PDF 原檔：報告_富邦_美光MU_FQ4法說memo_20261001_original.pdf
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| 檔名 | size | 分類 | 親眼所見內容 |
|---|---|---|---|
報告_富邦_美光MU_FQ4法說memo_20261001_001.png |
31,976 bytes | 真資料圖 | 近一年股價走勢折線圖，雙軸比較 SPX Index（深藍線）與 MU US Equity（淺藍線），橫軸為月份（10/1 至次年 9/1） |
本份報告僅抽出 1 張圖，<40KB 但經 Read 確認為真實股價走勢資料圖（非 logo），故列入真資料圖。
原始內容
Fubon Global Equity Division
2026年10月01日
基本資訊
| 收盤價 | $1,065.11 |
|---|---|
| 產業別 | 半導體 |
| 市值（百萬） | $1,202,927.94 |
| 流通在外股數（百萬） | 1,129 |
| 過去1年股價區間 | $163.96 - $1,255.00 |
Micron Technology (MU)
公司簡介
美光科技公司及其附屬公司在全球從事記憶體與儲存產品的設計、製造和 銷售，為全球前三大記憶體晶片製造商之一，與韓國三星、SK 海力士並 列，亦為 AI 時代的關鍵基礎設施供應商。公司產品應用廣泛，服務的對象 涵蓋資料中心、消費性電子、車用半導體與工業設備等市場。其財務表現 受記憶體景氣循環影響較大，近期受 AI 浪潮帶動，HBM 等高毛利產品需 求大增，營收大幅成長。
分析師預估
$163.96 - $1,255.00 賣出
| 12個月目標價 | $1,599.35 |
|---|---|
| 評等 | |
| 買進 | 57 |
| 持有 | 4 |
| 賣出 | 0 |
股價表現
| 5日股價漲跌幅 | -0.6 |
|---|---|
| 近1月股價漲跌幅 | 11.1 |
| 近3月股價漲跌幅 | -7.7 |
| 近12月股價漲跌幅 | 536.6 |
| YTD | 273.2 |
近期股價走勢
| 季損益表 | F3Q26A | F4Q26F | F1Q27F | F2Q27F |
|---|---|---|---|---|
| 營收 | 41,456 | 56,773 | 62,104 | 66,443 |
| YoY% | 379.27 | 316.13 | 160.29 | 60.27 |
| 毛利率 | 87.00 | 86.73 | 86.88 | 86.75 |
| EBIT | 44,636 | 48,560 | 52,053 | 55,634 |
| Net income | 38,398 | 41,146 | 44,445 | 47,607 |
| non-GAAP EPS | 33.42 | 36.02 | 38.94 | 41.81 |
| 年損益表 | FY25A | FY26F | FY27F | FY28F |
|---|---|---|---|---|
| 營收 | 37,378 | 253,970 | 285,284 | 305,965 |
| YoY% | 48.85 | 90.69 | 12.33 | 7.25 |
| 毛利率 | 81.10 | 86.54 | 83.71 | 78.12 |
| EBIT | 101,191 | 210,733 | 222,009 | 216,773 |
| Net income | 86,758 | 180,912 | 197,112 | 200,045 |
| non-GAAP EPS | 75.52 | 156.50 | 178.78 | 173.69 |
免責聲明：本文非研究報告，係由富邦證券法人業務處整理提供，所載資料僅供定客戶參考，不構成要約、招攬、宣傳、誘使 等表示，亦無建議或推薦本文提及之任何證券，有關觀點亦未考量個別投資人之投資目標，富邦證券法人業務處不對投資損益 負擔任何責任。
公司財報會議
座談重點摘要
- AI Server與Agentic AI推升DRAM、HBM及SSD需求，2027年超過75%產出已獲客戶承 諾，多數客戶討論已轉向2028年；Clean Room建置時間長、先進製程Bit Growth效益下降 及HBM Trade Ratio提高，公司目前仍看不到供需恢復平衡的時間點。
- 2027年大部分HBM供給已完成協議，價格較2026年顯著提升，縮小HBM與傳統DRAM 毛利率差距；HBM 需求增速預期至 2028 年持續高於傳統 DRAM，HBM4 持續 Ramp， HBM4E則與NVIDIA共同開發客製化NVHBM。
- 目前共簽署26份SCA，預估涵蓋至2030年超過35%營收，客戶財務承諾達320億美元， 部分合約延伸至2031年。FY2027新增CapEx主要投入Clean Room建設而非立即增加設 備，因此短期不會直接轉化為大量Bit Supply。
公司近況更新
- FY4Q26營收542億美元，QoQ+31%、YoY+379%，連續第六季創高；毛利率87%， QoQ+2.1ppt。DRAM營收398億美元、占73%，Bit Shipment季增中個位數，價格上漲highteens%；NAND營收141億美元、占26%，Bit Shipment約+10%，價格約+30%。Data Center SSD營收接近100億美元，占NAND營收逾2/3。
- AI帶動HBM、Server DRAM及Data Center SSD需求持續增長，2027年大部分HBM Bit Supply 已完成協議，價格較 2026 年顯著提升。2027、2028 年 DRAM 與 NAND 皆預期維持 供給受限，HBM需求增速持續高於傳統DRAM；製程微縮效益下降、HBM Trade Ratio提高 及Clean Room不足，限制產業Bit Supply成長。
- FY1Q27營收預估615億美元±15億美元，毛利率約86.25%，EPS38.15美元±1美元；FY2027 預期每季營收 QoQ 成長，FY1Q27 為全年毛利率低點。FY2027 將提高 CapEx，增量以
免責聲明：本文非研究報告，係由富邦證券法人業務處整理提供，所載資料僅供定客戶參考，不構成要約、招攬、宣傳、誘使 等表示，亦無建議或推薦本文提及之任何證券，有關觀點亦未考量個別投資人之投資目標，富邦證券法人業務處不對投資損益 負擔任何責任。
Construction CapEx為主，主要加速2028年底後Clean Room建置，新增產能仍將依需求狀 況配置設備。
Q&A
Q：自由現金流快速增加下，未來資本回饋與現金水位如何規劃？
A：FY4Q26 自由現金流達 332 億美元，在需求強勁、供給受限、長期客戶合約及產品組合改善 下，自由現金流強度較過往週期更具持續性。依 FY1Q27 財測及 CapEx 規劃，FY1Q27 自由現金 流預期將顯著高於 FY4Q26，並於 FY1Q27 底接近目標現金水位。後續多餘現金將以股票回購為 主要回饋方式，12 月 9 日起將提高資本回饋，目前股票回購額度剩餘 22 億美元，近期亦將尋 求增加回購授權。
Q：FY2027提高資本支出後，長期資本密集度與擴產原則如何變化？
A：FY2027 上半年 CapEx 預估約 250 億美元，下半年將高於上半年，資本支出結構將明顯轉向 Construction CapEx，且未來數年此趨勢可望延續。相較歷史水準，目前資本密集度仍偏低，但 記憶體與儲存已逐步成為策略性資產，產業結構亦出現改變。新增資本支出主要用於提前建置 Clean Room，公司不會因廠房完工即全面裝機，而是依市場需求及SCA提供的長期需求能見度
配置設備，確保新增產能具合理投資報酬。
Q：FY1Q27毛利率下滑原因為何，後續毛利率走勢如何？
A：FY4Q26 提高員工獎酬，其中製造端大部分成本先計入庫存，因此對 FY4Q26 毛利率影響有
限，但相關高成本庫存於 FY1Q27 出售後將反映於毛利率，加上新產能啟動及其他成本， FY1Q27 合計增加約 10 億美元成本。FY2027 獎酬亦提高，製造端影響將自 FY2Q27 開始反映。 儘管成本增加，FY1Q27 預計仍為 FY2027 毛利率低點，後續受惠記憶體價格持續上漲及營運效
免責聲明：本文非研究報告，係由富邦證券法人業務處整理提供，所載資料僅供定客戶參考，不構成要約、招攬、宣傳、誘使 等表示，亦無建議或推薦本文提及之任何證券，有關觀點亦未考量個別投資人之投資目標，富邦證券法人業務處不對投資損益
負擔任何責任。
率改善，毛利率預期逐季改善。
Q：2027年HBM價格與出貨成長趨勢為何，毛利率差距是否縮小？
A：2026 年 HBM 價格主要於前一年與客戶完成協商，2027 年大部分 HBM 供給則已完成協議， 價格較 2026 年顯著提高，並自 CY2027 開始反映，有助縮小 HBM 與傳統 DRAM 的毛利率差 距。需求方面，HBM Bit Demand預期至2028年持續高於傳統DRAM，產品組合由HBM3E逐步 轉向 HBM4，並於 2027 年底進一步導入 HBM4E。HBM 產品組合及價格均持續改善，HBM 仍將 是AI記憶體需求的重要成長來源。
Q：2027至2028年新增產能陸續開出，記憶體價格是否仍能維持強勢？
A：2027、2028年記憶體需求仍預期高於供給，且供需緊張程度高於2026年。新增Clean Room從建置、認證、設備進駐至實際量產均需要較長時間，即使2028年新產能開始投產，Bit Supply亦需數季才能顯著增加。此外，HBM4及HBM4E的Trade Ratio高於前代產品，製程微 縮帶來的單片晶圓Bit Growth效益亦逐步下降。需求端則受AI模型規模、Context Length、 Concurrency及Agentic AI持續增加帶動，目前仍看不到供需恢復平衡的時間點。
Q：客戶降低HBM或記憶體規格，是否可能釋放產能並增加DDR供給？
A：2027、2028 年 HBM 需求成長仍預期高於整體 DRAM，記憶體市場亦持續處於供給受限狀 態。部分客戶調整單一系統記憶體配置，主要目的在有限記憶體供應下提高系統出貨量，而非 終端記憶體需求轉弱。AI平台持續面臨模型規模增加、Context Length延長及Concurrency提 高，對更高容量及更高效能記憶體的潛在需求仍持續增加。此外，規格優化存在邊際效益遞 減，因此即使部分平台降低單機配置，仍不足以改變2027至2028年整體供需緊張趨勢。
Q：SCA覆蓋率與客戶承諾提高後，長期需求能見度有何變化？
免責聲明：本文非研究報告，係由富邦證券法人業務處整理提供，所載資料僅供定客戶參考，不構成要約、招攬、宣傳、誘使 等表示，亦無建議或推薦本文提及之任何證券，有關觀點亦未考量個別投資人之投資目標，富邦證券法人業務處不對投資損益
負擔任何責任。
A：目前共簽署 26 份 SCA，預估涵蓋至 2030 年超過 35%營收，其中約 3/4 具明確定價架構，多 數採價格上下限機制，其餘約 1/4 依市場價格定期協商。客戶財務承諾已增加至 320 億美元， 絕大部分為現金存款，部分 SCA 已延長至 2031 年。2027 年超過 75%總產出已獲客戶承諾，涵 蓋 SCA 與非 SCA 客戶，目前多數客戶討論已轉向 2028 年供應，亦有客戶要求 2030 年後的供應
保障，長期需求能見度持續提高。
Q：新增SCA在價格與合約架構上，相較先前合約有何變化？
A：SCA 整體合約架構未出現重大改變，但新簽約條件已反映目前更緊張的市場供需與較高價 格水準，因此價格協商方向持續向上。目前約 3/4 的 SCA 營收具有明確定價框架，其中多數設 有價格 Floor 與 Ceiling，約 1/4 則依市場狀況定期重新協商。最新簽署的 10 份 SCA 涵蓋不同規 模客戶，合約形式亦不完全相同。SCA 目前已涵蓋所有事業部，透過 Take-or-Pay 承諾提高供應 與需求匹配程度，亦提升長期產能投資能見度。
Q：HBM市場規模與市占率目標是否因價格上漲而進一步提高？
A：目前未更新2028至2030年HBM TAM預估，但HBM Bit Shipment預期至2028年持續快於 傳統 DRAM，因此 HBM 占整體產業產能比重將持續提高。2027 年 HBM 價格已顯著調升，有助 縮小與傳統 DRAM 的獲利差距。HBM 市占率目前約與整體 DRAM 市占率相近，未設定固定市 占率目標，後續將依產品、客戶與市場條件調整。HBM 除了直接貢獻營收，亦有助公司參與最
先進AI Accelerator平台，並深化與主要運算客戶的產品共同開發。
Q：HBM4E與NVIDIA客製化合作方式及產品差異化為何？
A：HBM4E 已與 NVIDIA 進行超過一年共同開發，NVHBM 為客製化 HBM 產品，預期將應用於下 一代GPU與NVLink Fusion平台。不同於HBM4採用內部最佳化Base Die，HBM4E客製化版本
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及JEDEC標準版本的Base Die均採Foundry製程。產品差異化主要來自功耗、速度、效能餘裕 及產品品質，過去不同 HBM 供應商在上述指標已有明顯差異。客製化 NVHBM 可進一步針對客 戶系統需求共同最佳化，產品價值高於標準HBM4E，HBM仍具良好投資報酬。
Q：中國市場曝險與中國記憶體廠技術追趕對競爭格局有何影響？
A：中國市場營收曝險過去數年持續下降，FY2027 預期降至個位數百分比。技術方面，目前先 進製程領先中國競爭對手至少兩個節點，1γ DRAM已成為主要Bit產出來源，並預期成為歷史 最大量產節點，下一代 1δ 則規劃於 2027 年下半年開始 Ramp。1γ 及後續先進 DRAM 節點高度 依賴 EUV，EUV 製程、Mask 技術與供應商合作能力均為先進節點的重要差異化來源，未來仍將
以技術與產品差異化作為主要競爭方式。
Q：PC與手機Bit Shipment下降，是否反映記憶體漲價開始抑制需求？
A：Mobile與Client事業部Bit Shipment連續下滑，但營收仍受惠價格上漲與產品組合改善而成
長。PC 與智慧型手機整體出貨量可能呈雙位數下降，但高階 PC 與旗艦手機對高容量、高效能 記憶體的需求仍強，因此產業營收仍預期成長。資源配置將持續聚焦Premium Segment， FY4Q26 接近一半 MCBU 營收已來自 1γ 產品。SCA 亦已涵蓋 Mobile 與 Client 事業部，目的在維
持不同終端市場供應多元化，目前未單獨揭露各事業部SCA占比
Q：FY2027增加Construction CapEx，是否代表2028年後供給將大幅增加？
A：FY2027新增CapEx主要投入Construction CapEx，核心原因是Clean Room已成為產業供給成 長的主要限制。大部分新增建設支出將用於2028年底及之後可使用的Clean Room，但建廠支 出本身不會立即轉化為Bit Supply。新廠完工後仍須配置設備、完成認證及進行產能Ramp，實 際出貨通常需再經數季才具有規模。設備配置將依當時需求環境決定，並透過 SCA 掌握長期需
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求，公司亦已與設備供應商簽署長期供應協議，以確保需要時可取得設備。
Q：Agentic AI透過CPU運算，對DRAM與SSD需求帶來多少增量？
A：Agentic AI工作負載不僅運行於GPU Accelerator，亦大量透過CPU執行，因此形成新的AI 記憶體需求來源。CPU Server需要搭配大量LPDRAM、DDR及SSD支援Agentic Workload，企業 及消費端相關應用已開始落地，並成為Server Unit Growth的重要驅動力之一，2026及2027年
Server Unit Shipment均預期成長high-teens%。CPU需求增加進一步提高整體AI Compute需 求，並加劇DRAM供應限制，使DRAM相較Logic或Data Center Power逐步成為資料中心擴張 的重要瓶頸。
Q：CapEx持續增加下，為何2027年DRAM供給增速反而下降？
A：新增CapEx無法立即轉換為Bit Supply。HBM需求成長快於傳統DRAM，加上產品由HBM3E 轉向HBM4、HBM4E後Trade Ratio進一步提高，將消耗更多晶圓產能並抑制整體DRAM Bit Growth。同時，新製程節點每次轉換帶來的Bit Density改善逐漸下降，實際供給成長亦取決於 各節點轉換時程。最主要限制仍為Clean Room，即使Idaho等新廠於2027年中開始Wafer Output，仍需要數季Ramp才能形成有意義的供給，因此2027年產業DRAM Bit Shipment Growth仍預期低於2026年。
Q：若2027年實際供給高於預期，市場是否有足夠潛在需求吸收？
A：目前客戶在記憶體供應受限下，優先降低部分系統的Memory Content，以最大化可出貨的 Compute Silicon數量，因此較低Content Growth並非終端需求消失，而是供給限制下的配置最 佳化。若市場出現更多記憶體供給，額外容量可重新配置至AI Accelerator及CPU平台，提高 單一系統Memory Content與整體系統效能。模型規模、Context Length及Concurrency持續增
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G
加，代表AI工作負載仍存在大量潛在記憶體需求，因此額外供給具備相對明確的應用場景。
Q：NAND供給成長低於產業原因為何，2027至2028年供給如何規劃？
A：2026年NAND供給增速低於產業，部分原因為新加坡既有Clean Room空間投入先進NAND 研發線，同時部分空間用於2027年HBM先進封裝產能前期準備，因此限制短期NAND Bit Growth。2027至2028年未提供NAND供給相對產業的明確成長指引，但預期產業NAND Bit Shipment於兩年均成長mid-20s%，且供需仍維持緊張。G9 NAND持續Ramp，可提供具成本效
益的新增供給，新加坡NAND新廠則預計2H28開始產出，支援後續供給成長。
Q：不同DRAM產品共用晶圓產線，是否能提高產能彈性並降低成本？A：
A：不同 DRAM 產品雖可於相同 Fab 生產，但前段製程差異實際上較過去更大。HBM、高效能 SOCAMM、LPDRAM 及 DDR 均針對不同效能指標最佳化，例如 HBM 著重頻寬及 TSV 並需要特 定製程步驟，其他 DRAM 產品亦具有各自專屬製程。因此共用產線主要優勢並非降低成本，而 是提高產能配置彈性，可依終端需求與產品組合變化，在同一 Fab 內調整不同產品生產比重， 更有效滿足客戶需求。
Q：FY1Q27 DRAM與NAND的Bit Growth及成本假設為何？
A：FY1Q27財測假設DRAM與NAND Bit Shipment均為QoQ個位數成長，DRAM與NAND成本 則均預期 QoQ 雙位數增加。成本上升除正常產量及折舊變化外，亦受到 FY2026 製造端獎酬成 本於 FY4Q26 先計入庫存、FY1Q27 出售後反映成本，以及新產能啟動成本影響。FY2027 研發投 入亦將提高，排除獎酬影響後，R&D 年增金額將超過先前預估的 10 億美元，反映記憶體、儲 存及新產品開發機會增加。
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G
Q：SCA長期營收覆蓋率最高可達多少，是否可能提升至60%至70%？
A：027 年超過 75%的產出已獲客戶承諾，但此數字同時包含 SCA 與非 SCA 客戶，部分大型客 戶仍採年度採購模式，近期非 SCA 客戶亦已開始提出 2027 年採購訂單。SCA 長期目標仍維持 先前預估，至 2030 年覆蓋營收比重可望接近 50%，實際占比仍取決於其他業務營收成長。SCA 並非追求最大覆蓋率，公司仍需保留部分產能彈性，以因應不同客戶、終端市場及未來新客戶
需求，同時利用長約提高需求能見度，作為長期產能與資本支出規劃依據。
Q : SCA涵蓋DRAM與NAND的比重如何，兩項產品覆蓋程度是否不同？
A : 目前SCA同時涵蓋DRAM與NAND，文件未揭露兩者個別營收占比，但以Bit Volume觀 察，DRAM 透過 SCA 涵蓋的比重略低於約 35%，NAND 則略高於 35%。整體 26 份 SCA 預估涵蓋 至 2030 年超過 35%的營收，未來隨持續與客戶協商，覆蓋程度仍有提升空間。SCA 目前亦已涵 蓋所有事業部，不侷限於Data Center產品，Mobile與Client亦已有相關長約，主要目的為提高 長期需求能見度，同時維持不同終端市場供應的多元配置。
Q : 先進DRAM製程對EUV依賴程度為何，1γ與1δ進度如何？
A : 目前1γ DRAM已成為主要Bit產出節點，並預期成為公司歷史上產量最大的DRAM製程節 點，1γ生產已導入EUV技術。下一代1δ DRAM開發亦持續推進，目標於2027年下半年開始 Ramp。先進 DRAM 節點往後對 EUV 的重要性持續提高，除了 EUV 設備本身外，相關製程技 術、Mask 能力及與設備供應商的合作亦是技術差異化的重要來源。公司目前評估 DRAM 製程 技術相較中國競爭對手至少領先兩個節點，後續仍將以製程與產品差異化維持競爭力。
Q : HBM4E採Foundry Base Die後，產品競爭力與經濟價值如何維持？
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公司財報會議
G
A : HBM4採用內部最佳化Base Die，但HBM4E無論客製化版本或JEDEC標準版本，Base Die均 採Foundry製程，因此產品競爭力並非單純來自Base Die自製能力。差異化主要體現在功耗、 最高運行速度、效能餘裕、品質及與客戶共同最佳化能力。過去不同供應商的 HBM 產品在上 述指標已有差異，HBM4E 仍可延續相關競爭優勢。與 NVIDIA 共同開發的 NVHBM 則進一步導 入客製化設計，定位為高價值產品，預期HBM仍可維持Premium Product定位與良好投資報 酬。
公司近期新聞
- Micron Appoints Deirdre Hanford to Lead Micron Research Labs
- Micron Advances Memory Innovation With the World's First Ultra-Dense Module for NextGeneration Servers
- Micron Announces Leadership Appointments to Accelerate Innovation and Growth
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近期投行報告觀點
記憶體市況在 DRAM 與 NAND 兩端結構性維持吃緊，公司F4Q26 財報營收、毛利率與 EPS 有望優於市場預期，價格上行動能延續。Nov-Qtr 財測可望再度上修，反映 CY27 供給較 CY26 更為緊俏的定調。整體聚焦不在單季數字，而在 SCA 長約架構帶來的中期獲利能見度，市場 對其定價與獲利韌性的評價仍偏保守。
所持看好理由：
- HBM 供需即使計入 despec 後，於 CY26 至 CY28 仍維持缺口，累積短缺至 CY28 擴大
- 至 23 週，對 CY27 至 CY28 價格形成向上支撐。
- SCA 涵蓋率快速累積，位元生產保障比重可能升抵 35％ 以上，甚至觸及 50％，在合約
- 底價下毛利率可望維持在遠高於過往循環高峰的水準，墊高獲利底部。
- 現金創造力創高，F4Q26單季 FCF上看240億美元以上，12/9 CHIPS Act 二週年後承諾將 100％ 超額現金回饋股東，以庫藏股為主，為尚未充分反映的價值釋放槓桿。
提醒留意風險：
- 記憶體產業競爭激烈，營運執行力為關鍵變數。
- PC 需求若轉弱，恐拖累 DRAM 價格回升與記憶體含量成長，構成營收與獲利預估的下修 壓力。
- ASP 大幅下滑，或 DRAM/NAND 供需一旦失衡，將直接牽動獲利預估向下修正。
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主要研究機構分析師評
| 券商名稱 | 分析師 | 評等 | 目標價 | 日期 |
|---|---|---|---|---|
| Citi | Atif Malik | buy | 1300 | 2026/9/30 |
| HSBC | Ricky Seo | buy | 1700 | 2026/9/7 |
| Baird | Tristan Gerra | outperform | 500 | 2026/3/16 |
| TD Cowen | Krish Sankar | buy | 500 | 2026/3/15 |
| Wells Fargo | Aaron Rakers | overweight | 470 | 2026/3/12 |
◆ 內法業務二科（海外股）02-27725938｜Head of Sales- 楊佩瑾 Peichin ext. 61808 peichin.yang@fubon.com
邱宗煜 Alvin ext. 61651 石容榕 Doris ext. 61807 王能偉 Shawn ext. 61637 賴柔璇 Angie ext. 61833
alvin.chiu@fubon.com doris.jj.shih@fubon.com shawn.nw.wang@fubon.com angie.lai@fubon.com
吳侑軒 Kevin ext. 61640
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