技術_CMP
定義
CMP（Chemical Mechanical Planarization / Polishing，化學機械平坦化）是利用化學反應與機械研磨同步移除材料，使晶圓、玻璃載板或封裝基板表面達到高平坦度。它是前段多層金屬互連、TSV / TGV、玻璃載板與先進封裝大面積製程的重要節點。
應用位置
| 應用 | CMP 角色 | 相關技術 |
|---|---|---|
| 晶圓前段 / BEOL | 金屬層、介電層平坦化 | 先進製程 |
| TSV / 3D IC | 通孔填銅後平坦化 | 技術_TSV |
| TGV / 玻璃載板 | 電鍍銅後平坦化、TTV 控制 | 技術_TGV、技術_玻璃芯基板 |
| CoPoS / FOPLP | 方形 carrier / 大面積 RDL 平坦度控制 | 技術_CoPoS、技術_FOPLP |
設備瓶頸
- 薄玻璃或大尺寸 panel 易破片，載台吸附與壓力控制難度高。
- 銅、玻璃、介電層材料去除率不同，需要研磨液與壓力曲線匹配。
- TTV / 翹曲控制要求高；玻璃載板目標常落在微米級平坦度。
- 大面積製程下，邊緣均勻性與良率管理是量產關鍵。
台灣供應鏈觀察
| 廠商 | 角色 | 備註 |
|---|---|---|
| 5443_均豪精密（櫃） | CMP / 精密研磨設備 | 玻璃載板與先進封裝平坦化設備觀察 |
| 7768_頌勝科技（市） | CMP 研磨墊 / 耗材 | 前段與先進製程耗材觀察 |
投資觀察
- 玻璃載板、CoPoS、FOPLP 若走向量產，CMP 的角色會從前段晶圓延伸到大面積封裝載體。
- CMP 受惠不只在設備，也在研磨墊、研磨液與清洗耗材。
- 對台廠而言，玻璃載板 CMP 是比前段高階 CMP 更有機會建立差異化的切入點。