校正紀錄

落地時與珩石版（Jason）交叉比對，下列處存疑；原文未動。 - Q&A 9 括號內「（錯了，上次就是這個數字）」為記錄者備註，語意為 2028 年原即預告 150%，本次非上修 - 「2027 年、2028 年產出皆預計增加 150%」：以晶片顆數（die level）計算，兩年累計約 6 倍（2.5×2.5） - 營收 15.62 億、QoQ「約 28%」與公司頁 GS 彙整之 3Q26 營收 1,562m 一致；毛利率 58.6%、營益率 49.4%（7.71÷15.62）、淨利 6.21 億、EPS 6.12 元內部可驗算 - 珩石版「第四季營收成長將會與 2028Q4 相當」應為 2025Q4（筆誤），以富邦版為準

LINE memo 2026-10-28 17:22

(emoji)富邦投顧call memo (emoji)聯亞（3081TT）法人說明會 (emoji)2026/10/28

(emoji) (emoji) 3Q26 EPS達6.12元，優於預期 (emoji) 4Q26預估營收季增超過16% (emoji) 2027年、2028年產出皆預計增加150%

(emoji) 未來產能擴充持續大幅增加，訂單大於產能，我們正向看待後市。

1. 2026 年第三季財務表現 • 營業額（營收）： 第三季營業額為新台幣 15.62 億元，較上一季成長約 28%，成長主因是出貨量持續增加。 • 毛利率與利潤率： 隨營業額持續成長，毛利率進一步提高至 58.6%；營業利益為 7.71 億元，營業利益率達 49.4%。 • 營業費用： 約 1.43 億元，較第二季增加約 1,400 萬元。增加項目主要為研發費用，以及隨獲利提升而按比例提列的員工分紅費用。 • 折舊費用： 第三季折舊金額約為 7,660 萬元，較第二季增加 160 萬元。 • 業外與淨利： 第三季匯兌收益約 12 萬元；稅後淨利為 6.21 億元，單季 EPS 為 6.12 元。
2. 2026 年第三季營收組成 • 資料中心（Data Center）： 佔總營收約 80% 至 85%，該應用中多數為矽光產品（Silicon Photonics）。 • 電信（Telecom）： 佔總營收比重約 5% 至 10%。 • 其他產品： 約佔 5%。
3. 2026 年第四季營運展望 • 需求與訂單能見度： 矽光產品需求依然十分強勁，主要客戶目前均已開始下 6 個月以上的長期訂單。 • 出貨與產能釋放： 隨公司與下游代工廠產能持續增加，預期矽光產品出貨量在接下來幾季將持續成長。預計 2027 年第一季會有比較多產能開出，屆時產出數量將有更明顯增加。 • 營收成長率： 預期第四季的營收季成長率（QoQ），大約與 2025 年第四季的季成長率相當。
4. 資本支出與新產能規劃 • 累計資本支出： 過去一年董事會通過的資本支出計畫金額已超過新台幣 80 億元。 • 長期產能倍增目標： o 預計 2027 年的總產出數量較 2026 年增加 2.5 倍（年增率 150%）。 o 預計 2028 年的總產出數量較 2027 年再增加 2.5 倍（年增率 150%）。
5. 產品與技術開發進度 • 矽光產品： o 1.6T 產品已正式開始量產。 o 後續 3.2T 以及針對 NPO/CPO 應用的更高功率產品，均正與客戶合作開發與驗證中。 • 其他產品線： 下一代 FTTH、手機應用之 LD/PD 產品以及 LiDAR 等產品，均依計劃持續進行開發與驗證。

(emoji)(emoji) 1. 關於毛利率展望與影響因素 • Q： 第三季營收季增 28%，毛利率提升至 58.6%（較上季增加約 1 個多百分點）。在第四季營收指引（預計季增率與 2025 年第四季相當）下，未來幾個季度的毛利率展望該如何看待？ • A： 毛利率主要受三個因素影響： 1. 營收與產出： 營業額持續成長是可預期的。 2. 匯率變化： 第三季前段台幣持續升值，9 月底後轉貶，產生少許不利影響。 3. 成本面因素： 未來兩年產能將倍數成長，意味著需大幅增加人員，且新設備將逐步反映在折舊費用上（折舊佔營收比重目標控制在 8%~10%）。 公司不預期毛利率會無限度成長，定價策略旨在維持聯亞合理利潤，同時不讓客戶覺得賺取過度超額利潤。

1. 關於光通訊產業報價趨勢 • Q： 近期整體光通訊產業的報價趨勢是趨於穩定，還是因供不應求而仍有上漲空間？ • A： 由於過去一兩年持續供不應求，已經很長一段時間沒有客戶提出議價，因此未看到價格下滑的趨勢。針對原物料上漲，公司均有適當向客戶反映與調整，但不會評論特定產品的價格。

2. 關於多波長雷射的應用與競爭優勢 • Q： 公司在多波長雷射技術上領先業界，未來一至兩年在特定應用（如 Coherent lite光模組或 Scale-across）的發展前景為何？ • A： 涉及特定客戶技術不便明言，但從 800G 到 1.6T 均已量產 8 波長甚至 16 波長的解決方案。多波長產品具備兩大優勢：

3. 單價高： 平均單價比一般單波長產品高出 50% 以上。

4. 競爭壁壘高： 全球有足夠產能與經驗量產多波長雷射的廠商極為有限，聯亞為客戶的核心主要供應商。

5. 關於業外收支、折舊與資本支出金額 • Q： (1) 第三季業外收支細節為何？ (2) 本季折舊費用與累計資本支出金額？ • A：

6. 業外與利息： 第三季包含可轉換公司債（CB）利息，若未轉換為普通股，預計未來每季平均約有 1,500 萬元利息費用。
7. 折舊費用： 第三季折舊費用為 7,660 萬元。

8. 資本支出： 過去一年董事會通過的資本支出計畫總金額已超過 80 億元，將隨後續設備到位逐漸實施與支出。

9. 關於 EML 與 CW 雷射的布局 • Q： CW 雷射與 EML 雷射的布局狀況為何？新增產能是否仍以 CW 雷射為主？ • A： EML 一直有在量產，但過往以 Telecom 應用為主，Data Center 用的單顆 100G/200G EML 數量較少。目前產品主軸與新擴增加的產能依然以 CW 雷射 為絕對核心。

10. 關於 FTTH 與手機 LD/PD 產品開發 • Q： FTTH 與手機用 LD/PD 產品的驗證進度，是全新產品還是原有產品的升級？ • A： 原本即有這些產品線，過去幾年均持續向市場說明，目前係依計畫進行產品開發與驗證。

11. 關於高功率（>100mW）CW雷射的架構設計 • Q： 在大於 100mW 的高功率 CW 雷射產品中，是否需要整合 SOA（半導體光放大器）以達到輸出要求？ • A： 針對 NPO 或 CPO 等 100mW 以上需求，各客戶的要求與設計不同，無論是否需要整合 SOA，公司均有相應的解決方案。

12. 關於 8 月簽訂之重大長約與長遠產能規劃 • Q： 管理層補充說明 8 月份董事會通過之長約與長期產能擴充計畫） • A：

13. 美系客戶長約： 與一家美國大型 Data Center 客戶簽訂 為期 4 年的長期供貨合約，並於 8 月新增約 30 億元資本支出（近一年累計資本支出超 80 億元）。
14. 產能倍增目標： 預計 2027 年產能（產出數量）較 2026 年增加 2.5 倍（+150%）；2028 年產能再較 2027 年增加 2.5 倍（+150%），兩年累計產出預計增加約 6 倍。
15. 訂單能見度： 主要客戶下單期間均已超過 6 個月，手頭訂單金額已超過 2026 全年預估營收。

16. 基板供貨合約： 為確保原物料穩定，與另一家日本基板供應商簽署 4 年長約。目前已與 兩家日本及一家美國 主要基板供應商簽有長約。

17. 關於 2028 年產能擴充目標上修與訂單狀況 • Q： 此前預估 2028 年產能擴充一倍，本次改為增長 150%（錯了，上次就是這個數字），是否代表目標上修？是否源於新訂單或客戶提高 Forecast？ • A： 主因是 8 月底追加了近 30 億元資本支出（主要反映於 2028 年產能），反映了美系客戶 4 年長約及其他客戶的強勁需求。手頭訂單已超越 2026 全年營收，提供了大幅擴產的信心。

18. 關於高功率雷射與基板尺寸轉型（2吋/3吋/4吋/6吋） • Q： 未來製作高功率雷射是否會由 3 吋基板推進至 4 吋或 6 吋？時間點為何？ • A：

19. 供應鏈瓶頸與成本： 基板尺寸對生產成本影響不如想像中大，關鍵在於供應商產能。目前最不缺的是 2 吋基板（部分產品仍使用），4 吋供應較少，6 吋幾乎無人在量產。6 吋量產時程取決於何時有穩定供應，且基板價格隨尺寸呈倍數增長，成本節省並非單純等比計算。

20. 晶片面積與產能消耗： 單顆功率需達 300mW 以上，晶片面積（Die size）才會顯著增大。隨功率升至 250mW~300mW 以上，因良率大幅下降及晶片面積增加，同等 InP 磊晶產能產出的顆數會減少 30%~50% 以上，意即要維持同等顆數產出，產能需增加 50%~70% 以上，這也是 CSP 客戶積極簽長約鎖定 CW 雷射產能的主因。

21. 關於客戶集中度趨勢 • Q： 過往單一美系大客戶曾貢獻近半數營收，未來的客戶集中度趨勢為何？ • A： 公司目前具備較多選擇客戶的餘裕，但在評估時會考量：(1) 中長期（5-15年）發展性；(2) 在資料中心與光通訊技術的領先度；(3) 團隊合作默契。經綜合考量，預計未來幾年主要客戶仍會維持相當高的營收比重。

22. 關於微影設備（E-beam / Nanoimprint / DUV）時程與產能釋放 • Q： 微影設備擴產進度是否符合預期？三種顯影技術（E-beam, Nanoimprint, DUV）進駐時程為何？ • A：

23. 7 月營收跳升主因： 7 月起月營收跳升至 5 億元以上，係因新訂購的第一台 E-beam 機台正式投入量產。
24. 設備進駐時程： 第二種微影技術（Nanoimprint） 預計於 2026 年底進場；第三種微影技術（DUV） 預計於 2027 年加入。

25. 顯著產能釋放： 下一次明顯的產能增長將落在 2027 年第一季（含 MOCVD 等設備到位）。目前訂單大於產能，新產能開出即可轉化為營收。

26. 關於 NPO 與 CPO 的架構發展與光原需求 • Q： NPO 方案分為內部與外部光源，兩者在雷射規格上有何差異？客戶採用意願為何？ • A：

27. 進展趨勢： CPO 在一般資料中心的全面量產不會太快，因多項規格（內外部光源、連接器等）尚未定案。因此 2027 下半年 NPO 將成為過渡性方案，目前幾乎所有主要客戶均在準備 NPO 方案。

28. 光源配置： 目前客戶開發的 NPO 方案幾乎均採用 外部光源，內部光源進程較慢。外部與內部光源在散熱、發光方式及功率上均有大幅差異。

29. 關於後段委外代工產能與出貨型態（EPI vs. Chip） • Q： (1) 前段磊晶擴產後，後段委外代工產能是否會成為瓶頸？ (2) 目前 EPI（磊晶片）與 Chip（晶片）的出貨比重為何？ • A：

30. 代工產能： 已在台灣及海外大幅增加後段合作夥伴，未來的產能倍增計畫已將後段代工產能完整考量在內。

31. EPI vs. Chip 比重： 不提供具體比例，且數字會根據客戶訂單需求及各代工廠專長進行動態調配，並非固定單向趨勢。

32. 關於 2027-2028 年產出計算基準與 200G PD 驗證進度 • Q： (1) 2027-2028 年產能成長 150% 是以 Wafer level 還是晶片顆數（Die level）計算？ (2) 200G PD 的驗證與量產進度為何？ • A：

33. 計算基準： 成長 150%係已換算為晶片顆數（Die/顆數） 進行計算。

34. 200G PD 進度： 過去因產能限制優先生產 LD。因應特定客戶需求，200G 以上 PD 已完成驗證並規劃部分磊晶產能，隨產能增加將開始量產，但營收佔比仍遠低於 LD。

35. 關於後段委外合作夥伴的商業模式與地理分布 • Q： (1) 後段委外代工的營收認列模式為何？ (2) 新增的後段合作夥伴地理分布為何？ • A：

36. 商業模式： 包含兩類。一類為直接賣給夥伴認列營收；另一類為委外加工，代工廠加工完回傳聯亞，由聯亞出貨晶片給客戶並認列晶片營收，中間加工費計為費用。

37. 合作夥伴分布： 台灣增加了數家具備規模的大型集團夥伴，其資本實力與承諾遠高於早期夥伴，有助於聯亞攜手在地供應鏈爭取國際 AI 訂單。

38. 關於設備交期與人力招募 • Q： (1) 目前設備交期是否有新瓶頸？ (2) 大幅擴產下的人力需求與招募狀況為何？ • A：

39. 設備交期： 2027 與 2028 年產能年增 150% 的目標，已將外包與設備交期完整考慮在內。

40. 人力招募： 人力呈倍數增加，目前台灣科技業招募難度較過往增加，但聯亞獲利能力良好，將成果反映於員工分紅費用上，有信心持續吸引優秀人才加入。

41. 關於 DUV 設備用於多波長產品的可行性 • Q： 多波長產品（如 4 波、8 波、16 波）是否能使用 DUV 曝光設備生產？ • A： DUV 設備當然可用於生產 6 波、8 波、16 波產品。由於 DUV 屬於半導體級設備且光罩昂貴，公司會視客戶單一波長的需求數量，彈性安排採用 DUV 或其他兩類微影設備進行生產。