PDF 原檔:報告_群益上海_玻璃材料AI產業地基_20261020_original.pdf
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| 檔名 | 頁 | 分類 | 親眼所見內容 |
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報告_群益上海_玻璃材料AI產業地基_20261020_p3.png |
p3 | 真資料圖 | 三種封裝架構對照:CoWoS(量產主力,ABF 基板保留)、CoWoP(驗證探索中,取消 ABF+BGA、強化 PCB 承接)、CoPoS(2028H2–2029 量產,玻璃中介+玻璃基板換料),左側為 Die/中介層/ABF 基板/PCB 堆疊示意 |
報告_群益上海_玻璃材料AI產業地基_20261020_p4.png |
p4 | 真資料圖 | Rubin Ultra 四芯粒+16×HBM4E(CoWoS-L,ABF 基板+矽橋)方案打叉取消,改為 2-Die+8×HBM4E 同構 CoWoS-L(2027 量產);標註基板翹曲致 micro-bump 脫接、供應鏈口徑測試良率不足 35%、封裝面積約 7.5–8× 光罩、TDP 超 1500W |
報告_群益上海_玻璃材料AI產業地基_20261020_p5.png |
p5 | 真資料圖 | 有機 ABF/玻璃芯基板/矽中介層對比表:CTE 12–17/3–5/2.6–3 ppm/℃、Df@10GHz、RDL 線寬線距、透光性、單位成本(玻璃現高 30–50%)、量產良率(ABF 90%+、玻璃 <70%)、供應鏈成熟度 |
報告_群益上海_玻璃材料AI產業地基_20261020_p8.png |
p8 | 真資料圖 | 玻璃中介層四步流程示意:①雷射誘導成孔、電鍍填銅(最大卡點)②雙面 RDL ③芯粒倒裝互連鍵合到封裝基板(GPU/HBM/玻璃中介層 TGV/ABF 基板)④替代矽中介層;下方文字稱 2026 年尚未量產、台積電 CoPoS 2028 年量產 |
報告_群益上海_玻璃材料AI產業地基_20261020_p9.png |
p9 | 真資料圖 | 傳統 ABF 基板(ABF 增層上/BT 樹脂芯板 CTE≈15/ABF 增層下)對照玻璃芯基板(玻璃芯 CTE≈3 匹配矽,夾於上下 ABF 增層)的剖面示意,標註「只換芯材、不改架構,可先導入現有 CoWoS 產線」 |
報告_群益上海_玻璃材料AI產業地基_20261020_p10.png |
p10 | 真資料圖 | Corning GlassBridge 示意:光纖陣列(標準 TMT 接口)→ GlassBridge 玻璃片(IOX 離子交換波導)→ PIC 光芯片;文字稱 6/24 發布原型、2028 年或開始量產 |
報告_群益上海_玻璃材料AI產業地基_20261020_p12.png |
p12 | 真資料圖 | 玻璃基板製造流程:來料→TGV 成孔→TGV 金屬化→增層×N 層(每層循環)→臨時鍵合→薄化研磨→終檢修復;六環節難點與星等表(銅填孔 5 星最高、增層與 RDL 4 星) |
報告_群益上海_玻璃材料AI產業地基_20261020_p13.png |
p13 | 真資料圖 | 累計良率折線圖(來料 99.5→成孔 98→金屬化 92.6→增層×20 層 75.8→鍵合 73.1→薄化 70.9→終檢 70.2)與各節點良率降 1pct 的敏感性表:增層布線單層 99.0% 時整體 57.3%、拖累 12.9pct,其餘節點各約 0.7–0.8pct |
報告_群益上海_玻璃材料AI產業地基_20261020_p15.png |
p15 | 真資料圖 | 台積電、英特爾、三星、英偉達、華為在玻璃中介層與玻璃芯基板的進度對照表(台積電 CoPoS 2028H2–2029 量產;英特爾 2027 發布玻璃芯基板 CPU、2030 全面商用;三星電機+住友化學 2027 下半年量產),底部標「2027–2028 導入窗口、2028–2030 進入收入增長」 |
其餘頁(p6、p7、p11、p14、p16–p29)未逐張驗圖,內容以下方文字為準。
原始內容
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0 玻璃材料:AI産業的下一代地基 群益上海朱吉翔/何利超 2026年10月
p2
1 大綱 AI芯片封裝向多裸片、多HBM、大尺寸演進,傳統ABF有機基板在翹曲輿尺寸穩 定性上逼近極限,玻璃基板成爲公認的下一代方案。 2026年産業變化同時出現在需求端和供給端:NVIDIA被報道正評估玻璃基板 ,Intel、NVIDIA、AMD等與供應鏈企業開展深度合作;産業從技術探索走向 客戶項目與建綫投入; 量産突破取決於TGV、金屬化、增層、切割全線良率;最樂觀情景2027年- 2028年為首批客戶導入觀察視窗,2028年-2030年進入收入增長階段;能否如 預期推進需觀察整體良率至少要提升至70%。 國內産業鏈布局完備,同時AI産業自主可控的要求明確,因此整體想像空間 較大。我們尤爲看好設備與材料端在産業推進中率先受益。推薦標的:芯碁 微裝(688630.SH)、京東方A(000725.SZ)、沃格光電(603773.SH)、凱 盛科技(600552.SH)、帝爾激光(300776.SZ)
p3
2 基板:封裝裏的「轉接層+承重墻」 封裝基板(PackageSubstrate)位于中介層與PCB主機板之間:把晶片側微米級 細間距引脚「扇出放大」爲PCB可焊接的毫米級焊球,同時承擔機械支撑、供電 分配與應力緩衝—沒有它,先進封裝無法落地到主機板。 三大封裝架構:基板的「保留·取消·換料」 CoWoS 量産主力 CoWoP 驗證探索中 CoPoS 2028H2–2029量産 基板:芯片與主板之間的轉接層+承重墻 裸芯粒Die:GPU+HBM 中介層Interposer 封裝基板Substrate(ABF有機基板) PCB主板 芯片+HBM ABF基板(保留) PCB 芯片+HBM ABF+BGA取消 强化PCB承接基板 芯片+HBM 玻璃基板(換料) PCB 玻璃中介
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3 有機基板“撞墻”,玻璃成答案 封裝尺寸越過約8×光罩後,有機基板與矽的CTE失配是物理級硬約束,有機基板 將被玻璃基板取代。 圖1:RubinUltra四芯粒方案取消轉向二芯粒方案,有機基板與矽CTE失配 原規劃|4-Die+16×HBM4E(GTC2026發布) CoWoS-L:ABF有機基板+矽橋中介層 已取消 Die Die Die Die 基板嚴重翹曲→micro-bump脫接,供應鏈口徑測試良率不足35% ·封裝面積≈7.5–8×光罩極限,突破JEDEC尺寸天花板 ·單封裝≈1TBHBM4E,TDP超1500W,散熱失控放大形變 SemiAnalysis確認取消, 退回成熟尺寸 現方案|2-Die+8×HBM4E 同構CoWoS-L封裝 2027量産 Die Die 基板平整貼合,翹曲可控、良率達標 ·單封裝算力/帶寬≈原方案50% ·384GBHBM4E(8×48GB) ·板級「2+2」雙封裝拼接,補償機架級 算力 計算Die(近光罩極限) HBM4E堆棧 封裝基板(俯視示意)
p5
4 各種基板材料性能對比 玻璃在"大尺寸+高頻+光學"場景不可替代性 維度 有機ABF載板 玻璃芯基板 矽中介層 熱膨脹係數CTE 12–17ppm/℃ 3–5ppm/℃ 2.6–3ppm/℃ 介質損耗Df@10GHz 0.0025–0.0035 0.001–0.002(爲ABF的1/3) —(Dk≈11.9,不利高頻) RDL綫寬/綫距極限 約5/5μm <2μm(光刻理論上);508mm面板 已實現8/8μm <1μm 透光性(CPO) 無 有,可集成光波導 無 單位成本 低,供應鏈成熟 當前高30–50%,未來可降20–30% 極高(矽片面積限制) 量産良率現狀 90%+ <70%,爬坡中 高(CoWoS良率近100%,大 摩口徑) 供應鏈成熟度 ★★★★★ ★★☆(2026–2028年驗證期) ★★★★ 最優應用場景 主流AIGPU( Rubin/RubinUltra沿 用ABF) 超大封裝、CPO光互連、玻璃芯基板 HBM集成、超高密度2.5D 圖1:不同材料性能對比
p6
5 玻璃-四大應用場景 産品形態 功能定位 含 TGV 替代對象 産業化進度(核驗口徑) 價值量/ 難度 玻璃臨時載板 Carrier 臨時支撑,解鍵合後移 除,不進入最終産品 否 矽載板/陶 瓷載板 最成熟,已率先量産; 低/低 玻璃中介層 Interposer 芯片間信號轉接, 2.5D/3D先進封裝核心 是 矽中介層 (TSV) 行業2026年驗證、2027年 試産、2028H2量産 高/高 玻璃核心基板 CoreSubstrate 替代ABF有機芯層 是 ABF載板芯 層 GlassBridge (CPO光互連) FAU
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6 場景一:臨時載板難度低已量産 産業進展:玻璃幾種形態中,唯一已量産 工藝難點:臨時鍵合材料性能(粘合性好、低殘留、易剝離),激光能量控 制精確 器件晶圓/重構面板 臨時鍵合膠 玻璃臨時載板 激光透過玻璃 封裝完成 資料來源:群益金鼎證券 圖1:玻璃臨時載板示意圖
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7 場景二:玻璃中介層,難度較大 産業進展:尚未量産—台積電CoPoS玻璃中介層,難度高,2028年量産;三星計劃 2026年原型、2028年導入;英特爾目前處試驗性導入 工藝難點:TGV成孔(飛秒激光誘導+濕法刻蝕)、電鍍填銅(高深徑比無空洞, 良率低)、玻璃硬脆,雙面精細RDL(綫寬≤2μm); 玻璃基板+TGV通孔 ①激光誘導成孔 電鍍填銅(最大卡點) ②雙面RDL重布綫 (微米級細綫路) GPU HBM 玻璃中介層(TGV) ABF基板 ③芯粒倒裝互連 鍵合到封裝基板 封裝完成 ④替代矽中介層 更大尺寸、更低成本 資料來源:群益金鼎證券 圖1:玻璃中介層示意圖
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8 場景三:玻璃芯基板 産業進展:三巨頭量産窗口集中在2027年–2028年,SKC/Absolics向AMD/亞馬遜送樣認證; 三星電機與住友化學合資,2027下半年量産;英特爾計劃2030年全面商用;台積電0.8mm玻 璃芯基板已驗證,擬先導入現有CoWoS 工藝難點:玻璃-樹脂界面結合(ABF-CTE30~50,有翹曲的問題)、超薄芯板搬運、熱壓匹 配(玻璃導熱慢,增層固化窗口窄)、玻璃TGV、金屬化工藝難點 傳統ABF基板(有機芯) ABF增層(上) BT/樹脂芯板(CTE≈15) ABF增層(下) 有機芯與矽CTE失配 →大尺寸封裝翹曲瓶頸 玻璃芯基板(玻璃芯+ABF增層) ABF增層(上) 玻璃芯(CTE≈3,匹配矽) ABF增層(下) 只換芯材、不改架構 →可先導入現有CoWoS産綫 資料來源:群益金鼎證券 圖1:玻璃芯基板示意圖
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9 場景四:康寧GlassBridge 資料來源:群益金鼎證券 圖1:康寧GlassBridge示意圖 康寧6月24日,正式宣布下一代玻璃光互連組件GlassBridge。GlassBridge是一 款基于玻璃波導技術的光纖—光子集成電路(PIC)連接器,主要面向NPO/CPO及 玻璃基板半導體封裝市場。 技術進展:康寧發布原型,正在聯合頭部廠商進行工程化驗證,預計順利的話或 將在2028年開始量産。 工藝難點:1.晶圓級玻璃離子交換(IOX)波導工藝需要極其精密的光刻工藝;2. 玻璃通孔(TGV)的加工成本依然偏高;3.大尺寸玻璃基板的生産穩定性不足。 標準TMT接口 高精度物理對準端 IOX離子交換波導 實現模場轉換與無源耦 合 矽光子引擎(PIC) ffffffffffffffffffff ffffff
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10 康寧GlassBridge 資料來源:群益金鼎證券 圖1:康寧GlassBridge優點 GlassBridge能够匹配光纖到芯片間的尺寸差、模態差,幷且被動對準的組裝工 藝簡單,長期使用的可靠性更高。 傳統FAU GlassBridge新方案 間距收斂 困難。光纖較粗,很難在短距離內 將間距壓縮到芯片尺寸。 極强。利用玻璃內部波導,可以輕 鬆收斂,實現250μm到30μm的轉 換。 耦合效率 較低。光纖模場大,芯片模場小, 直接對接損耗大,通常需要複雜的 透鏡系統。 高。通過離子交換工藝調整折射率, 實現模場平滑過渡,損耗更低且穩 定。 組裝工藝 複雜。需要主動對準,逐根或逐組 調整位置幷點膠固化,速度慢,良 率受人爲因素影響。 簡單。采用被動對準,利用光刻精 度保證位置,適合晶圓級批量製造。 可靠性 膠水老化風險。依賴大量紫外膠固 定,長期高溫下膠水可能失效導致 光路偏移。 穩固。玻璃是無機材料,熱穩定性 極好,且結構更緊凑
p12
11 製造工藝:六大環節難點與產業影響 環節 工藝難點 對製造的影響與難度 相關設備與材料 玻璃與TGV 孔形、孔壁損傷及全板一致性 ☆☆☆ 玻璃材料、激光、蝕刻及清洗 銅填孔 空洞、厚度均勻性、沉積應力 ☆☆☆☆☆ PVD、化學電鍍設備、藥液 增層與RDL 套刻、細綫路缺陷等 ☆☆☆☆ 曝光、塗布、鍍銅及增層介質 臨時鍵合 鍵合膠粘合性、低殘留、易剝離 ☆☆ 鍵合/解鍵合設備、膠水 薄化研磨切割薄化翹曲、邊緣缺陷微裂紋破片 ☆☆ 研磨、切割、邊緣保護設備 檢測與可靠性 表面與內部缺陷識別、失效定位 ☆☆☆ AOI、X-Ray/CT、電測等 任一後段工序失效都會損失此前累計投入—整綫良率決定量產進度 資料來源:Corning、群益金鼎證券 來料 → TGV成孔 →TGV金屬化→增層×N層→臨時鍵合→薄化研磨→終檢修復 紅每層循環 藍只做一次
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12 良率分解(一):各工藝節點對整體的影響 圖1:基準分配下的累計良率(整體≈70%) 99.5 98 92.6 75.8 73.1 70.9 70.2 60 70 80 90 100 累計良率(%) 解讀:提良率的優先級 增層單層±0.1pct→整體±1.4pct; 其餘節點±1pct僅±0.7pct 提良率優先級:增層單層>金屬化>鍵合 >成孔 節點 基準良率-1pct後整體 拖累 增層布綫(層) 99.0% 57.3% -12.9pct TGV金屬化 94.5% 69.4% -0.8pct TGV成孔 98.5% 69.5% -0.7pct 臨時/解鍵合 96.5% 69.5% -0.7pct 薄化研磨 97.0% 69.5% -0.7pct 終檢與修復 99.0% 69.5% -0.7pct 來料檢驗 99.5% 69.5% -0.7pct 資料來源:群益金鼎證券整理測算 來料 → TGV成孔 →TGV金屬化→增層×N層→臨時鍵合→薄化研磨→終檢修復 紅每層循環 藍只做一次 圖2:各環節良率對整體良率的影響敏感性分析
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13 良率分解(二):增層敏感性分析及國內進展 63.5 67.5 70.2 73.1 76.1 79.3 55 60 65 70 75 80 85 98.5% 98.8% 99.0% 99.2% 99.4% 99.6% 整體良率(%) 增層每一層的單層良率 整體良率% 70%門檻 整體≥70%的節點要求(基準分配) 敏感性:增層每層99.3%→99.0%,總良率 74.6%→70.2% 環節 企業 已披露良率/狀態 綜合(8層全 玻璃載板) 沃格光電 90%以上(武漢產綫穩定小 批量供貨) 增層/部分環 節 京東方 部分環節達「顯示級」 TGV成孔 藍思科技 激光誘導工藝通孔零缺陷 (樣品口徑) 金屬化/疊層 /檢測 凱盛科技 暫無成熟量產方案 行業綜合 — 75%→85%量產爬坡階段 參照(海外) TGV通孔綜合良率穩定超 85% 資料來源:群益金鼎證券整理 圖1:整體良率對增層單層良率的敏感性(20層產品)圖2:國內企業披露現狀
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14 2026年產業變化:需求端與供給端共振 廠商 玻璃中介層Interposer 玻璃芯基板GlassCore 台積電 CoPoS面板級封裝核心方案(以玻璃芯爲底 座、兼具基板功能);2026年建成 310×310mm試產線,2027年試產/小批量, 2028H2–2029年量產; 2026年6月發布「CoWoS玻璃基板開發計畫」,與 Ibiden、群創聯合驗證0.8mm玻璃核心基板 (5xReticleCoW,85×110mm);擬先導入現有 CoWoS;玻璃基板全面量産推估2030年後 英特爾 2EMIB矽橋+玻璃芯基板混合路綫;2026.01NEPCON 展出78×77mm樣品(10-2-10結構,22層)2027年 發布玻璃芯基板CPU;2030年全面商用 三星 2024年CES官宣研發玻璃仲介層;三星電子 測試用於HBM4堆疊封裝;計劃2026年內推 出原型,2028年導入先進封裝 三星電機+住友化學合資,世宗工廠試産綫運行中 ,2027年下半年量産;已向蘋果送樣(BaltraAI 晶片) 英偉達 依托台積電CoPoS 評估中 華爲 京東方20層玻璃基板樣品已送測,2027年 底配套企業量産 通過京東方/沃格光電/長信科技等合作推進;內 部規劃2028H1玻璃基封測量産 預計產業化時間軸:2027年–2028年導入窗口,2028年–2030年有望進入收入增長階段;
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15 國產鏈全景:材料設備工藝連續推進 環節 代表企業 2026年最新進度 下一節點 玻璃原片 力諾藥包 硼矽1t/d中試運行;18t/d技改綫年底投產 新建8–10t/d產綫2027年投產 凱盛科技/戈碧迦/ 彩虹 凱盛內供+10億專項;戈碧迦過部分驗證;彩虹研發 納入2027年國家預算;送樣→供貨 設備 帝爾激光(TGV成孔)晶圓+面板級雙綫出貨,批量交付京東方、沃格 成套訂單與複購持續 東威/匯成/北方華 創 東威TGV訂單落地;匯成、北方華創種子層PVD 中試綫驗證→產綫放量 芯碁微裝(光刻) PLP直寫光刻已取訂單 面板級訂單擴大 關鍵材料天承/奧來德/三孚 天承鍍銅化學品小批量供貨;奧來德PSPI放量;三孚 驗證中 複購隨產綫運行持續放量 成品載板 京東方 20層、>100×100mm樣品送客驗證;全流程試驗綫貫通 ;約70%核心設備完成選型幷下意向訂單 10月招標→2027H1投決/設備搬入 →2027年底爬坡量產 沃格光電 武漢10萬㎡産綫滿産、綜合良率90%+,國內唯一穩定 小批量供貨;1.6T/3.2T光模塊載板送樣 成都8.6代2026年底投產→總產能40萬 ㎡/年 藍思科技 Intel全球首個TGV深度合作方;北美客戶按圖紙送樣 、年內小批量交付,韓國客戶完成驗證 3萬㎡專用廠房2026年底投產 凱盛科技/TCL科技 凱盛TGV中試綫年內動工;TCL組建團隊聯合攻關TGV填 銅、多膜層應力,2026H2展樣 凱盛2027H1中試投產;TCL籌建中試平 臺 連續節奏:2026Q4京東方設備招標·藍思廠房投產·沃格成都投產→2027H1京東方投決+設備搬入·凱盛中試 投産→2027年底京東方爬坡量産→2028年對接台積電CoPoS/NVIDIA導入窗口 資料來源:群益金鼎證券整理
p17
16 國內華爲鏈進度較快 公司 工藝環節 鏈內角色與證據 沃格光電 TGV全製程載板 華爲CPO送樣、方案寫入華爲光互連白皮書 京東方A 大尺寸載板量産主力 20層樣品送測華爲,聯合研發主方 凱盛科技 玻璃原片 央企兜底原片,10億專項投入 戈碧迦 玻璃原片 華爲昆侖玻璃微晶原材料獨供 長信科技 TGV加工 綁定華爲2012實驗室定製開發 帝爾激光 TGV激光成孔設備 批量交付京東方、沃格 天承科技 鍍銅填孔化學品 切入京東方等供應鏈 •除沃格(CPO送樣)、京東方(送測)爲實證外,其餘爲國産鏈能力向華爲鏈的 映射推演,具體供應關係以公司披露爲準 資料來源:群益金鼎證券整理 16
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17 設備訂單先行 公司 環節 已披露進展 帝爾激光 激光改質、刻蝕 TGV激光改質設備持續取得訂單和收入,已出現改質+刻蝕成 套訂單及玻璃基板客戶複購;批量交付京東方、沃格,台灣 客戶下二批複購訂單 東威科技 TGV電鍍、PVD及RDL設備 2025年PVD、TGV及RDL設備已交付客戶,2026H1新增TGV設備 訂單 盛美上海 濕法電鍍/清洗 玻璃兼容PLP清洗、刻蝕及電鍍設備 匯成真空 TGV種子層PVD濺射 板級TGV種子層濺射系統,可面向中試綫或産綫配置腔體 芯碁微裝 PLP直寫光刻、RDL圖形化 PLP設備支持玻璃等基材幷已取得訂單 北方華創 面板PVD TGV/RDL附著層和種子層産品 德龍/大族/華 工 激光、電鍍 德龍聯合建設TGV全流程試驗綫;大族展示專用機型;華工 整機定型並初步中試 •產綫建設中設備投資佔比超70%,設備被公認爲决定良率與産業化進程的核心卡點 資料來源:群益金鼎證券整理 17
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18 京東方A(000725.SZ) 全球顯示面板龍頭,國內首家從面板領域切入先進封裝的企業:玻璃基封裝載板試驗綫已實 現全自動化通綫,與康寧戰略合作,20層大尺寸玻璃基載板完成樣品開發幷送樣國內客戶 圖1:公司玻璃基封裝載板樣品 圖2:公司營收及淨利潤情况(億元) 0 500 1,000 1,500 2,000 2,500 2021 2022 2023 2024 2025 营收 净利润 玻璃基板産業鏈定位:玻璃基封裝載板(GCS) 主業爲全球顯示面板龍頭(2025年營收2046億 元);玻璃基載板目標産品爲大尺寸算力芯片 先進封裝所需的GlassCoreSubstrate 采用“玻璃芯+ABF”混合方案,破解傳統有機 基板在AI芯片大尺寸封裝中的翹曲壁壘 玻璃基板業務核心優勢 面板産綫的薄膜沉積、光刻、蝕刻工藝與全 球領先的自動化産綫管理體系天然遷移,設 備折舊成本優勢顯著 已實現高深寬比TGV開孔、深孔填銅、低應力 金屬布綫、高層數壓合、高密度布綫全流程 工藝拉通
p20
19 京東方A(000725.SZ) 京東方作為全球LCD面板龍頭,依托玻璃基加工與大 規模集成製造核心優勢,將玻璃基封裝載板列爲與 鈣鈦礦、光互連幷列的三大創新業務,公司已發布 面向半導體封裝的玻璃基面板級封裝載板,從顯示 向先進封裝延伸。 1H26公司實現營業收入1031億元,同比增長1.8%; 歸母淨利潤52.5億元,同比增長62%,扣非淨利潤30 億元,同比增長31.8%。 預計公司2026-28年實現淨利潤82億元、119億元和 156億元,EPS分別為0.22元、0.32元和0.42元,目 前股價對應2028年PE約12倍,給予買進的評級。 圖:公司營收及淨利潤(億元) 營收 年成長率 稅後純益 年成長率 EPS (百萬元) (%) (百萬元) (%) (元) 2026 224,207 9.6 8,236 40.6 0.22 2027 249,230 11.2 11,881 44.3 0.32 2028 275,614 10.6 15,616 31.4 0.42 *以股本370億計算,股價為2026年10月16日收盤價 -100 0 100 200 300 400 500 600 1Q22 2Q22 3Q22 4Q22 1Q23 2Q23 3Q23 4Q23 1Q24 2Q24 3Q24 4Q24 1Q25 2Q25 3Q25 4Q25 1Q26 2Q26 营收 净利润
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20 沃格光電(603773.SH) 國內TGV玻璃基板全制程龍頭,“玻璃薄化—激光打孔—鍍膜—填銅—多層布綫”全流程覆蓋, 建成國內首條自主可控TGV量産綫,産品批量送樣華爲、英偉達、中際旭創等頭部客戶 圖1:公司玻璃基TGV多層綫路板及玻璃基MIP封裝載板 玻璃基板産業鏈定位:中游TGV全制程加工 主業爲光電玻璃精加工與顯示器件(2025年營收 25.5億元),傳統客戶涵蓋京東方、TCL華星等 子公司湖北通格微專注玻璃基TGV多層綫路板,覆 蓋MicroLED直顯、光模塊/CPO、5.5G/6G射頻、先 進封裝、微流控五大應用 圖2:公司營收及淨利潤情况(億元) -5 5 15 25 2021 2022 2023 2024 2025 营收 净利润 玻璃基板業務核心優勢 通孔孔徑最小可至3μm、深徑比最高150:1, 支持四層綫路堆叠,批量良率行業領先 牽頭TGV封裝基板行業標準制定,主導發起中 國玻璃綫路板産業聯盟(京東方、維信諾、 大族半導體等參與)
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21 沃格光電(603773.SH) 沃格光電作為國內TGV玻璃基板全製程龍頭。深度布局 玻璃基TGV多層綫路板,同時覆蓋光模塊/CPO等五大應 用。公司1.6T光模塊CPO玻璃基載板已向國內頭部客戶 送樣驗證 2026年上半年公司實現營業收入12.28億元,同比增長 3.2%;虧損1.23億元,主要系新型顯示和泛半導體兩 大新板塊仍處投入期、折舊及固定開支較高。 預計公司2026-27年實現淨利潤0.47億元和1.45億元, 2026年扭虧為盈、2027年同比增長209%,EPS分別為 0.21元和0.65元,目前股價對應2027年PE約110倍,給 予買進的評級。 圖:公司營收及淨利潤(億元) 營收 年成長率 稅後純益 年成長率 EPS (百萬元) (%) (百萬元) (%) (元) 2026 2,853 11.8 47 -129.7 0.21 2027 3,453 21.0 145 208.5 0.65 2028 5,305 53.6 291 100.7 1.30 *以股本2.25億計算,股價為2026年10月16日收盤價
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22 芯碁微裝(688630.SH) 全球PCB直寫光刻設備龍頭(2025年市占率18.8%),依托半導體級LDI技術底座切入先進封裝:國內首台 510×515mm板級封裝直寫光刻設備PLP2000斬獲頭部客戶訂單,可滿足玻璃基板封裝2μm量産制程需求 圖1:公司板級封裝直寫光刻設備PLP2000 圖2:公司營收及淨利潤情况(億元) 0 3 6 9 12 15 2021 2022 2023 2024 2025 营收 净利润 玻璃基板産業鏈定位:封裝光刻曝光設備 直寫光刻設備覆蓋PCB、IC載板、先進封裝、掩 膜版四大場景,爲全球唯一全場景覆蓋的直寫 光刻設備企業 玻璃基板、CoPoS、FOPLP、PLP等先進封裝路綫 向更大尺寸、更細RDL綫路演進,直寫光刻爲封 裝制程核心剛需設備 玻璃基板業務核心優勢 PLP2000最大支持600×600mm大板加工,滿足 CoPoS、FOPLP、玻璃基板封裝2μm量産解析 能力,補齊國內板級曝光裝備短板 WLP系列已完成多家先進封裝頭部客戶驗收幷 量産、獲重複訂單;2025年泛半導體業務毛 利率54.5%,顯著高于PCB主業
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23 芯碁微裝(688630.SH) 芯碁微裝作為國內直寫光刻設備龍頭。深度布局玻璃基 板TGV線路層直寫曝光設備,同時覆蓋PCB、泛半導體 (先進封裝、掩膜版)等核心應用。 公司直寫光刻設備可用于玻璃基板綫路層的光刻加工, 二期園區已投産、可有效承接TGV產業化的增量訂單。 1H26公司實現營業收入11億元,同比增長69%;淨利潤 2.81億元,同比增長98%。 預計公司2026-28年實現淨利潤6.3億元、10.6億元和 15.9億元,同比增長118%、68%和50,EPS分別為4.32 元、7.25元,和10.87,目前股價對應2028年PE約30倍, 給予買進的評級。 圖:公司營收及淨利潤(億元) 營收 年成長率 稅後純益 年成長率 EPS (百萬元) (%) (百萬元) (%) (元) 2026 2,968 110.8 633 118.3 4.32 2027 5,082 71.2 1,062 67.8 7.25 2028 7,359 44.8 1,593 50.0 10.87 *以股本1.5億計算,股價為2026年10月16日收盤價 0 1 2 3 4 5 6 7 1… 2… 3… 4… 1… 2… 3… 4… 1… 2… 3… 4… 1… 2… 3… 4… 1… 2… 营收 净利润
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24 凱盛科技(600552.SH) 國內唯一實現UTG從原片到成品全鏈條自主可控的企業;8英寸TGV玻璃基板中試綫打通“原片— 打孔—填銅”全流程,爲TGV國家級行業標準第一起草單位,卡位産業鏈最上游原片環節 圖1:公司UTG超薄柔性玻璃(30微米級可折叠玻璃) 圖2:公司營收及淨利潤情况(億元) 0 10 20 30 40 50 60 70 2021 2022 2023 2024 2025 营收 净利润 玻璃基板産業鏈定位:上游特種玻璃原片+TGV基板 主業爲顯示材料(UTG、ITO導電膜玻璃等)與 應用材料,UTG市占率約42%居國內第一,全球僅 康寧、肖特、NEG與凱盛四家具UTG原片量産能 力 自研低膨脹無碱硼矽玻璃原片,熱膨脹係數低 至3.0ppm/℃,優于國際同類産品 玻璃基板業務核心優勢 8英寸TGV中試綫打通玻璃原片、飛秒激光打 孔到通孔填銅金屬化全流程:最小孔徑5μm 、深徑比100:1、樣品良率超85% 背靠中建材蚌埠院60年特種玻璃研發積累; TGV國家級標準第一起草單位,話語權突出
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25 凱盛科技(600552.SH) 盛科技作為國內UTG超薄柔性玻璃龍頭,深度布局顯 示材料與應用材料兩大板塊。公司UTG二期已全面投 産,自主研發大尺寸車載UTG、AR眼鏡UTG並開展驗 證測試,玻璃基板等産品完成小批量樣品交付。 2026年上半年公司實現營業收入31億元,同比增長 12.54%;實現淨利潤0.63億元,同比增長22.71%, 主要系顯示材料部分業務向好、應用材料主要産品 量價回升。 預計公司2026-28年實現淨利潤2.1元、3.4億元和 5.3億元,同比增長65%、59%和56%,EPS分別為0.22 元、0.36元和0.56元,目前股價對應2028年PE約24 倍,給予買進的評級。 圖:公司營收及淨利潤(億元) -1 0 1 1 2 2 3 3 4 4 1Q22 2Q22 3Q22 4Q22 1Q23 2Q23 3Q23 4Q23 1Q24 2Q24 3Q24 4Q24 1Q25 2Q25 3Q25 4Q25 1Q26 营收 净利润 營收 年成長率 稅後純益 年成長率 EPS (百萬元) (%) (百萬元) (%) (元) 2026 7,306 24.3 212 64.8 0.22 2027 8,665 18.6 338 59.4 0.36 2028 10,287 18.7 528 56.2 0.56 *以股本9.5億計算,股價為2026年10月16日收盤價
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26 帝爾激光(300776.SZ) 激光精密加工設備龍頭,玻璃基板TGV激光微孔設備國內唯一實現晶圓級+面板級雙綫出貨,批 量交付京東方、沃格光電幷實現面板級設備出口,已進入成套訂單與客戶複購階段 圖1:公司TGV自動化全流程驗證平臺技術鏈路 圖2:公司營收及淨利潤情况(億元) 玻璃基板産業鏈定位:TGV激光微加工設備 主業爲光伏激光精密加工設備龍頭,覆蓋 PERC、TOPCon、HJT、BC及鈣鈦礦全技術路綫, 並嚮半導體先進封裝、新型顯示領域延伸 TGV激光微孔設備實現晶圓級+面板級技術全覆 蓋,爲國內唯一雙綫出貨廠商,國內市占率約 40%以上 玻璃基板業務核心優勢 批量交付京東方、沃格光電等頭部客戶,台 灣客戶下二批複購訂單,已出現激光改質+刻 蝕成套訂單 ➢2026年1月面板級TGV設備出口發貨、爲國 內首家;最小孔徑3-5μm、深徑比≥100:1, 指標達國際一流水平 12.6 13.2 16.1 20.1 20.3 3.8 4.1 4.6 5.3 5.2 0 5 10 15 20 2021 2022 2023 2024 2025 營收 淨利潤
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27 帝爾激光(300776.SH) 帝爾激光是國內激光精密加工設備龍頭,除光伏激光 主業外,公司積極拓展半導體先進封裝產品綫,是國 內少有實現晶圓級+面板級TGV設備全覆蓋的廠商。 公司TGV設備已由技術儲備進入商業化交付:批量交付 京東方、沃格光電,幷已出現激光改質+刻蝕成套訂單 及玻璃基板客戶複購,國內市占率高。 1H26公司實現營業收入10.29億元,同比下降12.0%; 實現淨利潤3.06億元,同比下降6.4%。 預計公司2026-27年實現淨利潤6.89億元和9.23億元, YOY分別增長32.7%和34.0%,EPS分別為2.42元和3.24 元,目前股價對應2027年PE約27倍,給予買進的評 級。 圖:公司營收及淨利潤(億元) 營收 年成長率 稅後純益 年成長率 EPS (百萬元) (%) (百萬元) (%) (元) 2026 2,657 30.7 689 32.7 2.42 2027 3,282 23.5 923 34.0 3.24 2028 4,730 44.1 1,349 46.2 4.73 *以股本2.8億計算,股價為2026年10月16日收盤價
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28 附錄:A股相關環節 環節 核心標的 進展/定位 玻璃原片/載板 戈碧迦、菲利華、彩虹股份、凱盛科技 戈碧迦:國內唯一量産出貨鍵合玻璃載板 (供通富微電-AMD);菲利華:高純石英 玻璃;彩虹/凱盛:原片研發 TGV加工/基板 沃格光電、京東方A、藍思科技、長信科技 沃格光電:武漢10萬㎡産綫投産、送樣英 特爾/英偉達/華爲;京東方:20層樣品送 測華爲;藍思/長信:中試送樣 激光設備 帝爾激光、大族激光、德龍激光、華工科 技 帝爾激光:TGV激光微孔設備已批量出貨面 板級産綫;大族激光:全套多制程設備通 過海外封裝廠認證 電鍍/化學品 東威科技、天承科技、三孚新科、飛凱材 料 東威科技:高深徑比電鍍設備;天承科技 :TGV填孔添加劑供沃格光電;三孚新科: 電鍍化學品 封測/代工 長電科技、通富微電、晶方科技、賽微電 子 長電科技:XDFOI産綫兼容TGV;通富微電 :2.5D/3D産綫通綫;晶方科技:Fan-out 玻璃基板多年量産
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29 謝謝 謝謝! !