西- 有跟台積合作一款EUV inspection，是做膜的穿透率的量測，目的是延後High-NA EUV導入，台積現在量測AOI設備多很多 - 毛利率的高低並不是看單一產品線（如 PVD 或 ALD），而是取決於客戶、應用領域以及競爭者的狀況 - 感覺有在計劃一些新的併購案 公司本身普普, 但有講到幾個有趣的東西：- 頎邦有在做玻璃FOPLP（上禮拜打電話約訪, 叫我過兩週再打） - 鉬會逐漸取代傳統的鎢，主要是因為當製程微縮至 3 奈米以下，傳統鎢金屬已經無法滿足製程需求，鉬金屬也被新導入至微機電(MEMS)，主要被拿來作為壓電材料的金屬導線。（華鉬感覺要看, 月營收也有起來） - 覺得創新服務的銅柱方案不太可行 - 智慧眼鏡要關注, 各大廠最近都發展的蠻快, 天虹的客戶是蘋果 - 第三代半導體即使電力等架構改變促使需求上升, 鍍膜設備都還在消化期今年並未看到明顯回溫 - 今年成長動能明確來自於光通訊、先進封裝以及Micro LED (AR/VR), 光通訊雖然客戶多, 但設備的總體需求量相對晶圓不高，因為單片晶圓產出高（InP晶圓通常只有 3 吋或 4 吋，但一片晶圓上就能產出幾萬顆的雷射晶粒），每個月的晶圓總產出量通常只需要幾百片就能滿足終端需求，與一般邏輯 IC 晶圓動輒每個月五、六萬片晶圓不同- 設備零組件的成長優於預期, 因為所有廠商的整體稼動率都在上升 以下是詳細 memo： PVD（物理氣相沉積設備）： PLP PVD：已成功出貨並應用於客戶的面板級封裝正背面鍍膜，並獲得二號機訂單，目前正在洽談三號機。 此設備可支援前段、後段及化合物半導體客戶，常用於沉積金屬層（如鈦、銅、鉬等），應用於 TSV/TGV、金屬導電層或 UBM。
ALD（原子層沉積設備）： Lumina (UV ALD)：全球首創結合 UV 光的 ALD 設備，可執行 UV treatment、UV ALD 及 UV CVD。利用特定波長的 UV 光打開化學鍵結，適合前段及後段封裝（特別是需要處理底層膠 undercut 結構的 3D 堆疊）。 HB ALD：針對金屬 ALD 開發的第四代混合功能腔體。鉬金屬在 3奈米以下先進製程逐漸取代傳統的「鎢」，天虹接受客戶委託開發此設備，具備原位清洗功能以對抗氯氣腐蝕。 PLP ALD：已收到客戶委託，預計於明年農曆年後交機，主要應用於面板級封裝。
Etch（蝕刻設備）： RA (Silicon Etch)：針對矽蝕刻開發的新腔體，支援電漿切割及 TSV 應用。 ABF 蝕刻：針對 ABF 載板材料開發新配方，可解決傳統乾蝕刻造成的表面坑洞問題，使其表面更加細緻。
*Bonding/De-bonding（鍵合與解鍵合設備）： 因應先進封裝載板材質改變，傳統的雷射或 UV 解鍵合將失效。天虹正在開發 Mechanical Debonding設備來應對此市場變化。
EUV 量測設備 (EUV Transmission Tool)： 二代機已完成並進入客戶端認證（包含量產單位與 RD 單位）。此設備主要用於量測 EUV 光罩（Pellicle）的穿透率與變化，自動化程度與表現均優於一代機。能協助客戶延長標準 EUV 設備的使用壽命，延後採購昂貴 High-NA EUV 的時間。
主要技術與應用市場
Micro LED 與 AR/VR 智慧眼鏡 (Smart Glasses)： 天虹與蘋果合作，將 ALD 技術應用於玻璃的光波導微結構與保護層鍍膜（Meta 用 SiC） 天虹的 ALD 鍍膜能有效降低眼鏡的運行電壓，提升電池續航力
光通訊： InP晶片極易碎裂，過去多靠人工搬運。天虹提供自動化 PVD 等設備。 目前天虹已累積 14 家光通訊客戶，設備涵蓋從最底層的磊晶 (Epi)、保護層到後段的 CPO (共同封裝光學元件) 減薄製程。
QA 問題整理 Q1：相較於市面上有人提出用「銅柱直填」的方式做玻璃基板 (TGV)，天虹的 PVD 技術優勢為何？ 客戶的 TGV 在一片 12吋晶圓上動輒有上百萬個微小孔洞。如果使用單一孔洞直填或化學針筒注入的方式，生產良率與可靠度將面臨極大挑戰。目前業界量產的主流且最具可靠度的作法，仍是PVD 進行整面均勻鍍膜後，再進行電鍍。 Q2：ALD 設備的市場滲透率與 CVD 的比較？未來是否會取代 CVD？ ALD 和 CVD 應用場景完全不同，不會互相取代。CVD 鍍膜速度極快，成本低，適合大面積平鋪；而 ALD 鍍膜速度極慢（CVD 一分鐘鍍 100 單位，ALD 可能只有 1-2 單位），造價極高。但 ALD 能夠極度完美地包覆 3D 崎嶇結構。因此在 3奈米、2奈米等先進製程的底層地基，ALD 的需求會爆發性成長，而上層結構仍會依賴 CVD Q3：PLP 客戶目前的量產進度與後續拉貨動能？ 目前 PLP 客戶多處於小量試產階段，一旦良率與製程確認通過，進入建廠量產階段時，需求會是「複數多台」的爆發性採購（例如一座 4萬片產能的廠，可能需要 8 台 PVD 設備）。目前已感受到客戶非常急迫，原本排定 8 月的時程已被強烈要求提前到 6 月完成。 Q4：公司未來的產能與無塵室空間是否足夠應付爆發的訂單？ 目前三樓啟用後產能增加了 1.5 倍樓地板空間。為了應對未來的空間需求，公司已經在竹北買下一整棟建築，目前規劃給零組件使用，但也預留了改建為無塵室的彈性。較簡單的組裝工作也考慮移至中國大陸廠區進行，以釋放台灣的高階生產空間。目前有在看新廠但還未確定購地 Q5：今年度營收與毛利率展望，以及「零組件」業務的成長性？ 今年預計是一路向上，全年營收超越去年，且毛利率樂觀。特別是零組件與技術服務業務成長非常強勁（預計成長 20%）。因為客戶端成熟製程與先進製程產線的稼動率皆高達 90%-100%，消耗品需求大增 Q6：關於車用電子與第三代半導體 (SiC/GaN) 的市況？ 過去兩年客戶擴張太快，目前 SiC 等第三代半導體多處於產能過剩的消化期，今年並未看到明顯回溫。 Q7：關於 ALD 設備在 Micro LED 與智慧眼鏡 (Smart Glasses) 上的應用效果？ 降低智慧眼鏡的運行電壓，降低整體耗電量並提升電池續航力。 Q8：關於金屬鉬沉積技術的開發動機？ 半導體先進製程中，金屬鉬逐漸開始取代傳統的鎢成為關鍵材料，。天虹正在開發第四代的 ALD 腔體來執行鉬金屬的沉積 Q9：面板級封裝 (PLP) 客戶目前的量產進度與設備採購規模為何？ 客戶目前多處於小量試產階段，但一旦順利進入建廠量產，就會有多台的設備需求。 Q10：EUV 量測設備要解決什麼？ EUV 設備的光罩在頻繁使用後，穿透率會發生變異並影響良率。天虹的量測設備能協助客戶延長標準 EUV 設備的使用壽命，將 High-NA EUV 設備導入時程往後延。 Q11 : 新開發的 UV ALD 腔體有何特殊用途？ 能做到邊照光、邊鍍膜，利用特定波長的 UV 光打開化學鍵結，不需完全依賴高溫加熱。適合應用於 3D 堆疊封裝中具有底層膠的結構，能確保光線進入底層使膠體產生化學反應與改質。 Q12：為何要特別開發 Mechanical De-bonding 設備？ 先進封裝的載板正在發生材料變革，TSMC 開始將暫時載板從透光的玻璃改為不透光的材質。因為不透光，傳統倚賴雷射或 UV 照光的解鍵合技術將失效，必須仰賴新開發的機械解鍵合技術來對應。