技術_PSPI
定義
Photo-Sensitive Polyimide（感光聚醯亞胺），具光感應特性的聚醯亞胺（PI）材料，是先進封裝 RDL 介電層的關鍵材料。可直接在封裝廠進行光微影圖形化，取代傳統 SiO2 蝕刻流程，大幅降低成本。
正型 vs 負型 PSPI
flowchart TD PSPI[感光聚醯亞胺 PSPI] PSPI --> 正型 PSPI --> 負型 subgraph 正型[正型 Positive-tone] PT1[曝光區域溶解 水系顯影劑 環保/高成本] PT2[海外廠商主導 Toray/HD MicroSystems 占全球 ~90%] PT3[台灣廠商 達興/永光/長興 進口替代機會] end subgraph 負型[負型 Negative-tone] NT1[未曝光區域溶解 有機溶劑顯影 二甲苯] NT2[技術成熟 仍具市場占有率] NT3[台灣廠商 三福化] end
材料特性
| 特性 | 正型 PSPI | 負型 PSPI |
|---|---|---|
| 顯影機制 | 曝光區溶解 | 未曝光區溶解 |
| 顯影劑 | 水性（TMAH） | 有機溶劑（二甲苯） |
| 環保性 | 優（水系） | 較差（有機溶劑） |
| 解析度 | 較高 | 良好 |
| 台灣供應商 | 達興、永光、長興 | 三福化 |
| 海外主要供應商 | Toray、HD MicroSystems、SKC | — |
應用場景
| 場景 | 說明 |
|---|---|
| RDL 介電層 | CoWoS-R、FOCoS、FOPLP 的重佈線層絕緣材料 |
| FOWLP/WLCSP/FC BGA | 晶片級封裝介電層 |
| 2.5D interposer | 中介層介電 |
| 3D TSV 封裝 | TSV 周圍絕緣 |
| 玻璃芯基板 | TGV 成孔後的絕緣填充 |
技術趨勢
- 正型 PSPI 需求成長：RDL 趨勢轉向正型，台灣廠商有國產替代機會（海外目前占 ~90%）
- PBO（聚苯惡唑）替代：部分場景改用 PBO（性能相近），二者常並列比較
- FOPLP RDL First 驅動：面板級封裝採 RDL First，PSPI 材料用量隨面積成長
- 線寬縮小：L/S 從 2µm 推進至 1µm 以下，要求材料解析度提升
技術瓶頸
- 正型 PSPI 配方複雜，台灣廠商仍在驗證階段
- 高溫固化後的尺寸收縮控制
- 與下層金屬的黏附性與可靠性
台灣供應商
| 廠商 | 類型 | 地位 |
|---|---|---|
| 5234_達興材料（市） | 正型 PSPI | 台灣主要正型 PSPI 廠商，CoWoS-R/FOCoS 受惠 |
| 1711_永光（市） | 正型 PSPI | 感光材料廠商，玻璃芯基板光阻亦有布局 |
| 1717_長興（市） | 正型 PSPI | PSPI 封裝材料，RDL/TSV/FC BGA 應用 |
| 4755_三福化（市） | 負型 PSPI 顯影液 | 有機溶劑系顯影材料，仍有市場占有率 |
相關技術
供應鏈
→ 供應鏈_半導體特化耗材 → 供應鏈_玻璃芯基板
圖解
圖說：RDL 中介層（CoWoS-R）vs 矽中介層（CoWoS-S）比較：RDL 中介層以 PSPI/PBO 取代 SiO2，成本較低但線寬較粗（1.5μm vs 0.4μm）。日美廠商（旭化成 46.8%、HD Microsystems 36.0%、富士電子 11.9%）主導，台灣永光、長興、達興切入。
來源
- 報告_福邦_半導體特化耗材展望202603，報告日：2026-03