PDF 原檔：報告_福邦_功率半導體漲價循環_20260624_original.pdf
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| 檔名 | size | 分類 | 親眼所見內容 |
|---|---|---|---|
報告_福邦_功率半導體漲價循環_20260624_002.png |
436KB | 真資料圖 | 圖2 AI 資料中心供電架構三階段演進，三欄示意：傳統（<200kW，PSU/BBU 內建 IT rack）｜HVDC immediate（±400V/800V）｜SST 直流微電網（future scalable） |
報告_福邦_功率半導體漲價循環_20260624_003.png |
131KB | 真資料圖 | 圖3 AI 伺服器 800V/±400V 供電路徑：電網 400/480V AC→3Φ PSU→±400/800V DC→Hot-swap→HV IBC(50V)→MV IBC(12V/6V)→POL(~1V)→AI Processor，BBU 並聯 |
報告_福邦_功率半導體漲價循環_20260624_004.png |
92KB | 真資料圖 | 圖4 供電架構示意：輸入電源分兩路（線性穩壓器→PMIC｜電容→MOSFET→電感→晶片），PMIC 發 PWM 控制信號控制 MOSFET 開關 |
報告_福邦_功率半導體漲價循環_20260624_005.png |
55KB | 文字卡 | RECTIFICATION／Diode 整流概念卡（電流單向導通、反向阻斷示意），非數據圖 |
報告_福邦_功率半導體漲價循環_20260624_006.png |
70KB | 文字卡 | AMPLIFICATION／Transistor 放大概念卡（訊號放大波形示意），非數據圖 |
報告_福邦_功率半導體漲價循環_20260624_007.png |
91KB | 文字卡 | SWITCHING／MOSFET 開關概念卡（導通／截斷電壓波形示意），非數據圖 |
報告_福邦_功率半導體漲價循環_20260624_008.png |
283KB | 真資料圖 | 圖6 AI 伺服器機櫃內部電源配送與功率元件佈署架構：ToR switch×1、PSU×24、compute tray×10、GPU board superchip（2GPU+1CPU）×36、48V Bus converter、Power delivery board×18、Smart NIC×108、BBU×24，保護元件×300+ |
報告_福邦_功率半導體漲價循環_20260624_009.png |
135KB | 真資料圖 | 圖7/8/9 三圓餅：全球功率半導體市佔（Infineon 13.5%／TI 8.5%／ONsemi 6.8%／STM 5.7%／ADI 3.9%／Qualcomm 3.5%／Renesas 3.1%／others 55%）、終端應用（汽車30%／工業與AI 27%／消費22%／再生能源11%…）、產品別（MOSFET 43%／IGBT 30%／二極體 21%／BJT／晶閘體） |
報告_福邦_功率半導體漲價循環_20260624_010.png |
96KB | 真資料圖 | 圖10/11 揚杰科技：區域營收占比（中國大陸 74.5%／國外 23.1%／其他業務）＋產品營收占比（半導體功率元件 87.8%／半導體晶片 7.5%／矽晶圓 2.3%） |
_001（36KB）<40KB 未列（裝飾／頁眉）。
原始內容
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AI 助攻及中美角力 -功率半導體廠迎向漲價循環
福邦投顧 研究部 2026/06
- ⚫ 隨著下一代 AI 晶片功耗大幅飆升，傳統低壓架構面臨極端熱耗損瓶頸，迫使資料 中心全面加速導入高壓直流與微電網供電架構。多段式降壓路徑不僅大幅推升系 統對保護電路的依賴，更迫使電源廠加速採用第三代半導體，以及帶動電源管理 晶片與主被動元件用量呈倍數增長。
- ⚫ 在 AI 與車用電子強勁需求拉動下，由國際 IDM 大廠主導的功率半導體市場出現嚴 重產能排擠。國際巨頭將產能向高壓模組傾斜，導致中低壓標準元件面臨供給真 空，疊加製造成本攀升，一線大廠已陸續啟動雙位數的全面漲價循環，確立賣方 主導的強勢格局。
- ⚫ 在全球產能極度緊俏之際，地緣政治衝突更加速了供應鏈去中化進程。安世半導 體與揚杰科技接連因歐美出口禁令與制裁面臨外銷受阻，徹底確立了終端客戶尋 求非中系替代供應商的急迫性。台灣功率半導體業者因核心產品線與其高度重疊 ，且具備自有晶圓廠與封測產能的彈性調配優勢，正迎來承接歐美車用與工控轉 單的契機。
- ⚫ 台廠挾帶自有產能的調配彈性，將受惠於 AI 強勁需求排擠產能所引發的全面漲價 。疊加歐美市場以安世半導體為首的去中化轉單效應持續發酵，台廠順勢承接龐 大的外溢訂單，將帶動台廠稼動率與獲利能力持續好轉。
- ⚫ 相關個股：強茂 (2481) 、台半 (5425) 、德微 (3675) 、朋程 (8255) 、茂矽 (2342) 、漢磊 (3707) 、大中 (6435) 、尼克森 (3317) 、杰力 (5299) 、富鼎 (8261) 、茂達 (6138) 、力智 (6719)
【僅供內部教育訓練使用，嚴禁外流】
4
| 一 | AI 晶片功耗驅動供電架構高壓轉型 | 4 |
|---|---|---|
| 二 | 供電架構多段降壓帶動功率半導體用量倍增 | 8 |
| 三 | 全球功率市場受惠產能排擠迎來全面漲價 | 13 |
| 四 | 地緣政治風險升高台廠有望承接轉單效應 | 17 |
| 五 | 相關個股 | 21 |
AI 晶片功耗驅動供電架構高壓轉型
從 GB300 到 Vera Rubin TDP 飆升帶動高壓直流供電轉型
- 隨著 Nvidia 下一代 Vera Rubin 問世，單顆 GPU TDP 將由目前 1400W 一舉推升至 2300W 。 在單晶片與整機櫃功耗不斷翻倍的情況下，若維持既有的供電架構，系統勢必得仰賴極高的 電流來支撐龐大的瓦數需求。
- 電流的升高將導致伺服器內部傳輸路徑上的熱耗損大幅增加，不僅削弱能源傳輸效率，更帶 來極大的銅線材體積占用與難以解決的散熱瓶頸。資料中心與 AI 伺服器勢必得加速導入高壓 直流供電架構，藉由提升機櫃內的傳輸電壓以壓低電流與減少銅線用量。
5 資料來源： Nvidia, 福邦投顧彙整
機櫃功耗攀升驅動資料中心高壓供電架構三階段演進
- 單機櫃功耗於 200kW 以內的傳統架構中， PSU 與 BBU 直接內建於 IT rack 內部，在單相交流電 進入機櫃後，在櫃內完成交流轉 48V 直流，再逐步降壓至 12V 與 0.8V 電壓供運算使用。
- 當機櫃功耗突破 200kW ，系統便進入導入 HVDC 的第二階段。將三相 480V 的 PSU 與 BBU 移至 Power sidecars ，先將電力轉換為± 400V 或 800V 的高壓直流，再傳輸至 IT rack 內降壓。
- 未來單機櫃功耗超過 MW 級別將演進為搭載 SST 的直流微電網架構。供電模式走向集中化基 礎設施， SST 直接將 10kV 至 34.5kV 電轉換為 800V - 1,500V 的高壓直流，透過 SSCB 以一對 多的方式，提供極高密度的電力與備援支援。
12 V
【僅供內部教育訓練使用，嚴禁外流】
6 資料來源： Infineon, 福邦投顧彙整
BBU
12 V
從機櫃到晶片多段降壓路徑帶動功率元件用量倍增
HV IBC
- 在第二階段的 HVDC 供電架構中，來自外部電網的 400V/480V 交流電首先進入機櫃端的三 相電源供應器，在此轉換為± 400V 或 800V 的高壓直流電。為了確保算力運作的連續性， 直流母線上同時並聯 BBU 以應對突發的電網異常。當高壓直流電流準備進入核心運算節點 前，必須先經過熱插拔保護電路，透過電子保險絲等功率元件提供快速的故障隔離與過流 保護，確保下游昂貴 AI 運算組件的絕對安全。 12 V/6 V
- 進入伺服器運算節點內部後，高壓電源必須透過高壓中間匯流轉換器 (HV IBC) 將 800V 的輸 入電壓大幅降至 48V/50V 左右的中壓直流。接著，中壓中間匯流轉換器（ MV IBC ）將 48V/50V 進一步降壓至 12V/6V 。最後透過運算晶片周邊的負載點（ POL ）轉換器將電壓精 確調節至約 1V 供 AI 處理器運行。這條多段式降壓路徑，每一處轉換與保護節點都必須搭 載大量的高頻、高耐壓功率半導體元件，大幅推升 AI 機櫃的功率元件使用量。
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7 資料來源： Infineon, 福邦投顧彙整
供電架構多段降壓帶動功率半導體用量倍增
主被動元件與電源管理晶片協同支撐極端算力供電穩定
| • PMIC 電子元件 | 供電架構中角色 | 主要用途與功能 |
|---|---|---|
| • 配電控制，如同 電路中的大腦 | 偵測電壓狀態，計算並發出精準的 PWM 訊號，協調功率開關的切換時序與 頻率，達成精準控制。 | 功率元件 PMIC |
| • 電力傳輸的開關 | 接收 PMIC 的 PWM 訊號，以極高速度執行導通與截斷，將高壓電流進行切 割轉換，承載核心電力傳輸。 | 被動元件 功率元件 |
| 雜訊濾波 / 儲能 / 能量緩衝 | 佈署於 MOSFET 前端，濾除高頻雜訊與紋波，並在開關切換瞬間提供即時電 能緩衝，穩定母線電壓。 | 電容 |
| 儲能 / 平滑電流 輸出 | 佈署於 MOSFET 後端，儲存切換能量，將高頻脈衝轉化為平滑直流電，以應 付 AI 晶片需求。 | 電感 |
9 資料來源： Yole, 福邦投顧彙整
功率元件廣泛應用於整流與信號開關控制
Current flows
功率元件
No current flows
二極體
電晶體
整流與保護：讓電流只由單一方向通過，並阻斷反向電 流。將交流電轉換為直流電。
控制與信號放大，分為 BJT / MOSFET / IGBT
閘流體
圖 5 、功率元件運作示意圖
以小電流控制大電流導通。 但僅能控制開通，無法控制關閉。
| 表 1 、電晶體分類 | 表 1 、電晶體分類 | 表 1 、電晶體分類 | 表 1 、電晶體分類 | 表 1 、電晶體分類 |
|---|---|---|---|---|
| 頻率 | 耐電壓 | 導通 電阻 | 應用 | |
| BJT | 低 | 高 | 低 | 傳統 |
| MOSFET | 高 | 較低 | 高 | 高頻 |
| IGBT | 中 | 高 | 低 | 高功率 |
x24
Top of rack switches
從電源端到運算網卡節點皆高度依賴功率半導體
x36
- PSU 、 BBU ：作為機櫃的電力來源與備援，是電力進入機櫃的第一道關卡，需要大量功率半 導體進行交直流轉換、充放電控制以及電路保護。
- Power delivery board 、 48V Bus converter ：負責接收前端電力並進行降壓轉換，是功率元件 密集佈署的配電樞紐，在當中配置大量保護元件。
- GPU board ：在高度電流負載下，每塊運算板的輸入端都依賴功率半導體來執行精準穩壓與 過流保護。 x108
- Smart NIC ：每個網卡節點都需要獨立的功率元件來提供電源保護與轉換。
Either or x24
Battery backup unit
圖 6 、 AI 伺服器機櫃內部電源配送與功率元件佈署架構
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資料來源： Infineon, 福邦投顧彙整
國際 IDM 巨頭挾垂直整合優勢主導全球功率半導體市場
- 全球功率半導體市場由英飛凌為首的國際 IDM 主導。透過 IDM 模式，國際巨頭能確保製程 的良率與產能彈性，更能滿足下游客戶對產品擁有長生命週期與極致可靠度的嚴苛要求。
- 車用市場受惠於 EV 滲透率持續攀升，以及 SDV 與汽車電子電氣架構升級。推升車載充電器 、逆變器與電池管理系統的配置，帶動功率半導體的單車內含用量與整體市場規模成長。
- 包含 AI 建設的工業應用領域主要受 AI 資料中心單機櫃使用電量的急遽攀升，傳統配電網 路面臨極大的熱耗損與傳輸瓶頸，進而帶動了從外部電網到內部機櫃在電力傳輸、交直流轉 換、以及多段式升降壓的龐大需求。不僅持續推動伺服器端功率半導體的用量上升，更迫使 電源廠加速導入更高耐壓、高頻切換的第三代半導體，帶動功率產業規格升級與產值躍進。
圖 7 、全球功率半導體市佔率
圖 9 、全球功率半導體市場分佈
圖 8 、終端應用領域
6% 4%
4% 3%
12 資料來源：慧博調研 , 華經產研 , 華鑫證券 , 福邦投顧彙整
國際 IDM 大廠主導全球功率市場 受惠 AI 產能排擠迎來全面漲價
產業全面受惠於汽車與工業電力基礎建設需求復甦帶動
| IDM 大廠 |
|---|
| NXP |
| Infineon |
| ONsemi |
| STM |
| Renesas |
| ROHM |
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資料來源：
Bloomberg, 各公司官網 , 福邦投顧彙整
國際巨頭積極擴充資料中心高壓直流解決方案
| IDM 大廠 |
|---|
| NXP |
| Infineon |
| ONsemi |
| STM |
| Renesas |
| ROHM |
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15 資料來源： Bloomberg, 各公司官網 , 福邦投顧彙整
AI 需求排擠產能疊加成本上升確立功率元件全面漲價
| 廠商 | 時間 | 漲價產品 | 漲價幅度 | 原因 |
|---|---|---|---|---|
| Infineon | 2026/4/1 | 功率開關、 IGBT 模組 | 5-15% | AI 導致供應緊張、綜合 成本上升 |
| Infineon | 2026/7/1 | 車規、高壓模組 | 10-20% | AI 導致供應緊張、綜合 成本上升 |
| ON Semi | 2026/4/1 | 功率元件、車規與電源產品 | 材料與能源成本上升、 AI DC 需求增長 | |
| STM | 2026/4/26 | 功率元件、 MCU | < 15% | 需求旺盛、 原料與物流成本攀升 |
| STM | 2026/6/28 | 功率元件、車用元件 | < 15% | 需求旺盛、 原料與物流成本攀升 |
| NXP | 2026/4/1 | 汽車電子、工控、 IIoT 產品線 | 半導體需求上升、晶圓 代工與 OSAT 成本攀升 | |
| NXP | 2026/6/1 | 半導體需求上升、晶圓 代工與 OSAT 成本攀升 | ||
| TI | 2026/7/1 | 類比元件、高階電源管理 IC | 5-15% | 原料、能源、製程成本 攀升 |
| Vishay | 2026/2/12 | MOSFET 、 IC | 原料成本攀升 | |
| 士蘭微 | 2026/3 | 10% 以上 | ||
| 晶升股份 | 2026/4/2 | SiC 相關產品線 | SiC 晶圓價格大幅反彈 |
16 資料來源：各公司官網 , Trendforce , Ftcelectronics, EE Times, 福邦投顧彙整
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地緣政治風險加速非紅供應鏈成形 台廠有望承接轉單效應
Nexperia 事件迫使歐美客戶加速尋求非中系替代
- 2025 年 9 月荷蘭政府以貨物供應法介入，臨時接管聞泰科技子公司 Nexperia ，中國隨即發佈 出口禁令，禁止 Nexperia 在中國生產與封裝的產品出口，由於 Nexperia 多數封測產能位於中 國，此舉切斷了全球供應鏈。為了維持供應鏈穩定性，歐美終端客戶積極尋找非中系替代供 應來源。
- Nexperia 在全球市場中市佔率約為 5.2% ，核心產品線主要涵蓋 Diodes 、小訊號電晶體、 ESD 保護元件以及中低壓 MOSFET ，以大量產、高度標準化的基礎功率元件與保護元件為主， 因產品毛利率與價格較高壓產品更低，並非國際大廠積極發展的領域。然而此產品線與台廠 高度重疊，隨著轉單效應逐漸發酵，將為台廠迎來新一波商機。
表 2 、 Nexperia 與台廠產品線比較
| 年營收 (M, NTD) | 產品線 | 備註 | |
|---|---|---|---|
| Nexperia | 63860 | 車用與工控為主合計 60-70% | 小訊號、標準元件為主 |
| 強茂 | 13093 | 車用 35% 、消費性 19% 、工控 13% 、 Computing 18% | 小訊號元件占比 7-8 成 |
| 台半 | 4714 | 車用 57% 、工業 15% 、消費性 22% | 以 40-60V 產品為主 |
| 德微 | 2688 | 車用 30% 、工業 40% 、消費性 30% | DIOD 子公司 |
| 朋程 | 6210 | DIODE 18% 、 LLD 21% 、 ULLD 29% 、 xEV 32% | 以燃油車應用為主 |
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18 Nexperia, Omdia, 福邦投顧預估彙整
資料來源：
揚杰科技遭歐盟制裁去中化趨勢與轉單台廠契機
- 中國功率半導體 IDM 大廠揚杰科技，因於烏俄戰爭期間向俄羅斯提供逾 200 項軍民兩用技 術，涉入無人機與彈藥之軍事應用，於 2026 年 4 月 23 日正式遭歐盟列入制裁名單。揚杰產 品線
- 揚杰科技主要銷售區域以中國大陸為主， 2025 年對歐盟銷售佔比僅約 3.6% ，銷售額約 2.5 億 人民幣，且車用占比僅約 15% ，整體轉單對台廠同業挹注相對有限。
- 但在此事件確立了功率半導體去中化趨勢，隨著中西方因地緣政治引發去中化事件頻傳，加 上功率半導體對產品穩定性與可靠性要求極其嚴苛，且任何微小元件短缺便會引發斷料風險 ，加速國際大廠尋求非中供應鏈作為合作夥伴。
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19 資料來源：揚杰科技 , 福邦投顧彙整
台廠佈局主要涵蓋車用工控領域積極切入 AI 相關應用
| ticker | 公司 | 2025 營收 | 產品占比 | 終端應用占比 | |
|---|---|---|---|---|---|
| IDM | 2481 | 強茂 | 13,094 | MOSFET32% 、 Schottky23% 、 Rectifier12% 、 TVS9% | 車用 35% 、消費性 19% 、電腦運算 18% 、工控 13% 、電源供應 11% (AI 佔比約 10%) |
| IDM | 5425 | 台半 | 17,954 | 條碼印表機 63% 、整流器部門 37% | 車用 57% 、工業 15% 、消費性 22% (AI 應用佔比約 10-15%) |
| IDM | 3675 | 德微 | 2,637 | 二極體與電晶體 73% 、晶圓 25% | 車用 30% 、工業 40% 、消費性 30% |
| IDM | 8255 | 朋程 | 8,106 | DIODE 18% 、 LLD 21% 、 ULLD 29% 、 xEV 32% | 以車用為主 |
| 晶圓代工 | 2342 | 茂矽 | 2,037 | MOSFET/IGBT 56% 、 Diode/MCD 25% 、 Analog 10% 、 others 8% | |
| 晶圓代工 | 3707 | 漢磊 | 5,766 | 化合物功率元件 41% 、 TVS 25% 、車用 MOSFET19% | 工業 42% 、消費性 30% 、車用 22% 、綠能 6% |
| MOSFET | 6435 | 大中 | 3,401 | PC 41% 、 Server motor/Fan 36% 、 BMS6% | |
| MOSFET | 3317 | 尼克森 | 2,706 | Power MOSFET 100% | |
| MOSFET | 5299 | 杰力 | 1,483 | 功率元件 77% 、 PMIC 23% | PC+NB 91% 、智能家居 7% |
| MOSFET | 8261 | 富鼎 | 3,104 | 低壓 52% 、中壓 34% 、高壓 12% | SPS 41% 、 DC Fan 35% 、 Computing 11% |
| IC | 6138 | 茂達 | 7,484 | Motor 45% 、 PWM27% 、 LDO 25% | Fan 45% 、 M/B 11% 、 Storage 10% 、 N/B 10% 、 LCD 6% |
| IC | 6719 | 力智 | 4,581 | PMIC 76% 、 MOSFET 24% | Computing 54% 、 Communication 20% 、 BMS 18% |
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20 資料來源：各公司官網 , 公開資訊觀測站 , 福邦投顧預估彙整
相關個股
相關個股
| 產業 | ticker | 個股 | 2025 EPS | 25 YoY | 2026F EPS | 26FYoY | 本益比 區間 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDM | 2481 | 強茂 | 3.1 | 18% | 4.8 | 54% | 10-36 |
| IDM | 5425 | 台半 | 2.3 | 20% | 4.4 | 88% | 11-57 |
| IDM | 3675 | 德微 | 2.8 | -64% | 10.7 | 278% | 15-57 |
| IDM | 8255 | 朋程 | 5.7 | -31% | 7.7 | 34% | 15-47 |
| 晶圓代工 | 2342 | 茂矽 | -0.8 | -194% | 11-255 | ||
| 晶圓代工 | 3707 | 漢磊 | -1.8 | 1% | 1.0 | N/A | 29-1811 |
| MOSFET | 6435 | 大中 | 10.8 | 57% | 9.6 | -11% | 6-32 |
| MOSFET | 3317 | 尼克森 | 1.9 | -23% | 7-24 | ||
| MOSFET | 5299 | 杰力 | 4.8 | -4% | 5.2 | 8% | 6-27 |
| MOSFET | 8261 | 富鼎 | 5.9 | 6% | 6.5 | 12% | 12-37 |
| IC | 6138 | 茂達 | 14.1 | 39% | 15.4 | 9% | 7-28 |
| IC | 6719 | 力智 | 7.2 | 173% | 8.5 | 17% | 14-261 |
22 資料來源： Bloomberg, 福邦投顧彙整預估
И
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6,500
5,250
謝謝指教 Q&A
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