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research_補丁科7947_興櫃簡介與產品展望_20261004

更新 2026-10-04

擷取方式:agy grounded 搜尋找來源;櫃買中心 PDF 以 curl 下載、pymupdf 抽文字直接讀原文;官網、新聞頁以 curl 取 HTML 後抽段落全文(各篇均確認標題與內文命中補丁),月營收取自 mopsov 興櫃彙總表。 agy 摘要中的 HiBaLL-S「>100TB/s」、HiBaLL-M「8–16Gb/2–8TB/s per stack」、經營團隊(董事長、總經理以外)學經歷,在原始來源中查無,不採用。Yahoo 股市不提供興櫃 7947 頁面。


一、櫃買中心 興櫃登錄簡介(原文摘錄)

認購價格

  • 輔導推薦證券商僅以本益比法評估;採樣同業 華邦電/創意/愛普,115 年 5–7 月平均本益比:華邦電 49.01x、創意 127.93x、愛普 96.71x;上市半導體 35.23x、上櫃半導體 47.86x。
  • 最近四季(114Q3–115Q2)稅後淨利 724,861 千元 ÷ 擬掛牌股數 60,363 千股 = EPS 12.01 元;考量興櫃流動性風險打八折,價格區間約 470.89–1,229.15 元;議定認購價 740 元。

公司介紹

成立於 95 年 1 月,新竹市,實收資本額 603,632 千元,專業 DRAM IC 設計公司。除新世代高頻寬記憶體技術及 IP 研發外,提供客製化 IC 設計服務、記憶體方案授權及晶片開發整合服務,並持續供應 SDR、DDR/DDR2/DDR3/DDR4、pSRAM 等既有記憶體產品。

歷史沿革(原表)

年度 重要紀事
95 設立於新竹市,實收資本額 1,000 萬元
98 以 100nm DRAM 製程開發 64Mb LPDDR
99 與南亞科簽署投資協議,南亞科參與現增,增資後南亞科集團合計持股達 72.14%
100 90nm 製程完成 16Mb/64Mb SDR 開發,64Mb SDR 投片
101–102 42nm 製程 128Mb/256Mb/512Mb DDR/DDR2 投片;遷至新竹市東美路 89 號 9 樓之 1
103 HBLL-RAM 計畫通過經濟部 A+ 企業創新研發淬鍊計畫
104 42nm 64Mb SDR/DDR、128Mb SDR 投片;ISO 9001
105 30nm 製程 HBLL-RAM 投片,1st Silicon Work;論文獲 ISSCC 審查通過;ISO 14001;金炬獎
106 HBLL-RAM 論文刊登 ISSCC,由補丁與 Intel 及工研院共同發表
107 與南亞科簽署股權轉讓協議,調整股權結構
108–110 25nm 製程 4Gb/2Gb/1Gb DDR3 投片;30nm 128Mb/64Mb SDR/DDR 投片
111 參與 Denxon Corporation 現增,累計持股 100%,並取得孫公司道憶(廈門)科技 100% 股權
112 30nm 製程 64Mb PSRAM 開發
113 現金增資 8,600 仟股,每股 35 元
114 南亞科參與現金增資,以每股 30 元取得 35.76% 股權;對子公司 Denxon 增資
115 投入超高頻寬高階記憶體技術開發,結合先進 DRAM 及 Logic 製程,應用 3D WoW 堆疊 HiBaLL;對 Denxon 增資

未來展望

  • 短期:(1) 深化先進製程記憶體合作(次世代 DRAM 先進製程、客製化超高頻寬記憶體架構);(2) 推進 HiBaLL 系列商業化(客戶導入、樣品驗證、NRE、Design-in 及量產);(3) 擴大技術服務(KGD 測試服務、一站式 Turnkey 客製化設計服務)。
  • 長期:(1) 建立三維晶圓堆疊客製化記憶體平台(DRAM 與邏輯晶片深度整合);(2) 布局 AI 加速器記憶體生態系(國內外 AI 晶片設計公司、系統廠、晶圓製造夥伴);(3) 由前期 NRE 為主,逐步發展至 IP 授權、權利金(Royalty)及晶片銷售等多元營收。
  • 產業結構:上游 IP/EDA;補丁負責記憶體 IC 架構與電路設計、KGD 與三維堆疊整合設計;中游晶圓代工、先進封裝、測試(負責晶圓製造與三維晶圓接合);下游 AI 加速器、伺服器、邊緣裝置及系統廠。

114 年度營收結構

項目 內容 營收(千元) 占比
記憶體產品銷售 HBLL-RAM、HiBaLL-RAM 系列、PIM-DDR3、DDRx DRAM、pSRAM、KGD DRAM 及其他 545,108 66.24%
技術服務收入 客製化記憶體開發服務(架構規劃、規格設計、模擬驗證、系統整合、產品導入) 277,772 33.76%
合計 822,880 100%

簡明損益(千元;110–112 為個體)

項目 110 111 112 113 114 115/1–7 自結
營收 1,090,691 699,142 418,456 417,042 822,880 1,340,580
毛利 360,466 155,030 12,560 113,228 382,524 922,084
毛利率 33.05% 22.17% 3.00% 27.15% 46.49% 68.78%
營業損益 160,195 (30,324) (170,853) (80,813) 198,760 801,940
業外 (620) 404 (10,846) 20,408 5,853 80,615
稅前 159,575 (29,920) (181,699) (60,405) 204,613 882,555
稅後 137,037 (31,935) (180,933) (60,405) 205,328 787,232
EPS(元) 5.65 (1.30) (7.07) (1.87) 3.76 13.04
現金股利 1.00 - - - 2.10 -
盈餘轉增資 0.12 - - - 0.40 -

資產負債與比率(千元)

項目 112 113 114
資產總額 668,301 736,029 1,543,073
股東權益 214,928 462,469 1,346,927
股本 255,740 347,290 580,415
流動比率 126.28% 238.61% 845.88%
應收帳款天數 28 20 35
存貨週轉天數 365 361 186
負債比率 67.83% 37.16% 12.71%

二、官網產品頁(原文摘錄)

  • HiBaLL-RAM:“one-of-a-kind custom design service that provides memory chips with extraordinary bandwidth of over 1 TBPS”;Random access bandwidth of Terabytes/s(16X Performance Increase);Sub-15ns random access latency(25% Latency Reduction);90% Power Reduction(Energy per bit access);Key features: >1 TBPS, custom design to match SOC die, 3D DRAM for high density, Hybrid Bonding stack.
  • HBLL-RAM:Sub-20ns random access latency;144GB/s per die random access bandwidth;1.2V core;1GHz(2Gb/s/pin);4Gb die 8-channel SRAM interface、32 banks per channel;2X random access bandwidth of HBM2、half row latency of HBM2;5pJ/b(1/3 of LPDDR4);single-die single-edge-pad,可與主晶片以 2D SIP 整合、無需 2.5D/3D。產品表:PLHP11440AK4,2.25Gb,288-bit,1.2/1.2/3.5V,1GHz,C/I,MP(另列 4.5Gb 分頁)。
  • PIM-DDR3:大量 ALU 分布於 DRAM cell array 旁;0.5 TOPS/die、4 層堆疊 2 TOPS、16 顆 DIMM 8 TOPS;能耗較現行方案少 90%;採 DDR3 介面與封裝降低成本;處理音訊/影像 AI 任務。
  • About:創辦人 Tah-Kang Joseph Ting(丁達剛),逾 40 年 IC 產業經驗、60+ 專利、ISSCC/JSSC 多篇論文;晶圓廠與 OSAT 在台灣,海外代表遍及中國、日本、法國、以色列、土耳其;提供封裝與未封裝(KGD)產品。

三、月營收(mopsov 興櫃彙總表,千元)

月份 當月營收 去年同月 YoY 累計 去年累計 累計 YoY
2026-08 275,647 78,989 +248.96% 1,616,227 460,324 +251.10%

(上月欄顯示 0,因 7 月時尚未登錄興櫃;2026-09 營收截至 10-04 尚未出現在彙總表。)

四、新聞原文重點

  • 數位時代:2024–1H26 毛利率 27%→46%→67%;AI 客製化設計占營收約 4%→34%→40%。2024 年產品銷售占 96.29%、技術服務 3.71%;1H26 技術服務 39.54%、產品 60.46%。總經理李曉雯:雙方 2011 年簽投資協議、南亞科一度持股超過 50%,2017 年協議結束;2025 年再投資至約 35%。已有兩個以上客戶進行專案,2027 年「很有機會」看到客戶量產。高通 COMPUTEX 背板列出補丁,但雙方未公開合作內容。三星 zHBM 同樣規劃把 HBM 疊到運算晶片上方。已開案客戶主要集中雲端推論,「我們不跟 HBM 做 Training 端的競爭」。
  • 鉅亨 2026-09-07:丁達剛:第一個量產案件明年開始貢獻權利金。已與多家國際半導體業者及北美客戶推進,部分進入設計開發及驗證。李曉雯:客戶多為開發 AI 加速器、希望在推論市場與既有大廠競爭的業者;技術已取得部分實際數據、非單純概念驗證,未見重大難以克服的技術障礙;若客戶依規畫 2027 下半年放量,補丁需在 2027 上半年完成驗證與量產準備。3D 堆疊後良率維持合理水準,整體製程成本可明顯低於 HBM,客戶討論的成本目標遠低於現有 HBM 價格。SRAM 持續負責 Cache,大容量改由 DRAM 承擔。三大 DRAM 廠不普遍承接高度客製化專案;「南亞科製程搭配補丁方案」具高度競爭力。
  • 鉅亨 2026-09-16:開盤 1,035 元,盤中最高 1,205 元(+62.84%);稱已拿下高通案件、被列入高通合作夥伴(記者寫法,公司未證實)。
  • 鉅亨 2026-06-01(COMPUTEX):高通背板 21 家台廠,列入南亞科與補丁;市場傳聞南亞科攜手補丁開發客製化記憶體,以高頻寬低功耗切入高通智慧行動裝置。南亞科稱客製化記憶體已開始小量生產與銷售,2027 上半年可望進一步增加營收貢獻。
  • 工商時報(09-16):丁達剛:「3D 大家都可以做,買設備、做製程,慢慢都會」,押注 DRAM 架構(鍋子 vs 炒菜);2014 投入高頻寬低延遲 DRAM、2016 首次流片、2017 ISSCC;當時一度面臨資金及營運壓力。技術聚焦特殊 DRAM 架構、3D WoW、KGD。南亞科持股約 34%。Edge Inference(手機、AI PC、AR/VR、機器人)Near Memory 重要性提高。
  • 工商時報(09-08):業務涵蓋 IP 授權、NRE、Turnkey 量產服務、標準化 DRAM;命名「善補人之不足,善補己之過失」。
  • 科技新報:NRE 收入約占 40%,未來 Turnkey 占比將顯著提升;3D Stacked DRAM 延遲 17ns、單顆 144GB/s(記者轉述,數字混用 HBLL);代號 7947 取《道德經》77 章。
  • 經濟日報:南亞科持股約 35.14%;迅捷投資約 10.71%。
  • 鏈新聞(南亞科重訊 2026-09-09):處分 715 仟股 @740 元予兆豐證券(輔導推薦券商,供造市),總額 5.29 億元、處分利益約 4.97 億元;處分後持有 20,496,840 股、33.96%,帳面約 9.14 億元(約每股 44.6 元)。
  • Tom's Hardware:@740 元約 60.4M 股,市值約 NT$447 億(約 US$14 億);首日收 915 元(+23.6%)。WoW 產品每層 >2TB/s、延遲 <20ns;TSV 與混合鍵合由客戶的邏輯晶圓廠處理,補丁不自做。良率為 WoW 量產最大障礙:堆疊前、堆疊後、與邏輯接合後皆需測試修補;單層 80% → 4 層 41%、8 層 17%。修補/KGD IP 可跨客戶移植,故 IP+權利金模式合理。南亞科 2025-08-07 與鈺創合資 NT$5 億(80/20)做邊緣 AI 客製高頻寬記憶體;南亞科總經理李培瑛 2025 年表示不做 HBM3/HBM3E;兩者封裝都靠福懋科(建 TSV 與 die stacking)。Nvidia Groq 3 LPU 每顆 512MB SRAM、150TB/s,無 HBM/DRAM;三星 Hot Chips zHBM(DRAM 直接疊在處理器上,約四層受熱限制);SK hynix 稱混合鍵合最早 HBM5。作者判斷補丁可能成為少數加速器客戶的 IP 授權商+經南亞科/福懋科的 Turnkey,放量落在 2027–2028、晚於丁達剛的 2027;丁達剛稱南亞科 3Q26 財報(10 月底)會反映補丁處分利益並揭露更多財務資訊。

五、第二輪補充(2026-10-04)

agy 第二輪另給出 Google Patents 專利清單(如 US20260101519A1 Heterogeneous memory stack、US9997224B2 多 bank 記憶體架構等)與丁達剛 Intel/Bell Labs/南亞科資深副總經歷,Google Patents 擋自動擷取、鏡報原文無經歷段落,皆未查證,不採用;推薦券商協辦名單亦未查證。經濟日報 9/24 深度文為付費牆(820 字),未取得全文。

興櫃成交(櫃買中心歷史行情,股;元)

日期 成交股數 最高 最低 均價 筆數
09/16 1,186,114 1,205 844 1,006.13 2,693
09/17 424,653 948 874 912.20 1,304
09/18 793,831 969 851 913.87 1,891
09/21 341,560 963 900 917.62 906
09/22 358,078 932 877 896.61 1,056
09/23 323,978 932 885 908.43 698
09/24 218,465 927 890 909.66 541
09/29 178,154 915 876 894.76 643
09/30 154,101 901 871 884.46 553
10/01 140,151 903 850 880.08 609
10/02 179,113 879 853 861.01 716
(10/02 最後成交 859 元。)

其他原文重點

  • 鉅亨 2024-12-18:南亞科董事會通過與補丁策略合作開發客製化超高頻寬記憶體,參與現增每股 30 元、認購上限 2,200 萬股、總額不超過 6.6 億元,預計取得上限約 38%;結合南亞科 10 奈米級 DRAM 技術與補丁客製化 DRAM 設計能力。
  • 數位時代 2025-02(南亞科 30 周年茶敘):李培瑛:不搶 HBM3/HBM3E,也不回頭做 HBM2,瞄準客製化產品;預計 2026 年底與合作夥伴推出 HBM 新產品,針對 AI PC、手機、機器人、汽車;HBM 研發需高密度設計、3D IC 多晶片封裝、高頻寬設計、先進邏輯 base die 四大能力,南亞科無邏輯製程故與策略夥伴合作;與福懋科建置 TSV 與多晶片堆疊封裝。
  • 鏡報 2026-09-07:李曉雯:推論階段 SRAM 容量太小、HBM 受制高延遲;高階客製化記憶體處於「供不應求」;與南亞科是專案、技術與股權層面的合作,非單純代工與客戶。(文中「2024 上半年 40%」應為 2026 上半年筆誤。)
  • 經濟日報 2026-09-17:首日收 915 元,為興櫃第四高價股。
  • 工商時報 2026-09-16:南亞科當日股價最高 484.5 元;文稱南亞科「8 月上旬公告」釋出 715 張(董事會 8/5 決議,9/9 補充公告)。
  • 遠見雜誌 1999:丁達剛時任鈺創超大型積體電路研發處資深副總經理;與盧超群在論文發表會結識、受邀自美國返台共同創業鈺創(1991 年成立,次微米計畫)。
  • Tom's Hardware(d-Matrix Raptor):TSMC N4P 邏輯 die 面對面鍵合(36µm pitch)疊在客製 DRAM die 上,每卡 32GB/100TB/s、0.37pJ/bit;DRAM 供應商從未揭露,並稱用了「not-so-advanced DRAM」;文中未提及補丁或南亞科。