基本資料
長鑫存儲（ChangXin Memory Technologies，CXMT），中國本土最大 DRAM 製造商，總部位於合肥。主力產品為標準型 DDR4/DDR5 及 LPDDR，是中國記憶體自主可控戰略的核心廠商。CXMT 已公告上交所 IPO 股份申購日為 2026-07-16，若監管程序順利，實際掛牌可望於 2026 年 7 月下旬完成（BofA，2026-07-11）。
CXMT 揭露 2Q26 營收指引為 CNY59-69bn（約 US$9.5bn），YoY 成長達 7 倍；但即使營收快速成長，仍僅占全球 DRAM 銷售市占率個位數中段（high-single-digit%）。晶圓產能雖已達 high-200k wpm 或 300k wpm 量級（媒體報導口徑，待核對），約當全球 DRAM 總產能 mid-teen% 比重（BofA，2026-07-11）。BofA 估計 CXMT 高階記憶體（10Ghz+ LPDDR5、HBM、SOCAMM、GDDR7 等）仍難以打入，主要因品質與美國對中國半導體的出口管制，預期高階記憶體將持續由中國以外廠商供應。
供應鏈位置：全球 DRAM 供給端的中國本土廠商，與三星、SK 海力士、美光、南亞科同屬 DRAM 製造商，但市占與資本支出規模遠小於前三大廠。
核心技術／競爭優勢
- 產能規模但市占有限：晶圓產能達 high-200k~300k wpm（媒體報導，待核對），占全球 DRAM 總產能約 mid-teen%，但實際 DRAM 銷售市占僅個位數中段（BofA）
- 標準型 DRAM 為主力：聚焦 DDR4/DDR5、LPDDR 等成熟規格，尚未打入高階記憶體（HBM、10Ghz+ LPDDR5、SOCAMM、GDDR7）領域
- 出口管制制約：受美國對中國半導體出口管制影響，高階記憶體技術與設備取得受限（BofA）
- 資本支出持續擴大：2025 年 DRAM 資本支出約 US$3.5bn（占全球 DRAM capex 約 6%），BofA 估 2026-28E 將提升至 US$4.0bn/4.4bn/4.5bn
產品與應用
| 產品 | 應用 | 說明 |
|---|---|---|
| DDR4/DDR5 標準型 DRAM | PC、伺服器、消費性電子 | 主力產品 |
| LPDDR | 行動裝置 | 待補產品細節 |
| 高階記憶體（HBM、10Ghz+ LPDDR5、SOCAMM、GDDR7） | AI 加速器、高效運算 | 目前 BofA 認為尚不具供應能力，仍由中國以外廠商主導 |
資本支出趨勢
來源：BofA Global Research，2026-07-11，Global Memory Tech 週報 Exhibit 26/29
| 年度 | DRAM 資本支出（US$bn） | 全球 DRAM capex 占比 |
|---|---|---|
| 2019 | 0.7 | 3% |
| 2020 | 1.5 | 7% |
| 2021 | 1.5 | 6% |
| 2022 | 1.7 | 5% |
| 2023 | 2.6 | 10% |
| 2024 | 4.0 | 11% |
| 2025 | 3.5 | 6% |
| 2026E | 4.0 | — |
| 2027E | 4.4 | — |
| 2028E | 4.5 | — |
全球 DRAM capex 排名仍遠落後三星（2025 US$19.9bn）、美光（US$13.1bn）；CXMT 規模與南亞科（2025 US$0.4bn）同屬中小型廠商，但成長速度較快。
產能與位元供給地位重估（2026-08-07）
來源：報告_UBS_記憶體月報_20260807（insight 見 分析_記憶體月度供需與價格追蹤_UBS_20260807）
UBS 於 2026-08-07 月報首次展開 CXMT 覆蓋，給予 Buy 評等，核心論點為「CXMT 不足以撼動整體 DRAM 供需大局」：
- 位元供給佔比預估：CXMT 全球 DRAM 位元供給佔比估由 2025 年 7% 升至 2027 年 9%（UBS 模型；與既有 BofA 2026-07-11「個位數中段市占」脈絡方向一致，但為首次有券商給出正式覆蓋與量化預估）。
- 晶圓產能路徑：UBS 估 CXMT 晶圓產能由 2025 年 4Q 的 240k wpm，擴至 2026 年 4Q 的 292k wpm，再到 2027 年 4Q 的 382k wpm。
- 市場預期可能過高：UBS 提醒部分市場預期可能把「設備交運」誤當「實際裝機／驗證／量產產能」，導致產能預估偏高。
- 製程落後主流一世代：CXMT 預計 2026 年底前轉進 G5 製程（sub-15nm），同期三星／SK 海力士／美光已於 2027 下半年轉進 1d nm（sub-11nm），製程世代落後。
- 良率仍非一線水準：受美國對中國半導體設備出口管制部分影響，CXMT 良率未達三大原廠水準。
時間軸
| 時間 | 事件 | 類型 | 重要性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026-07-16 | CXMT 上交所 IPO 股份申購日 | IPO | ⭐⭐⭐ | 若監管程序順利，預計 7 月下旬掛牌 |
| 2026-08-07 | UBS 首次展開 CXMT 覆蓋，給予 Buy 評等 | 券商覆蓋 | ⭐⭐ | 首份正式量化 DRAM 位元供給佔比／產能路徑預估的券商報告 |
目標價與評等
| 券商 | 報告發布日 | 評等 | 目標價 | 評價基礎 | 來源 |
|---|---|---|---|---|---|
| UBS | 2026-08-07 | Buy（首次覆蓋） | 未列明（本月報未揭露數字） | CXMT 不足以撼動整體 DRAM 供需大局；位元供給佔比預估由 2025 年 7% 升至 2027 年 9% | 報告_UBS_記憶體月報_20260807 |
關鍵 Claim
| Claim | 類型 | 來源 | 日期 | 信心 |
|---|---|---|---|---|
| CXMT 2Q26 營收指引 CNY59-69bn（約 US$9.5bn），YoY 成長 7 倍 | public_info | 報告_BofA_記憶體週報_20260711 | 2026-07-11 | 高（公司揭露） |
| CXMT 晶圓產能達 high-200k 或 300k wpm（媒體報導），占全球 DRAM 總產能約 mid-teen% | third_party | 報告_BofA_記憶體週報_20260711 | 2026-07-11 | 中（媒體推估，待核對） |
| 儘管產能龐大，CXMT 全球 DRAM 銷售市占率僅個位數中段（high-single-digit%） | estimate | 報告_BofA_記憶體週報_20260711 | 2026-07-11 | 高 |
| 南亞科管理層法說表示 CXMT 增產對其無直接影響 | fact | 活動_南亞科2408_法說memo_20260710 | 2026-07-10 | 高（公司發言） |
| 高階記憶體（10Ghz+ LPDDR5、HBM、SOCAMM、GDDR7）預期仍主要由中國以外廠商供應，因品質與美國出口管制 | thesis | 報告_BofA_記憶體週報_20260711 | 2026-07-11 | 中高 |
| IPO 股份申購日為 2026-07-16，若監管程序順利可望 7 月下旬掛牌上交所 | public_info | 報告_BofA_記憶體週報_20260711 | 2026-07-11 | 高 |
| CXMT 合肥主力廠已滿產（各廠 100k-120k wpm），2027 年前新產能才能上線，2026-27 年不太可能出現激進擴產壓價 | analyst | 報告_Citi_大中華半導體美國市場策略_20260720 | 2026-07-20 | 中高（與 BofA channel check 方向一致，互為印證） |
| YMTC（長江存儲）NAND 擴產態度審慎，目的是在 IPO 前維持定價；供給短缺下獲利能力已接近國際大廠水準 | analyst | 報告_Citi_大中華半導體美國市場策略_20260720 | 2026-07-20 | 中（YMTC 尚無獨立頁面，暫記於此） |
| UBS 首次展開 CXMT 覆蓋給予 Buy，估其 DRAM 位元供給佔比由 2025 年 7% 升至 2027 年 9%，晶圓產能由 2025 4Q 240k wpm 擴至 2027 4Q 382k wpm | estimate | 報告_UBS_記憶體月報_20260807 | 2026-08-07 | 高 |
| CXMT 預計 2026 年底前轉進 G5 製程（sub-15nm），落後三星／SK 海力士／美光 2027 下半年轉進的 1d nm（sub-11nm）；良率因出口管制部分影響未達三大原廠水準 | analyst | 報告_UBS_記憶體月報_20260807 | 2026-08-07 | 中高 |
| UBS 提醒市場預期可能把「設備交運」誤當「實際裝機／驗證／量產產能」，CXMT 產能預估可能偏高 | thesis | 報告_UBS_記憶體月報_20260807 | 2026-08-07 | 中高 |
相關公司
| 公司 | 關係 | 說明 |
|---|---|---|
| 2408_南亞科技（市） | 同業 / 潛在競爭 | 南亞科管理層法說明確表示中國廠增產對其無直接影響；BofA channel check 亦顯示 CXMT 競爭壓力低 |
| 005930.KR(samsung) | 同業 | 全球前三大 DRAM 廠之一，資本支出與市占規模遠高於 CXMT |
| 000660.KR(sk_hynix) | 同業 | 全球前三大 DRAM 廠之一，資本支出與市占規模遠高於 CXMT |
| MU.US(micron) | 同業 | 全球前三大 DRAM 廠之一，資本支出與市占規模遠高於 CXMT |
風險與注意事項
- 產能數字（high-200k~300k wpm）為媒體報導口徑，非官方揭露，待核對
- IPO 掛牌時程仍以中國監管程序進度為準，存在延後風險
- 高階記憶體（HBM 等）技術與設備取得受美國出口管制限制，短期難以切入 AI 級記憶體供應鏈
來源
- 報告_BofA_記憶體週報_20260711 — BofA Securities，2026-07-11；Global Memory Tech 週報，CXMT IPO 時程、2Q26 營收指引、資本支出與市占數據
- 已核對 報告_GS_南亞科2408記憶體_20260710（Goldman Sachs，2026-07-10）：內容為南亞科 2Q26 財報對 Samsung Electronics 的 read-across 分析，未直接提及 CXMT，故未作為本頁引用來源
- 報告_Citi_大中華半導體美國市場策略_20260720 — Citi，2026-07-20；美系投資人行銷回饋，判斷 CXMT／YMTC 2026-27 年不太可能激進擴產壓價，與 BofA channel check 方向一致
- 報告_UBS_記憶體月報_20260807 — UBS，2026-08-07；首次展開 CXMT 覆蓋（Buy），DRAM 位元供給佔比／晶圓產能路徑預估、製程與良率落後主流一世代判讀