活動_台積電技術論壇_20260514

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2026 年台積電技術論壇 (台灣場 5/14) 摘要：

來自dnystedt 2026/05/14 18:08

全球擴張與營運 (Global Expansion & Operations)

全球擴建： 全球目前正在興建或改建的廠房達 18 座（包含 5 座先進封裝廠）。

台灣核心： 這 18 座廠房中有 12 座位於台灣。

加速擴張： 擴廠速度已倍增至每年 9 座新廠（2025–2026 年），對比過去的每年 4 座（2017–2024 年）。

海外廠區進度 (International Site Progress)

美國亞利桑那州：

第一廠 (Fab 1) 產出預計在 2026 年成長 1.8 倍。

第二廠 (Fab 2) 將於 2026 年下半年進行機台進駐（預計 2027 年下半年 N3 量產）。

第三廠 (Fab 3) 已於 2025 年上半年動工。

第四廠 (Fab 4) 與首座先進封裝廠 (AP1) 處於初期建廠階段。

日本熊本：

第一廠 (Fab 1) (28/22 奈米) 的良率已達到與台灣廠區同等水準；2026 年產出目標為年增 2.3 倍。

第二廠 (Fab 2) 已於 2025 年動工，將投入 N3 製程生產。

德國德勒斯登：

ESMC 廠區專注於 12–28 奈米製程，主攻車用與工業應用。

先進製程藍圖 (Advanced Process Roadmap - N2 / A14 / A12)

N2 動能： 新竹寶山 (Fab 20) 與高雄廠 (Fab 22) 已進入量產。台中廠 (Fab 25) 將於 2028 年跟進。

N2 表現： 預期首年產出將比 N3 首年高出 45%。2026–2028 年產能的年複合成長率 (CAGR) 預估可達 70%。

良率成熟度： 在 AI 優化製造的驅動下，N2 的良率學習曲線較同階段的 N3 領先 2 個季度。

A14 (1.4 奈米)： 在 256Mb SRAM 上已達成超過 80% 的良率；相較於 N2，速度提升 10–15% 或功耗降低 25–30%。

新製程節點：

A12（主打高效能，採用晶背供電 Backside Power / 超級電軌 Super Power Rail 技術）與 A13 皆目標於 2029 年投入生產。

N2U（效能強化版 2 奈米）預計於 2028 年推出。

次世代技術： CFET 架構的 SRAM 單元面積較奈米片 (Nanosheet) 縮小 30%。

先進封裝與矽光子 (Advanced Packaging & Silicon Photonics)

CoWoS 規模： 5.5 倍光罩尺寸 (Reticle size) 的良率現已達 98%。預計到 2028 年擴展至 14 倍光罩尺寸（可容納 20 顆 HBM），2029 年進一步擴展至可容納 24 顆 HBM。

晶圓級系統 (System on Wafer, SoW)： 未來的「超級交換器 (Super Exchange)」晶片將整合 64 顆 HBM 與 16 組 CoWoS，尺寸將超過 40 倍光罩大小，頻寬突破 100TB+。

成長力道： 2022–2027 年間，3DIC / CoWoS 產能的年複合成長率 (CAGR) 將超過 80%。

COUPE (緊湊型通用光子引擎)： 隨著資料中心規模擴張至數百萬顆 GPU 且功耗暴增 200 倍，全光學互連 (All-optical interconnects) 將取代銅線。

特殊製程與記憶體技術轉型 (Specialty & Memory Shift)

記憶體技術的世代交替： 針對車用、AI 智慧眼鏡與邊緣 AI (Edge AI) 應用的先進節點（≤28 奈米），正從嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 轉向電阻式記憶體 (RRAM) 與磁阻式隨機存取記憶體 (MRAM)。

邊緣 AI 規格：

N4PRF（射頻製程）可降低 39% 功耗。

N16HV（16 奈米高壓製程）專為 AI 智慧眼鏡 / AR 顯示器量身打造。