天虹 (6937 TT) 元大投資論壇 Call Memo 20260909
※重點摘要 1. 2Q26 營收 7.18 億元、毛利率 41.65%、EPS 1.58 元，今年財務表現預期遠優於去年。 2. 策略是在先期研發階段與客戶深度合作、搶成為製程 baseline，避開後段價格紅海。 3. Panel ALD 已接客戶訂單、明年農曆年後交付，PLP 傳送平台已收五台訂單。
※營運概況 1. 2Q26 營收 7.18 億元（YoY +40.2%），毛利率 41.65%，稅後淨利 1.04 億元，EPS 1.58 元；1H26 營收 13.01 億元（YoY +33.6%），稅後淨利 1.66 億元，EPS 2.54 元。2025 年營收 22.45 億元，毛利率 40.09%，稅後淨利 1.99 億元，EPS 3.01 元，屬相對淡年。 2. 今年財務表現預期遠優於去年。ALD 收入增長迅速，成長速度預計遠超 2025 年；PVD 仍為今年主要產品；封裝客戶比重逐漸增加。 3. 去年 10 月收購名古屋 JTCK（現名哲虹），收購後第一季即損益兩平，第二季開始貢獻利潤；進入門檻相對低，營收貢獻不大但不會成為財務負擔，也帶動日本市場經營。公司持續執行 M&A 計畫，推動無機成長。 4. 產能：訂單量不錯，無塵室空間開始侷促。湖口廠為五層樓，一、三樓無塵室、二樓庫房、四樓研發中心、五樓客服與餐廳；若無法及時取得新無塵室，將把二樓庫房移出改建為無塵室，集中生產。竹北廠購入後前屋主留有部分尾件，正處理中並爭取改建建築執照，預計順利取得。 5. 湖口廠一樓萬級無塵室做設備組裝，也有先期研發或小量試產區（三個區域）：部分剛孵化的客戶已買天虹設備但自家工廠未備妥，先簽租約借用場地，每客戶有獨立房間，商務模式要求必須使用天虹設備。其中一位國際大廠客戶，主要 OEM 在台灣，前期研發已確立 process baseline，產品預期明年問世，未來其 OEM 廠商將跟隨採購天虹設備。三樓為萬級組裝區、千級 demo lab，並設有百級無塵室與客戶合作 EUV 案。 6. 獎項與專利：今年初獲潘文淵文教基金會 ERSO Award，另獲國家品質獎；開發全球首創設計帶來更多專利機會。 7. 策略：多數同業在客戶已有 baseline 時跟隨設計類似工具、進入價格競爭；天虹現在傾向在先期研發階段直接與客戶深度合作，享受藍海階段利潤。中國大陸設備公司如雨後春筍，若只當追隨者利潤會迅速下滑。客戶訂定 baseline 後通常不願更改，因此要在 baseline 前把 full set 方案納入。目前投入高真空電漿、高真空雷射與 Wafer Thinning。 8. PLP 傳送平台：去年推出 Panel Level Package 的 PVD 與 Descum 設備，傳送平台尺寸 310×310（PVD 可做正反面金屬沉積），去年年初決定開發，至今已收第五台訂單，來自不同客戶與應用，ROI 快（一般設備開發需三至五年才見營收）。同業參觀半導體展時肯定短時間設計出此平台，並現場做傳送測試。設備均通過 SEMI S2 認證。也利用此平台搭配 ALD chamber 開發其他領域。 9. PVD 新技術：早期針對 TSV、TGV 高深寬比結構的 Barrier/Seed 層，採 long throw 拉長靶材與 pad 距離並加 bias power 改變入射角，現遇瓶頸；新開發 BHSC，在腔體旁增加 bias RF 提高電漿密度，改良填充與 step coverage，腔體已在湖口廠備妥並完成基礎製程研究，初步結果符合預期仍需優化。TGV 應用遲早發生，但時點、形狀（圓形或方形）與尺寸未明，先投入部分 R&D 做基礎研究；公司只聚焦 TGV 孔洞的 Barrier/Seed 層，不做雷射鑽孔、雷射改質或濕蝕刻。Barrier/Seed 若不連續，電路無法填充，導致阻值異常，薄玻璃需雙面鍍膜，技術門檻高。 10. ALD：2023–2024 年已開發 moly ALD（取代 tungsten 的金屬材料），持續開發金屬氮化物、氧化物、碳化物等材料；與客戶合作超過兩年，早期以 coupon 測試證明化學觀念，現與客戶建立較大實驗室，設備已委託放置，開始觀察整片 wafer 結果。 11. 新 chamber：第四代 ALD chamber（HyFA）整合 thermal ALD 與 plasma ALD 的 hybrid chamber，並整合 in-situ clean（客戶要求每做完一片膜即清潔，維持 wafer 間腔體條件一致；傳統做法是累積多片後一次清潔）與 in-situ metrology（即時監控電漿狀態與光譜、預測鍍膜結果）。UV ALD（Lumina）針對對熱與電漿敏感的 device，用光化學替代，兩年前已證明觀念，波長越短能量越高，以不同波段打開特定鍵結。兩種 chamber 已於實驗室裝置完成。 12. Panel ALD：既有 310×310 平台，已收客戶訂單並接受委託開發，目標明年農曆年後交付；若順利開發 Panel ALD 與 UV ALD，將成為全球第一家提供此方案的設備商。以往是先做出產品再請客戶驗證，如今從早期階段主動推動產品開發與驗證。 13. Bonder：12 吋 auto bonder 與 debonder 已交付客戶，12 吋 auto mechanical de-bonder 3Q26 交機。日本競爭對手交付遇到問題且尚未恢復，客戶要求天虹加速配合驗證、補產能缺口，是 baseline 訂定後少見的切入機會。 14. Etch：最早從 descum 切入，現著重第二型 chamber、plasma dicing 與 TSV forming，並與客戶就 edge 領域策略合作，初期製程結果令人滿意，但生產效率落後競爭對手；此製程為 Bosch etch 概念（dep/etch 交替），需快速置換腔體氣體，已重新設計 chamber，4Q26 開始首次製程測試。 15. EUV Pellicle 量測設備：利用先前收購、改名輝虹的公司作為研發平台，開發針對 EUV Pellicle 的量測設備，提前判斷 Pellicle 模組品質；客戶研發需用昂貴的 EUV 曝光機測試生命週期，此平台可避免占用，客戶期待把部分研發與檢測工作移植到天虹設備、大幅降低使用 ASML 機台時間。初代機已完成，二代機將整合初代機功能並提升生產效率，量測結果更佳。 16. 時程：UV ALD Lumina chamber 目標月底前點亮並完成首片 wafer 製程；HyFA chamber 接近組裝完成，目標 10 月完成首片製程；etch chamber Vetra 年底前首片製程；新開發 310×310 ALD、310×310 PECVD、310×310 etch chamber 目標 2027 年第一、二季開始製程，其中 310×310 ALD 時間挑戰較大，目標 1Q27 完成製程並交付客戶生產，公司樂觀。 17. 產品與客戶分布：封裝客戶比重逐漸增加；化合物半導體客戶今年出現，非傳統 SiC 或 GaN，而是 InP，該產業進入軍備競賽，特別是 CPO 領域的 micro VCSEL 應用，已帶來營收貢獻。光電領域主要為 micro LED，用於 smart glass。AI 動能推動多個產業前進，天虹服務被客戶用於 AI 相關應用開發的比重逐漸增加。 18. 挑戰：生產區管理與供應鏈管理，如何以更有效率方式創造更多營收；持續與先進製程及先進封裝客戶合作。
※Q&A 19. 矽基半導體成長比例不小，主要應用於哪些終端？ 矽基半導體各年度成長明顯，今年預估及前八個月成長較大，主要源於近年及明年功率半導體需求增加。功率半導體佈局多年，五、六年前即有客戶，近期詢問與評估增加。光學應用尤其光通訊，矽基半導體也有客戶投入；其他特殊應用如 HUB 及消費性電子也有簡單運用，是長期耕耘的成果。 20. 公司短中期主要成長動能？ 從終端應用客戶分佈難以直接看出，重點在今年、明年與未來數年。功率半導體特別是 310×310 這塊推動力較大，今年已有部分營收認列，明年及後年深度與強度更顯著；不只 bonder，也在不同公司持續佈局，PVD 類的 descum，或 etch 領域的先進封裝都將帶來成長。另一較廣的領域是光通訊，客戶群接近 20 家、來自不同產業，均在光通訊及眼鏡開發領域活躍，需要特殊設計設備。化合物半導體與光通訊密切相關，未來兩三年應用與成長持續顯著；micro LED 過去強調顯示，近期進入通訊賽道，涵蓋不同光學與光通訊應用；CPO 結合電與光，通常在後端先進廠進行，公司與客戶在 PVD、ALD 領域合作，ALD 是光通訊賽道應用最廣、客戶要求開發最多的設備。先進封裝方面，與客戶成立多個實驗室，調整設備以符合客戶使用需求，中長期將逐步發酵，近期雖無大量成果，未來將逐漸顯現。