技術_SoIC

定義

SoIC(System on Integrated Chips)是台積電 3D 晶片堆疊技術,核心在於透過 Hybrid bonding / Cu-Cu bonding 將晶片垂直整合。相較 CoWoS 的 2.5D 橫向整合,SoIC 更強調 die-to-die 的垂直互連密度、低延遲與高頻寬。

製程重點

製程目的設備需求
晶圓薄化 / 研磨降低堆疊厚度、準備鍵合面thinning、grinding、CMP
表面清洗 / 活化確保 Cu-Cu bonding 表面潔淨濕製程、plasma activation
Hybrid bonding晶片或晶圓間直接鍵合高精度對位、bonding、溫控
AOI / metrology檢查鍵合前後缺陷與 alignment2D / 3D AOI、X-ray、CT

產能節點

時間產能 / 事件備註
2023SoIC 月產能約 0.2 萬片華南投顧整理
2024SoIC 月產能約 0.4-0.5 萬片初期擴產
2025FSoIC 月產能約 2 萬片AI / HPC 需求提高
2026FSoIC 月產能約 4 萬片Hybrid bonding 設備需求提高

台灣設備觀察

環節台灣觀察說明
濕製程 / 清洗3131_弘塑(櫃)鍵合前後表面處理與清洗
Hybrid bonding 周邊3131_弘塑(櫃)報告列為先進封裝設備供應觀察
AOI / X-ray / CT3030_德律(市)鍵合與堆疊缺陷檢測

投資觀察

  • SoIC 的設備門檻在高精度對位、鍵合面潔淨度、薄化後晶圓處理與缺陷檢測。
  • 若 SoIC 與 技術_CoWoS 組合使用,單一 AI 封裝的設備密度會提高,受惠不只在封裝服務,也會外溢到檢測、濕製程與自動化。
  • 2026 月產能若從 2025F 約 2 萬片提升到 4 萬片,Hybrid bonding 相關設備與耗材是重要追蹤項。

供應鏈

來源

2026 TSMC 技術論壇更新(2026-05)