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AOI

更新 2026-10-22

AOI(Automated Optical Inspection,自動光學檢測)是利用光學影像、3D 量測與影像演算法進行缺陷檢查的設備技術,投資分類上應歸入 環節/光學檢測設備,並保留 環節/檢測設備 作為母環節。

分類規則

  • 技術/AOI:描述自動光學檢測技術本身。
  • 環節/光學檢測設備:描述 AOI 設備供應商或設備段位置。
  • 環節/檢測設備:檢測 / 量測設備母環節,包含 AOI、AXI、X-ray / CT、電測與其他量測設備。

原理與流程

AOI 的基本原理是「光學成像 + 影像比對 / 演算法判讀」,取代人工目檢:

  1. 光源設計:依材料特性選擇多波段照明、同軸光源或抗反射專用光源。例如玻璃基板高透光、易反射,需要專用抗反射照明模組才能看清 TGV 孔內殘留與微裂痕(3455_由田(櫃))。
  2. 影像擷取:以 5K~8K 高畫素 CMOS / CCD 感測器搭配遠心鏡頭、同軸光源取像,部分機種支援 2D / 3D 整合量測。
  3. 對位與補償:大尺寸基板 / 封裝在量測時會有膨脹與翹曲,需即時多視野對位補償以維持重複量測精度。
  4. 影像比對與缺陷判讀:以規則式演算法比對標準圖形,並疊加 AI 深度學習模型做缺陷分類,克服規則式檢測在複雜圖形上的辨識瓶頸,同時降低漏檢率(7822_倍利科(市))。
  5. 產線回饋:判定為疑似缺陷者標記、分類並可追溯批次,回饋製程參數供良率管制使用。

AOI 的物理限制是「只能看表面 / 近表面」的光學缺陷;若需要檢測玻璃基板等透明材料的內部裂痕,需改用雷射斷層 3D 成像等非 AOI 技術(3055_蔚華科(市) 之雷射斷層機台即為此類方案,與 AOI 互補而非取代)。

圖解

flowchart TD
    L["光源設計<br>多波段照明 / 同軸光源 / 抗反射設計"] --> S["影像擷取<br>CMOS / CCD 感測器 + 遠心鏡頭"]
    S --> A["對位與翹曲補償"]
    A --> P["影像比對與判讀<br>規則式演算法 + AI 缺陷分類"]
    P --> O{"缺陷判讀"}
    O -->|"合格"| Pass["產線放行"]
    O -->|"疑似缺陷"| Flag["標記 / 分類 / 追溯批次"]
    Flag --> FB["產線回饋與製程管制"]

    subgraph APP["應用場景與代表公司"]
        PCB["PCB / 載板 AOI<br>3030 德律 . 3455 由田"]
        GLASS["玻璃基板 / TGV AOI<br>3455 由田(表面). 3055 蔚華科(內部裂痕)"]
        PKG["先進封裝 AOI<br>bump / RDL / Hybrid Bonding<br>3030 德律 . 6983 華洋精機 . 7853 政美應用"]
        MASK["光罩 / 晶圓 AOI<br>6983 華洋精機"]
    end

    S --> PCB
    S --> GLASS
    S --> PKG
    S --> MASK
    P --> AICLS["AI 缺陷分類演算法<br>7822 倍利科"]

四大應用層級與代表廠商

AOI 依檢測對象與精度需求分為四個層級,各層級的光學方案、精度等級與供應商幾乎不重疊——這是判斷一家 AOI 廠「能不能往上打」的第一道分野。

應用層級 國際代表 台廠代表 核心檢測對象 主流光學技術 檢測精度等級
半導體晶圓與先進封裝 KLA、Camtek、Onto Innovation 3455_由田(櫃)、5443_均豪精密(櫃)、3535_晶彩科(市)、7822_倍利科(市)、6877_鏵友益(櫃)、3167_大量(市)、6983_華洋精機(櫃)、7853_政美應用(興) 晶圓微粒、刮傷、CoWoS/InFO 微凸塊(Micro-bump)、RDL 開短路、Die 偏移 白光干涉(WLI)、雷射散射暗場、共焦顯微、明暗場複合成像 亞微米至奈米級(<1 µm ~ nm)
PCB 與 IC 載板 KLA / Orbotech 3563_牧德(櫃)、3455_由田(櫃)、3535_晶彩科(市) 內外層線路斷短路、缺口(Mouse-bite)、殘銅、微盲孔(Micro-via)對位與孔殘 高速 TDI 線掃描、多波長反射/穿透光、螢光激發檢測 微米級(1~15 µm)
SMT / PCBA 組裝 Koh Young(高嶺)、Nordson/CyberOptics、Omron、Viscom 3030_德律(市) 錫膏印刷形貌(SPI)、貼片偏位、缺件、極性反向、空焊、立碑、橋接 多向數位光投影(PMP 結構光/莫爾條紋)、多層次色光環形照明 數微米至數十微米(5~50 µm)
顯示面板與 Micro LED Takano、HB Solution 3455_由田(櫃)、3535_晶彩科(市) TFT 陣列缺陷、玻璃微裂紋、Mura 斑塊、Micro LED 晶粒移位與點亮均勻度 大面積線掃描、面型高動態範圍(HDR)亮度/色度量測儀 微米至次毫米級

來源筆記的廠商誤植已更正

研究_AOI檢測設備技術筆記_20260907 原稿在「半導體晶圓與先進封裝」列的台廠名單記為「由田、均豪、弘訊」。經查證,弘訊科技的核心業務為塑膠加工機械(射出成型機)的自動化控制系統與伺服驅動器,並未生產半導體或先進封裝 AOI 設備,應為誤植。本表已改列 vault 已建頁且確有半導體/先進封裝 AOI 業務的台廠。名稱相近但業務不同者另有弘塑(3131,濕製程設備),亦非 AOI。查證日:2026-09-09。

檢測站點分工(SMT / 封裝產線)

同樣叫 AOI,站在產線不同位置解決的失效模式完全不同——這決定了設備的光學需求與可替代性。

站點 位置 量測對象 為何在這一站攔
SPI(Solder Paste Inspection,錫膏檢測) 錫膏印刷機後 錫膏 3D 體積、高度、面積與偏位 SMT 超過 60% 的焊接缺陷源自錫膏印刷,攔在這裡成本最低
Pre-Reflow AOI(爐前) 貼片機後、迴焊爐前 缺件、錯料、偏位、旋轉角、極性標記反向 錫尚未熔化,元件仍易重工修正
Post-Reflow AOI(爐後) 迴焊爐出口 空焊、冷焊、立碑(Tombstone)、搭橋(Bridging)、爬錫高度 焊點已固化,檢的是高反射表面上的焊接品質
AVI / Final AOI(外觀自動檢查) 封裝成品或載板出貨前 異物、刮傷、露銅、防焊漆起泡(Blister)、字體印字(OCR/OCV) 出貨前最後一道全檢

來源:研究_AOI檢測設備技術筆記_20260907

設備內部架構與工程細節

一套高階 AOI 本質上是光學、精密機械、即時電控與電腦視覺演算法的整合體。四個子系統中任一個是瓶頸,整機精度就被鎖死——這是評估設備廠技術深度時比「宣稱精度」更可靠的切入點。

1. 光學成像

  • 面掃描(Area Scan):SMT 與點位複檢為主,搭配步進移動(Step-and-Repeat)取像。
  • TDI 線掃描(Time Delay Integration):載板與晶圓大面積連續掃描的標準配備。多級感光感測器同步累積電荷,在數百 mm/s 的高速移動下仍維持高訊噪比(SNR)。
  • 雙遠心鏡頭(Bi-telecentric Lens):高階機台全面採用,消除視角透視效應(Perspective Error)。檢測物有表面高低差或板翹時,影像放大倍率仍恆定——這是先進封裝翹曲場景的必要條件。
  • 3D 深度量測:
  • PMP 相位輪廓調變(SMT 3D AOI 主流,如 Koh Young、3030_德律(市)):2–8 組多角度 DLP 投影機投射正弦莫爾條紋,相機拍攝條紋形變後以相移演算法反算點雲 Z 軸高度,可克服鏡面反射與陰影盲區。
  • 共焦光譜(Chromatic Confocal)與白光干涉(WLI):半導體微結構量測標配,用波長色差或干涉條紋實現奈米級高深寬比結構(TSV 孔深、Bump 高度)量測。

2. 照明光譜與幾何配置

照明設計決定缺陷能否被凸顯(對比度),是 AOI 最難被規格表描述、也最難模仿的部分。

  • 多角度多層色光(RGB Lighting):SMT 焊點檢測典型設計。水平紅光照焊墊底座、斜角綠光照焊錫斜面、垂直藍光照頂部平坦區,用反射角色彩編碼在 2D 影像中直接轉換出坡度特徵。
  • 同軸光與明暗場切換:同軸光垂直射入,專查晶圓或銅箔的高平整鏡面;暗場掠射光(低角度環形光)阻斷背景直反射,讓邊緣刮痕與凸起顆粒以高亮散射光現形。
  • 特殊波長:
  • 紫外線(UV):激發防焊綠漆或保形塗層螢光,檢查塗覆邊界與孔殘。
  • 短波紅外(SWIR / IR):穿透矽基板,直接檢測覆晶封裝(Flip-Chip)內部鍵合對位或晶圓次表面微裂紋(Sub-surface Crack)。

3. 運動平台與機構控制

  • 機體架構:天然花崗岩(Granite)床身搭配氣浮避震腳柱,用高熱容積比與高阻尼特性隔絕產線震動與環境溫度變形。
  • 驅動配置:X/Y 軸多採無鐵心線性馬達(Ironless Linear Motor)搭配氣浮軸承或精密線軌,消除滾珠螺桿的機械背隙(Backlash)與力矩脈動(Cogging)。
  • 光電同步(PSO / On-the-fly Imaging):配置奈米級光學尺,運動控制卡在平台高速移動中依光學尺回饋發出位置同步輸出脈衝,觸發相機與頻閃光源微秒級曝光,達成「飛拍」不拖影。這是決定產線節拍上限的關鍵機構。

4. 演算法與運算架構

  • 規則式(Rule-based):
  • CAD 原生比對:載入 Gerber 或 ODB++ 資料,直接對比設計線路座標。
  • 統計與差分比對:動態閥值分割(Dynamic Thresholding)、正規化互相關(NCC)幾何定位、邊緣萃取、基板特徵差分比對(Golden Template Comparison)。
  • AI 雙階架構(Hybrid AI Filtering):傳統 AOI 的致命痛點是為追求「零漏檢(Zero Escape)」而導致極高的「誤判率(Overkill / False Call)」。現代高階設備在後端邊緣伺服器導入 CNN / Vision Transformer 執行自動缺陷分類(ADC),即時過濾微小公差引起的假警報,並把瑕疵統計串接 MES 與 SPC 做閉迴路回饋調控。這正是台廠(如 7822_倍利科(市))用 AI 演算法對國際大廠做差異化的著力點——不必贏在光學硬體,贏在誤判率。

5. 偏振光學(Polarizer / PLR)

光路規格中的 PLR 常指偏光片(Linear Polarizer)或偏振反射檢測光路。高階 AOI(晶圓檢測、高階 SMT、載板檢測)導入偏光模組解決兩個瓶頸:

  • 正交偏光消眩光(Cross-Polarization Anti-Glare)
  • 問題:錫球、金屬導線、拋光矽晶圓表面鏡面反射極強,垂直光直射會在感測器上形成大面積飽和白斑(Hotspot),使邊緣幾何輪廓「過曝融化」,遮蔽微短路或焊點虛焊。
  • 作法:光源端放起偏鏡(Polarizer),鏡頭接收端配置角度正交(相差 90°)的檢偏鏡(Analyzer / PLR)。
  • 效果:金屬平整面直接反射的光偏振方向不變,被檢偏片 100% 阻擋(暗場化);凹坑、刮傷、粗糙邊緣或雜質顆粒會打亂偏振態(去偏振散射),部分光線穿透檢偏片進入鏡頭,使細微缺陷在純黑背景下呈現高對比亮點。
  • 材料應力雙折射檢測(Photoelasticity / Birefringence)
  • 針對玻璃基板、光學透鏡或封裝樹脂,材料受熱或外力產生的內部微裂紋與殘留應力會改變折射率,引發雙折射。偏光光路能把不可見的內部應力分佈轉成明暗交替的干涉條紋,是晶圓切割邊界崩缺(Chipping)與微裂紋檢測的關鍵技術。

註:偏光光路檢的是「應力造成的折射率變化」,與 3055_蔚華科(市) 雷射斷層 3D 成像直接成像內部裂痕仍是不同機制,兩者互補。

來源:研究_AOI檢測設備技術筆記_20260907

關鍵參數

參數 說明 來源觀察
影像解析度 / 畫素 5K~8K CMOS / CCD,決定可辨識的最小缺陷尺寸 3455_由田(櫃)
缺陷辨識門檻 目前技術瓶頸在 3μm 以下圖形缺陷辨識 3455_由田(櫃)
檢測精度(X-ray / AXI 對照) AXI 若精度低於 2μm,應用空間可進一步擴大 3030_德律(市)
產線節拍 AI server 板面尺寸與測試點數增加,推升 3D AOI、AXI 使用量與檢測站點密度 3030_德律(市)
漏檢率 AI 缺陷分類模型是改善漏檢率的主要手段 7822_倍利科(市)

瓶頸

  • 精細缺陷辨識極限:小於 3μm 的圖形缺陷辨識仍是下一階段技術門檻,需突破光源設計與系統成像精度(3455_由田(櫃))。
  • 國際大廠技術領先:以色列 Camtek、Orbotech,日本 SCREEN,美國 Mycronic 在傳統 AOI 領域仍具技術領先地位,台廠多以 AI 演算法差異化競爭(3455_由田(櫃))。
  • 透明材料的檢測邊界:AOI 對玻璃基板僅能測表面,無法檢測內部裂痕;需搭配雷射斷層等非 AOI 技術補足,兩者是互補關係而非取代(3055_蔚華科(市))。
  • 精度與節拍的平衡:檢測站點密度提高後,需同時兼顧高精度與產線節拍,否則會拖慢整體良率回饋速度(3030_德律(市))。
  • 驗證到量產的轉換節奏:先進封裝 / CoPoS 面板級檢測若停留在驗證線、尚未轉入量產線,會影響設備出貨的複製性與能見度(6983_華洋精機(櫃)、7853_政美應用(興))。

應用場景

場景 檢測內容 代表公司
PCB / 載板 AOI 線路短路、斷路、缺口、殘銅、孔位與外觀缺陷 3030_德律(市)、3455_由田(櫃)
玻璃基板 / TGV AOI 玻璃通孔、裂痕、孔徑、透明材料缺陷 3455_由田(櫃)、3055_蔚華科(市)
先進封裝 AOI bump、RDL、hybrid bonding、封裝外觀與對位缺陷 3030_德律(市)、6983_華洋精機(櫃)、7853_政美應用(興)
Wafer Level Packaging / CoPoS 檢測量測 晶圓級封裝 bump / pad / RDL、面板級大面積翹曲與對位 7853_政美應用(興)
光罩 / 晶圓 AOI EUV / DUV 光罩微粒、異物、晶圓表面異物與刮傷 6983_華洋精機(櫃)
AI AOI / 缺陷分類 影像資料分析、AI 缺陷分類、漏檢率改善 7822_倍利科(市)

相關公司

公司 定位 特色
3030_德律(市) 2D/3D AOI + AXI X-ray/CT 綜合設備廠 AI server PCB 與先進封裝(CoWoS/InFO/SoIC)檢測需求雙受惠,AVI/SWIR Crack 為高毛利新品
3455_由田(櫃) 台灣 AOI 龍頭 從 PCB / 半導體封裝 AOI 起家,開發玻璃基板專用抗反射光學檢測系統
3055_蔚華科(市) 雷射斷層 3D 成像(非 AOI,互補技術) 唯一可行的玻璃基板內部裂痕檢測方案,AOI 檢測不到的內部缺陷由此補足
6983_華洋精機(櫃) 光罩 / 晶圓 / 先進封裝 AOI 台灣少見可切入 EUV / DUV 光罩微粒檢測的本土設備商
7822_倍利科(市) AI AOI / 檢量測平台 以影像資料分析與 AI 演算法起家,切入 CoWoS / SoIC 製程站點檢測
7853_政美應用(興) 先進封裝高階檢測量測 聚焦 WLP、Hybrid Bonding、CoPoS、MicroLED、III-V 化合物半導體等高階場景
3535_晶彩科(市) 面板 AOI 跨足半導體與先進封裝 由面板大面積檢測起家,延伸至載板與先進封裝檢測量測
3563_牧德(櫃) PCB / 載板 AOI 龍頭 傳統 PCB AOI 主力,並向半導體晶圓與先進封裝外觀檢測延伸;載板檢測解析度 2.5–5 µm(PCB 檢測約 10–20 µm),2027 年出貨大尺寸 ABF 載板 AI 全外觀檢查機與一次性雙面檢查的 IPQC AVI(國泰 TPCA memo,2026-10-21)
6877_鏵友益(櫃) 半導體封測自動化 + AOI 以自動化、機器視覺與 AI 監控整合切入晶圓與封測廠檢查站
3167_大量(市) 精密檢測量測設備 自研控制器與機器視覺,切入先進封裝晶圓邊緣、Die shift 與研磨後檢測
5443_均豪精密(櫃) 半導體設備(含檢測整合) G2C+ 聯盟成員,玻璃載板研磨與設備整合能力

注意事項

  • AOI 是光學檢測,不等於所有檢測設備;X-ray / CT / 電測應另以檢測設備母環節或更精細標籤處理。
  • AAOI 是 Applied Optoelectronics 公司代號,與 AOI 自動光學檢測不同,標籤整理時需避免誤判。
  • AOI 只能檢測表面 / 近表面缺陷,玻璃基板等透明材料的內部裂痕需搭配雷射斷層等其他技術,不應把所有透明材料檢測需求都歸入 AOI 環節。

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