供應鏈_AI伺服器板上電源

主題

AI 伺服器板上電源(Board-level Power Delivery)供應鏈,聚焦 GPU / ASIC 加速器與伺服器 CPU 的 Vcore VRM:從 12V(或 48V)伺服器 PSU 端,經多相位 技術_DrMOS + 控制器 + 技術_TLVR電感 / 分立電感降壓到 sub-1V 高電流核心。AI 加速器世代(Hopper → Blackwell → GB300 → Rubin)核心電流逐代上升至千安培級,板上 VR 相數爆量、DrMOS 用量倍增,DrMOS / 多相位 DCDC / 高端電源被點名為下一波明確漲價方向memo_專家調研_矽力杰_20260515)。

與相關供應鏈頁的區隔

  • 本頁:板上電源(Vcore VR / DrMOS / 多相位 DCDC / 板上電感與電容),核心是 IC 設計廠與被動元件
  • 供應鏈_AI資料中心電力機房外電力(SOFC、UPS、PDU),核心是發電與配電系統
  • 供應鏈_AI伺服器被動元件:板上被動元件(MLCC、電容、電感)整體

三者鏈路相連,但供應商生態與股票標的差異大。

圖解

flowchart LR
    subgraph PSU[伺服器電源]
        P1[12V / 48V<br/>PSU]
    end

    subgraph CTRL[控制器]
        C1[Multi-phase<br/>PWM Controller]
    end

    subgraph PWR[功率級 DrMOS]
        D1[MPS]
        D2[Infineon]
        D3[矽力杰<br/>6415]
        D4[杰華特<br/>688141]
        D5[晶丰明源<br/>688368]
        D6[TI / Renesas]
    end

    subgraph IND[電感]
        I1[TLVR 電感]
        I2[分立電感]
    end

    subgraph CAP[去耦電容]
        E1[聚合物鋁電容]
        E2[MLCC]
        E3[鉭質電容]
    end

    subgraph LOAD[終端負載]
        L1[NVIDIA GPU<br/>H100/B200/GB300/Rubin]
        L2[CPU Vcore<br/>Intel/AMD]
        L3[ASIC 加速器<br/>TPU/Trainium 等]
    end

    P1 --> C1
    C1 -->|PWM x N| PWR
    P1 --> PWR
    PWR --> IND
    IND --> CAP
    CAP --> L1
    CAP --> L2
    CAP --> L3

    classDef ctrl fill:#a5d8ff
    classDef pwr fill:#ffd8a8
    classDef ind fill:#b2f2bb
    classDef cap fill:#c3fae8
    classDef load fill:#fff3bf
    classDef src fill:#ffc9c9
    class C1 ctrl
    class D1,D2,D3,D4,D5,D6 pwr
    class I1,I2 ind
    class E1,E2,E3 cap
    class L1,L2,L3 load
    class P1 src

▲ AI 伺服器板上電源主鏈:12V/48V → 多相位控制器 + N 顆 DrMOS → 電感 + 去耦電容 → GPU / CPU / ASIC 核心。

各環節廠商

多相位 PWM 控制器

廠商地位備註
MPS(Monolithic Power Systems)主導AI VR 領導者;多代 NVIDIA 平台參考設計指定供應
Infineon(英飛凌)高階多相位 DCDC 高毛利、高可靠性
TI(Texas Instruments)主流伺服器與工業電源傳統大廠
Renesas主流含 Intersil 收購後的 VR 產品線

DrMOS / 智能功率級

廠商地位在 AI / 車規進度
MPS主導NVIDIA AI 參考設計多代採用
Infineon高階多相位 DCDC 高毛利定位;面臨 AI 國產化長期壓力
6415_矽力-KY(市)國產領先群早期布局伺服器;B 公司汽車項目已落地
杰華特(688141.SH)國產領先群與矽力杰進度相當、部分領域更佳;多代 NVIDIA AI 參考設計
晶丰明源(688368.SH)國產追趕高壓 MOS 出身、已通過車規;大規模量產尚未跟上
TI / Renesas主流伺服器與工業傳統供應商

電感

廠商 / 技術角色
技術_TLVR電感多相位 VR 配套,瞬態響應與漣波對消關鍵
村田 / TDK / Vishay 等分立電感主流供應

去耦電容

廠商 / 技術角色
技術_聚合物鋁電容VR 輸出端高頻去耦
技術_MLCC高密度去耦電容陣列
技術_鉭質電容高密度低 ESR 去耦
→ 整體詳見 供應鏈_AI伺服器被動元件

終端平台 / 客戶

平台板上 VR 需求
NVIDIA GB200 / GB300單卡 VR 相數逐代上升,DrMOS 用量倍增
NVIDIA Rubin下一代功耗預期再升級;高頻、高電流密度推動 90A+ DrMOS
Intel / AMD 伺服器 CPUCPU Vcore VR;單顆 CPU 多顆 DrMOS 配置
Google TPU / AWS Trainium / 其他 ASICASIC 加速器板上 VR;數量視出貨量決定

競爭格局

  • 海外大廠:MPS(領導)、Infineon(高階)、TI / Renesas(主流),合計仍是 AI VR 主要供應,多代 NVIDIA 參考設計以 MPS 為主
  • 國產替代:矽力杰、杰華特已切入多代 NVIDIA AI 參考設計,是國產 DrMOS 領先群;晶丰明源以高壓 MOS 跨入,車規認證取得但量產尚未起量
  • 價格 / 商務:國產廠商價格約海外大廠 70–75%;矽力杰與圣邦(電源類比 IC,非 DrMOS 主力)價差 5–10%,矽力略高、技術指標通常優於圣邦
  • 長期挑戰:英飛凌等歐洲公司原本因產品唯一性、高可靠性享有高毛利低競爭,AI 帶動國產廠商大量湧現後,市場飽和時內部競爭力不足的風險可能顯現
  • 架構演進:Vertical Power Delivery、48V 直接到核心、3D Power 等架構可能改變未來 DrMOS 用量結構

觀察重點(投資視角)

  1. 漲價週期:DrMOS / 多相位 DCDC / 高端電源被點名為下一波漲價方向,利好 MPS / 矽力 / 杰華特 / 英飛凌等同時參與廠商
  2. 國產進度:矽力杰、杰華特在 NVIDIA 參考設計中的相數佔比、是否進入下一代(Rubin)平台 BOM
  3. 車規滲透:DrMOS 在汽車(智慧座艙、ADAS)滲透速度,矽力杰 B 公司案是領先指標
  4. 電感配套技術_TLVR電感 與分立電感供給是否跟上 GPU 相數爆量
  5. 架構翻新風險:Vertical Power / 48V 架構若快速普及,可能重塑 DrMOS 用量與 BOM 結構

來源