報告_Aletheia_ABF載板_20260702

ABF Substrates — A Core that Integrates All the 'Hottest' Components（Technology Hardware / Global，2026/7/2）。標的：Ibiden、AT&S、Unimicron(欣興)、Infineon、Nittobo。首選 AT&S。

核心論點

• Ibiden 與 AT&S 大舉投資基板「core（核心層）」產能，為 GPU 加速器的多層 core（6-8 層，vs 現行兩層）鋪路，於 core 內埋入被動（MLCC、Si-Cap/深溝槽矽電容）與主動（IVR）元件。
• core 層約占 ABF 基板成本 10%；層數增至 6-8 層將使 core 成本增 3-4x，對基板 ASP 有拉抬（accretive）。惟埋入元件多由客戶指定並「consigned（客供）」，不直接提升基板 ASP；embedding 執行能力（技術/良率）才是關鍵差異化。
• CCL 仍為主流 core 材料（Nittobo T-glass CCL）；玻璃 core 市場雜音被高估，未來 2-3 年無明顯需求；Kyocera 推多層陶瓷 core。ABF 層數不因 core 增層而減少（chiplet 架構更複雜）。
• 早期採用多層 core 者為 nVidia 與 AMD（GPU 加速器）。

Ibiden / AT&S 投資

• Ibiden：2026/2 宣布 ¥500bn 三年 ABF 設備投資（Gama ¥220bn、Ono ¥280bn、含海外）；FY3/26 YUHO 揭露馬來西亞廠 ~¥120bn（原為 Apple iPhone SLP，近年轉 substrate core 生產，支援 Ono/Gama）。core 投資約 €650m。
• AT&S：€1.5-2.0bn capex（Kulim 1 專屬 AMD、Kulim 2 Intel 佔 60-70%＋AMD＋ASIC、新建 core 廠）；Aletheia 認為有再上修空間。AT&S 擁專利 ECP（embedded component package，雷射切孔埋入主被動元件，20 年前用於 SSD、後用於 GaN 模組），為 Infineon VPD 的 ECP-PCB 獨家供應商；多層 core 製程與 ECP 類似。

PMIC 供電演進（Fig 4，Infineon）

• Discrete（Lateral 橫向）：Lumped PDN 90-140μΩ，GPU 電流 >850-1000A 時 PDN 損耗 >100W。
• BVM（Backside Vertical Module 背面垂直）：10-15μΩ（-89%）。
• SiVR（Substrate integrated Voltage Regulator 基板整合式穩壓）：7-10μΩ（-93%），再降基板 PDN 損耗 10-15%。

台廠角度：欣興(Unimicron) 投入 EMIB-T

• 欣興 5/4 揭露下單 Toray Engineering 的 bonder alignment（貼合對位）機台 NT$1.3bn（US$42m），投入 EMIB-T；金額不大，後續是否加碼待觀察。Shinko 已下市、EMIB-T 供應商市佔尚不明。

下一代 core 技術三路線

1. 不同 core 材料（玻璃/陶瓷）：玻璃 core 優於翹曲、細線距、散熱、以更多銅支援高電流，但製程難、substrate 廠未必能做，未來 2-3 年無明顯需求；Kyocera 推多層陶瓷 core。
2. 被動元件埋入：已用於部分 ABF 基板與 Apple M 系列（MLCC、深溝槽矽電容）。
3. 多層結構 core：利用 core 空間埋入主動（半導體）與被動元件。

圖片清單（已驗證 2026-07-03）