TGV 製程推進新難點

我指南針都拿出來了，你說難在哪 ? 根據產業訪查，TGV技術已經完成開發且可以做量產規劃。但在玻璃上貼合ABF變成另個問題。 目前分成兩個派系 : 台積電與其他，台積電玻璃核心上下都是ABF壓合，其他如新光電器與DNP，則是採用混合增層，上方ABF的最上方採用PI。https://imapsource.org/article/147214.pdf (新光ABF+PI) https://www.igorslab.de/en/intel-unveils-glass-core-substrate-with-emib-for-the-first-time-a-strategic-lever-for-the-next-generation-of-ai-chips/ (英特爾上RDL下ABF) 兩種都會遇到同樣的問題，ABF壓合時軟化本身會有溢膠問題，多餘的樹脂可能從側邊突出，也可能向下流，這些都會導致玻璃核心應力不平均。另外ABF上的線路密度不同也會有厚度不均勻的問題。由於玻璃非常脆弱，所以實際上要解決必須得用雷射除膠以及電漿清洗，才不會導致玻璃核心有破裂的問題。這個製程必須每增層一次都做，否則一點不均衡都可能導致後續的良率問題。 https://www.ulvac.co.jp/wiki/en/microfluidics-and-micro-structure-processing-on-larger-format-glass-substrates-for-high-volume-manuf/(雷射電漿) 上方有提到PI的採用，這部分不能像之前在晶圓的方式，單點出液再用離心力旋轉。業界目前的solution是採用直線從面板中心向外移動，下方同時做旋轉，簡稱slit & spin。這種出液方法，起始點與結束點容易會有厚度不均勻的問題，結束點的左右兩端也容易會有堆積造成厚度不均勻，四角就更不用說了。 https://www.iscst.com/wp-content/uploads/2016/09/Friedrich_Abstract.pdf(邊緣效應) 目前最理想的解決方法就是在四周留空作為無效區域，可以直接不處理，但是使用比會降低，公設比提高。解決方法除了前述之外，也可以與ABF類似，控制其溢膠，並且用雷射將多餘處清除。若PI為感光型，也可以在後續製程時一並處理。未來也有機會以CMP方式解決，但個人覺得難度非常高也不理想。 上方提到的製程與解決方案與早期LCD製程有高度重疊，故面板廠會在這一塊獲得極大的優勢。ABF與PI的CTE也不相同，同樣也有翹曲問題要解決。玻璃的CTE可以藉由加入雜質的方式對其ABF，但上下增層數不同也一樣會有翹曲問題。 增層方式又可以細分成兩種，一種是TGV完整結束後直接切割分離，另一種則是在大玻璃上做完所有製程再切割。前者可以分散失效風險，但溢膠邊數量大增，機台需求量與量產時間會大幅增加。而不管兩種做法，切割都只能使用雷射切割，同樣會有應力與邊緣裂痕問題，故在設計時會預留一點空白，並使用雷射後再以半導體膠帶分離。 有一派公司認為切割後在側邊塗上樹脂可以避免裂紋，但另一派指出這種做法一樣會有CTE錯配的問題，故持保留態度 最後則是檢測，有客戶反映AOI會受到玻璃層影響成像，而AXI目前效率實在太差，這方面目前無解，只能等待光學商研發。另外晶片過大，迴焊翹曲的問題目前也待觀察，因後端產品樣本數不夠尚未開發解方，但對封裝與系統廠而言都是問題。