TPCA PCB HLC & PTFE

20261022 維嘉科技（VEGA Technology）TPCA Show論壇memo：AI HLC背鑽、對準度與檢測方案 (1) 公司概況與產品線 ●蘇州維嘉科技股份有限公司2007年成立於江蘇蘇州，為國家級專精特新「小巨人」及國家級高新技術企業，擁有400項以上專利、500家以上合作客戶。業務以PCB鑽孔設備起家，延伸至成型、檢測、半導體封裝設備及直驅核心部件。 ●PCB設備涵蓋鑽孔機（含CCD鑽孔機、IC封裝基板鑽孔機、全自動鑽孔機）、成型機，以及背鑽孔缺陷檢查、內層探測、孔偏補償檢查、板厚量測、阻抗測試等檢測設備。 ●半導體設備包括切割分選一體機及各式分選機；直驅產品包括直線電機、DD馬達及平台模組。 (2) NVIDIA AI Server PCB規格演進 ●公司以NVIDIA歷代平台說明PCB規格升級，重點是層數大增、材料升級，以及背鑽Stub與背鑽孔徑放大量（D+X mil）同步收斂。 ●Blackwell（2024）：32～44層，M7等級材料，以PCB為主、銅纜減少；Stub 4±2 mil，D+5 mil。 ●Rubin（2026）：78～104層，正交背板＋高密度PCB，M9 CCL，全PCB無纜化互聯；Stub 2±2 mil，D+5／D+4 mil。 ●講者表示Rubin世代D+5已成常態，是終端與PCB廠長時間協商的結果；更緊的D+4仍屬推進目標。 (3) AI HLC加工與檢測難點 ●通孔加工：M8、M9材料難鑽，孔徑0.2mm甚至更小，易斷針、排屑不佳；板厚普遍超過3.0mm，只能單片鑽孔，產能壓力大。 ●背鑽加工：一是Stub控制，厚板壓合後板翹及層間厚度波動放大，Stub要求往0～4 mil邁進；二是對準度，一鑽孔位偏移若未逐孔修正，背鑽會殘銅鑽除不淨，傳統CCD整板補償難以做到D+4。 ●檢測需求：過程中Stub及背鑽同心度最好全檢；終檢方面，客戶要求大批量板內阻抗數據並朝區域全檢化發展，板內插損測試需求增加，測試頻率由20GHz往65GHz以上攀升。 ●公司強調高附加價值PCB一旦報廢損失難以估量，因此檢測方案的重要性持續提高。 (4) 依規格分級的解決方案 ●公司強調不同規格對應不同方案與成本，PCB廠不必一律以最高標準投資，應依實際需求選擇。 ●Stub ≥6±4 mil：定深鑽或分區Mapping，無需改設計，但效率低，每1小時背鑽約需額外30～40分鐘Mapping，厚板一致性差。 ●Stub 5±3 mil：逐孔板厚量測後補償，以離線設備執行，精度與效率均優於Mapping，但無法滿足±2 mil。 ●Stub 2±2 mil：一是3D背鑽，在一鑽時同步偵測參考層位置，效率好，但須修改PCB設計並取得終端認證；二是光纖探針內層探測，無需改設計、結果直觀，但效率稍慢且需佈建較多設備。 ●對準度D+6：CCD對位或分區補償即可。D+5／D+4：離線孔位補償，一台量測機可服務多台鑽機，適合舊產能升級，但有二次定位風險，上限約D+4。D+3：線上見孔鑽孔，需高解析相機的新鑽機，既有CCD鑽機無法直接升級。 ●阻抗測試：以VNA搭配飛針式自動阻抗測試設備取代人工TDR，測試頻率與解析度更高、結果更穩定，已在業界大批量導入；但VNA約有1%波動，習慣TDR的客戶需時間適應。 (5) 下游客戶動態 ●部分中高階客戶已接受3D背鑽，其他客戶仍有疑慮。講者表示NVIDIA、Google過去設計時未考慮此工藝，未來將依需求逐步採用配合的設計，因為對量產效率較友善。 ●光學探針因無需改設計，終端與PCB廠接受度相對較高。 (6) 整體觀察 ●Rubin全PCB無纜化使HLC規格跳躍式升級，層數突破78～104層，Stub收斂至2±2 mil、背鑽孔徑放大量收斂至D+5／D+4，傳統Mapping與CCD整板補償已不敷使用。 ●設備需求從單一鑽機擴大為「鑽機＋周邊量測／檢測」的組合，背鑽流程每段多出1～2台板厚量測、內層探測、孔偏檢查或缺陷檢查設備，終檢端則帶動自動阻抗測試機，對設備商是單價與台數的雙重提升。 ●2±2 mil的兩條路線中，3D背鑽與光學探針的滲透率取決於NVIDIA、Google等終端是否在設計端配合參考層；對準度若往D+4以下推進，將帶動既有CCD鑽機汰換。 ●後續追蹤重點包括3D背鑽的終端認證進度、D+4／D+3的實際導入時程，以及台系、陸系HLC廠在背鑽量測與自動阻抗測試設備上的資本支出。

20261021 TPCA Show Nichias FCLEX低損耗PTFE材料簡報 Memo (1)核心結論 ●本次為Nichias介紹開發中的FCLEX™。這是一種不含玻纖布的PTFE複合介電膜，鎖定112／224Gbps PAM4 AI伺服器PCB。重點在說明材料如何保留PTFE低損耗的優勢，同時克服PTFE難接著、CTE高、難加工等量產障礙。 ●FCLEX主打四項特性：低Dk／Df、低CTE、可與HVLP4低粗糙度銅箔穩定接著，以及無玻纖布可望降低skew。公司自評在介電特性、PCB製造性、長期信賴性及高速傳輸四個面向都已有初步驗證。 ●傳輸表現是最主要的賣點。依公司模擬，FCLEX在224Gbps對應的56GHz下損耗約3.7 dB/100mm，較M8／HVLP3約低40%，較M9／HVLP4約低20%。 ●產品仍標示「Under Development」，公司結論用語為具備成為AI伺服器多層板材料的潛力，而非已導入。簡報未提及客戶、合作CCL廠、量產時程或價格，短期內對Nichias營收貢獻有限。 (2)公司背景 ●Nichias成立於1896年，今年為130週年，總部位於東京，於東證Prime上市（5393），合併員工約6,400人。本業為密封、斷熱、隔音、耐火、防腐蝕及潔淨等「絕緣與保護」技術。 (3)AI高速傳輸對材料的要求 ●公司引用美系四大CSP資本支出，由2023年約1,400億美元增至2026年預估約6,900億美元。AI基礎建設擴張，使伺服器內部及伺服器之間的高速傳輸需求持續增加。 ●傳輸規格由112G往224G PAM4演進，Nyquist頻率由28GHz提高到56GHz，PCB必須在更高頻段維持低損耗。 ●傳輸損耗分為介電損耗與導體損耗。前者需要更低的Dk與Df，後者則因肌膚效應，需要表面更平整的低粗糙度銅箔。PTFE的Dk／Df遠低於M7、M8等主流材料，是降低介電損耗最直接的選項。 (4)FCLEX產品定位 ●PTFE過去難以用在多層AI伺服器板，主因是不易與銅箔及其他材料接著、熱膨脹大導致尺寸不穩定，以及成型加工困難。FCLEX以PTFE加填料、不含玻纖布的結構來改善這些問題。 ●產品以捲狀薄膜供應，寬度540mm以下、厚度100μm以上，由下游進行銅箔壓合。典型Dk約2.8、Df約0.0004，低於市售PTFE／填料產品及M8；在10～80GHz及0～150°C範圍內，Dk與Df變化都很小。 ●無玻纖布的設計可避免玻纖與樹脂介電常數不同造成的局部Dk差異，公司預期可降低差動訊號的skew。 (5)製造性與多層化 ●FCLEX可用真空熱壓機製作CCL，也可用雙帶式連續壓合製作FCCL；後者全程約8分鐘，對量產效率較有利。但兩者壓合溫度都需約360°C，高於一般PCB材料。 ●多層化方面，FCLEX可與既有M8 PP或Bonding Sheet在約200°C下混壓，也可與FCLEX自身壓合，剝離強度均可達1.0 kN/m以上。公司認為這代表可沿用現有多層板結構，FCLEX對FCLEX的全PTFE結構損耗可再降低。 ●公司展示通孔、雷射盲孔及填孔的截面，表示已確認可克服PTFE系材料常見的鑽孔與鍍銅問題。另外搭配HVLP4銅箔的剝離強度在1.0 kN/m以上，尺寸變化率在0.14%以內。 (6)長期信賴性 ●在150°C高溫及85°C／85%RH高溫高濕條件下各放置1,000小時，剝離強度大致維持在初始水準附近，約由3 kN/m降至2.5 kN/m。 ●公司以此說明FCLEX可支撐AI伺服器板的長期使用；但簡報未提供熱循環、CAF等PCB層級的信賴性資料。 (7)高速傳輸表現 ●50Ω微帶線實測中，FCLEX在60GHz以內的損耗低於M8及市售PTFE／填料產品。 ●100Ω差動帶線模擬中，FCLEX搭配HVLP4在28GHz及56GHz的損耗分別約2.4及3.7 dB/100mm。M8／HVLP3分別約3.7及6.4，M9／HVLP4分別約2.9及4.8 dB/100mm。 ●公司據此主張FCLEX在224Gbps PAM4的Nyquist頻率附近具備明顯優勢，是本次簡報最核心的數據。 (8)整體觀察 ●FCLEX的定位是PTFE進入AI伺服器多層板的解法之一。這與金居看到PTFE需求回溫、金洲把PTFE視為高速材料「天花板」並推出PTFE混壓板專用鑽針的方向一致，顯示產業鏈已同步為PTFE導入做準備。 ●金洲指出PTFE混壓板的難點在軟硬材料交錯造成的毛刺、銅瘤與膠渣；Nichias則宣稱FCLEX已確認可鑽孔與鍍銅。兩者說法可互相對照，實際良率仍需PCB廠驗證。 ●需要保留的地方：主要損耗優勢來自模擬，M9數據為公開資料推估，各材料線寬與銅箔等級也不同，並非完全同條件比較；簡報亦未提供224Gbps系統級測試、客戶驗證進度及價格。 ●360°C的壓合溫度對CCL廠設備有要求。合作CCL廠是誰，以及何時進入客戶認證，是後續最需要追蹤的兩件事。