天虹_20260909

警語：此 Memo 和逐字稿為 AI 生成，可能因為音檔品質導致轉錄逐字稿有誤，或是 AI 曲解原意／幻覺導致 Memo 內容有誤，請以原始音檔為準。

Memo

亮點

• 天虹收購日本 JTCK（現名哲虹）後，第一季即達損益兩平，第二季開始貢獻利潤，顯示併購效益快速顯現。 [(00:03:06) 易錦良]
• 天虹 Panel Level Package （PLP） 傳送平台自去年年初決定開發以來，已收到第五台訂單，開發速度快且 ROI 優秀。 [(00:10:13) 易錦良]
• 天虹已接獲 Panel ALD 設備客戶訂單，目標明年農曆年後交付，若順利開發完成，將成為全球第一家提供此方案的設備商。 [(00:20:26) 易錦良]
• 天虹 12 吋 auto bonder 與 debonder 已交付客戶，並因日本競爭對手交付失誤，獲得客戶產能補位機會。 [(00:21:33) 易錦良]
• 今年天虹預計財務表現將遠優於去年（推測為 2025 年，根據音檔日期 2026-09-09 推估）。 [(00:27:56) 易錦良]

公司展望、未來成長動能

• 天虹策略聚焦於先期研發階段與客戶深度合作，享受藍海階段利潤，避免陷入價格競爭紅海。 [(00:11:10) 易錦良]
• 天虹持續推動 M&A 計畫，推動無機成長，並積極佈局功率半導體、先進封裝、光通訊等成長領域。 [(00:27:56) 易錦良]; [(00:32:40) 黃見駱]
• ALD（原子層沉積）產品收入成長迅速，預計今年成長速度將遠超 2025 年（推估為 2025 年，根據音檔日期 2026-09-09 推估）。 [(00:28:50) 易錦良]
• 天虹服務被客戶用於 AI 相關應用開發，佔比逐漸增加，AI 動能推動多個產業前進。 [(00:29:48) 易錦良]

營收

• 哲虹收購後第二季開始為公司貢獻利潤，營收貢獻雖不大，但不會成為財務負擔。 [(00:03:06) 易錦良]
• Panel Level Package （PLP） 傳送平台自開發以來已收到五台訂單，帶來快速營收回收。 [(00:10:13) 易錦良]
• 今年已有部分 310×310 平台營收認列，明年及後年深度與強度將更顯著。 [(00:33:18) 黃見駱]
• ALD 收入增長迅速，PVD 仍為主要產品，封裝客戶比重逐漸增加。 [(00:28:50) 易錦良]

訂單

• Panel Level Package （PLP） 傳送平台自開發決定以來，已收到第五台訂單，訂單來自不同客戶與應用。 [(00:10:13) 易錦良]
• Panel ALD 設備已接到客戶訂單，目標明年農曆年後交付。 [(00:20:26) 易錦良]
• TLP 與 TV 設備已交付客戶，並取得多家客戶訂單。 [(00:25:10) 易錦良]

產品組合

• 今年預測中 PVD 仍為主要產品，但 ALD 持續成長，封裝客戶比重逐漸增加，化合物半導體客戶（InP）也開始貢獻營收。 [(00:28:21) 易錦良]

下游客戶

• 光通訊客戶群已接近 20 家，來自不同產業，均在光通訊及眼鏡開發領域活躍，需特殊設計設備。 [(00:34:11) 黃見駱]
• 部分國際大廠 OEM 客戶在台灣，前期研發階段已確立 process baseline，未來 OEM 廠商將跟隨天虹設備採購。 [(00:07:31) 易錦良]

同業

• 日本競爭對手在 auto bonder/debonder 交付遇到問題，天虹獲得客戶產能補位機會。 [(00:21:33) 易錦良]
• 半導體設備市場競爭激烈，特別是中國大陸設備公司如雨後春筍般湧現，若僅扮演追隨者或抄襲者，市場利潤將迅速下滑且競爭激烈。 [(00:11:40) 易錦良]

稼動率

• 因訂單量不錯，無塵室空間已開始顯得侷促，若無法及時取得新無塵室，將考慮將湖口廠二樓庫房改為無塵室。 [(00:03:55) 易錦良]

存貨庫存

• 湖口廠二樓目前為庫房，計劃移出庫房改為無塵室，以集中生產機能。 [(00:04:26) 易錦良]

出貨週期與交期

• Panel ALD 設備目標明年農曆年後交付給客戶。 [(00:20:26) 易錦良]

新產品／新技術

• 天虹開發針對 EUV Pellicle 的量測設備，並與客戶合作開發測試平台，提前判斷 Pellicle 模組品質。 [(00:08:54) 易錦良]
• 天虹成功開發 moly ALD（取代 tungsten 的金屬材料），並持續開發金屬氮化物、氧化物、碳化物等材料。 [(00:15:01) 易錦良]
• 天虹將開發新型 hyper chamber，為第四代 ALD chamber，整合 thermal ALD 與 plasma ALD，稱為 hybrid chamber，並整合 in-situ clean 技術。 [(00:16:41) 易錦良]
• UV ALD 技術已完成實驗室裝置，預計第三、四季間（約本月至下月，推估為 2026Q3-Q4，根據音檔日期 2026-09-09 推估）進行首片製程測試。 [(00:19:17) 易錦良]
• 新開發的 310×310 ALD、310×310 PECVD 及 310×310 H chamber，目標明年第一、二季（推估為 2027Q1-Q2，根據音檔日期 2026-09-09 推估）開始製程。 [(00:27:26) 易錦良]

專利費用

• 天虹專利持續增加，開發全球首創設計帶來許多專利機會。 [(00:05:35) 易錦良]

擴廠規劃

• 哲虹收購後，天虹積極推動日本市場發展，並持續推動 M&A 計畫。 [(00:02:36) 易錦良]
• 竹北廠購買後，積極處理尾件，爭取取得改建建築執照，預計能順利取得。 [(00:03:35) 易錦良]

併購

• 去年 10 月收購名古屋 JTCK 公司（現名哲虹），第一季即達損益兩平，第二季開始貢獻利潤，進入門檻低且營運維護成本可控。 [(00:02:36) 易錦良]
• 天虹持續執行 M&A 計畫，推動無機成長。 [(00:27:56) 易錦良]

產業循環週期

• 半導體設備市場成長迅速，尤其中國大陸設備公司如雨後春筍般湧現，競爭激烈，若僅扮演追隨者或抄襲者，市場利潤將迅速下滑。 [(00:11:40) 易錦良]

產業供需

• 因訂單量不錯，無塵室空間已開始顯得侷促，需擴大生產空間以滿足市場需求。 [(00:03:55) 易錦良]

產業狀況

• 台灣半導體設備公司在尖端半導體製程領域尚無人參與，天虹選擇競爭激烈的賽道，挑戰全球首創先驅者角色。 [(00:01:03) 易錦良]

獲利

• 哲虹收購後第一季即達損益兩平，第二季開始貢獻利潤。 [(00:03:06) 易錦良]

市場競爭策略

• 天虹策略為在客戶訂 baseline 前將 full set 方案納入，成為 baseline，避免陷入價格競爭紅海。 [(00:21:12) 易錦良]

公司對市場觀點的看法

• 天虹獲得潘文淵文教基金會 ERSO Award 及國家品質獎，代表公司在台灣尖端半導體設備領域獲得肯定。 [(00:04:46) 易錦良]

Transcript

Presentation

Speaker01 - 元大證券 (00:00:00) 歡迎今天所有貴賓蒞臨指導元大證券第三季投資論壇。今天的天虹法說會，我們特別邀請到天虹的黃見駱董事長、易錦良執行長，以及謝麗玲董事長特助。請各位投資人以熱烈掌聲歡迎經營團隊。接下來的時間就交給公司的團隊，向各位投資人做簡報說明，謝謝。

黃見駱 - 天虹, 董事長 (00:00:29) 我是天虹的 Paul，非常歡迎大家參加這次的說明會。接下來會先由我們的執行長報告公司狀況，報告結束後，按照流程進行 Q&A。行程大致如此，我們會隨時視情況溝通。現在我先把時間交給執行長。

易錦良 - 天虹, 執行長 (00:01:03) 大家好，我是天虹執行長易錦良。今天藉此機會向大家報告天虹目前的近況。在正式報告前，我想先表達幾個關鍵訊息。事實上，台灣有許多公司在做半導體設備，且都相當成功，但在尖端半導體製程領域，台灣半導體公司目前尚無人參與。天虹選擇了一條競爭激烈的賽道。這幾年來經過多次投入，我們已看到一些成績。稍後的報告中會帶大家瞭解這些訊息。我想讓大家知道，台灣人在做半導體設備，擁有天時地利人和，因此不應只扮演追隨者的角色。事實上，天虹目前正挑戰全球首創的先驅者角色。如果天虹能順利開發這些設備，至於與哪些客戶合作，大家可以多加聯想。台灣是先進的半導體基地，擁有強大的客戶群，無論前段、後段，或原地、邦地，都在台灣。天虹希望能在 i8 初期藍海階段與他們合作，開發符合客戶需求的設備。我將快速帶大家瞭解今天的報告內容。這是免責聲明，大家可以參考。如果大家有持續關注我們的資訊，這頁會定期更新。去年 10 月，我們收購了名古屋的 JTCK 公司，並命名為哲虹。稍後我將前往日本視察那邊的情況。哲虹收購後的第一個季度即達到損益兩平，第二季度開始為公司貢獻利潤。進入門檻相對較低，較易跨越。許多人擔心收購日本公司後的持續營運及維護成本，但天虹在策略經營及客戶互動上，迅速帶入正面聲音。

(00:03:35) 雖然哲虹的營收貢獻不大，但我們不會讓它成為財務上的負擔。許多人關心我們的竹北廠現況。購買該廠後，前屋主留下部分尾件，我們正積極處理，爭取取得改建建築執照。目前尾件處理已接近尾聲，預計能順利取得建築執照。最後的總結中，我會提到無塵室使用空間的狀況。由於訂單量不錯，無塵室空間已開始顯得侷促。若無法及時取得新無塵室，我們可能會在天虹湖口廠調整空間。目前湖口廠一樓與三樓為無塵室，二樓為庫房。我們計劃將庫房移出，並將二樓改為無塵室，以便生產機能集中。這樣能促進我們在湖口廠的發展。是否會走到這一步，仍需觀察後續業務狀況。關於獲獎紀錄，今年初我們獲得潘文淵文教基金會的 ERSO Award，代表天虹在台灣尖端半導體設備領域獲得肯定。台北工研院及潘文淵文教基金會對我們的認可，也反映在今年獲得的國家品質獎。這是國家級獎項，代表公司在營運治理及前端半導體設備開發方面，已獲台灣社會的肯定。我們的專利持續增加。稍後大家會看到我們開發一些可能是全球首創的設計，帶來許多專利機會。這是我們在湖口廠研發中心的照片，供大家參考。湖口廠是一棟五層樓建築。一樓與三樓為無塵室，二樓為庫房，四樓是研發中心，五樓則是客服團隊及公共餐廳等空間。我們正考慮將二樓庫房移出，改為無塵室，將生產基地集中於湖口廠。

(00:06:28) 在湖口廠一樓設有萬級無塵室，進行設備組裝。早期的 demo lab 原本在一樓，後來搬至三樓。一樓區域可用於與客戶合作的先期研發或簡單代工。這些先期研發或小量試產區域分為三個區域。有些客戶剛孵化，雖然購買天虹設備，但工廠尚未準備好，無法立即移機。研發與試產仍需持續，因此他們會先借用我們場地，並簽訂租約。客戶會派工程師來我們場地進行小規模生產。每個客戶有獨立房間專用。商務模式要求必須購買天虹設備，不能使用其他品牌設備於我們場地。這些代工客戶已與我們合作一段時間，期待其產品明年問世。該客戶為國際大廠，主要 OEM 在台灣。前期研發階段已確立 process baseline，未來其 OEM 廠商將跟隨天虹設備採購。辦公熱區的客戶因業務繁忙，即使購買多座工廠仍不敷使用，研發與工廠無法銜接機台，因此與天虹洽談利用我們廠房與設備進行生產。天虹具備彈性與資源，只要客戶願意購買設備，即可進行早期合作。我們三樓無塵室設有萬級組裝區及千級 demo lab，並設計百級無塵室與客戶合作 EUV 案子。天虹先前收購一家公司，改名為輝虹，作為研發平台。天虹利用輝虹平台及先期研發成果，開發針對 EUV Pellicle 的量測設備。該設備具備特殊設計，稍後將與大家分享。

(00:09:13) 客戶研發需使用昂貴的 EUV 曝光機測試生命週期，成本高昂。若我們能提供先期測試平台，避免佔用昂貴設備，客戶可提前完成研發，帶來極大效益。天虹目前正與客戶合作此平台。我們正合作開發測試平台，提前判斷 Pellicle 模組品質。這是集團發展的大事記。去年成功推出 Panel Level Package 的 PVD 與 Descum 設備，傳送平台尺寸為 310 乘以 310。去年年初決定開發此案。以我觀察，這是天虹產品中 ROI 較快且優秀的案子。設備開發通常需三至五年才能見營收，但此 PLP 傳送平台自開發決定以來，已收到第五台訂單。訂單來自不同客戶與應用，我不便透露細節，但此平台開發迅速獲得客戶回響，並取得五台訂單，ROI 非常快。大家可能好奇天虹下一步將投入何領域，我們內部仍在研究，目前看到的情況是...。我們的做法可能與其他公司有所不同。其他公司多在客戶已有 baseline 時，跟隨設計類似工具，進行價格競爭。天虹早期也類似，但目前更傾向於在先期研發階段直接與客戶深度合作，享受藍海階段的利潤。半導體設備市場，尤其中國大陸，成長迅速，設備公司如雨後春筍般湧現。若僅扮演追隨者或抄襲者，市場利潤將迅速下滑且競爭激烈。我們團隊立基點是在前段直接與客戶合作。

(00:12:10) 天虹目前投入的領域包括高真空電漿、高真空雷射，以及Wafer Thinning。這裡簡要更新幾個產品發展路線圖，稍後會在總結頁說明為何要做這些佈局。早期開發 PVD 腔體，針對高深寬比結構，如 TSV 與 TGV 結構的 dome 或槽，如何鍍好 Barrier/Seed 晶種層。當時採用 long throw 概念，拉長靶材與 pad 距離，並加 bias power 改變入射角，以達高深寬比鍍膜。目前技術遇到瓶頸，也觀察到競爭對手的新想法。因此我們開發新技術 BHSC，其中 B 代表 BIOS 工作，在腔體旁增加 BIOS RF，提高電漿密度，進而提升填充量與改良 step coverage。此腔體已在湖口廠準備完成，並進行基礎製程研究。初步結果符合預期，仍需優化。未來將在 TGP 應用上持續精進。有人提到建立生態系統，讓客戶開始適用。從我角度看，TGP 應用遲早會發生，但時間點尚不明確。發生時規模與形狀仍不確定，是圓形還是方形，尺寸大小也未明。早期佈局，我們會投入部分 R&D 資源，進行基礎研究。天虹目標聚焦於 TGV 孔洞的 Barrier/Seed 層。我們不涉足雷射鑽孔、雷射改質或 wet etch 等技術，這些不是天虹的專長。

(00:14:23) 我們專注於 Barrier C 層的製程，完成後進行電鍍測試。我們會做簡單電鍍槽測試觀念，重點是推動 Barrier C 層的技術標記。Barrier seam 雖只佔 etch seed 中小段，但非常關鍵。若 Barrier seam 不連續，電路無法填充，導致阻值異常，電線易失效。薄玻璃電路需雙面鍍膜，技術門檻高。關於 ALD 部分，黃董事長已介紹得差不多。若關注天虹發展，會發現早在 2023 至 2024 年間，我們已成功開發 moly ALD。Moly 為取代 tungsten 的金屬材料。國際設備大廠也推動 VOD 模擬，應用於 memory 與 logic 客戶。我們模擬已準備就緒，並持續開發金屬氮化物、氧化物、碳化物等材料。我們與客戶早在數年前即合作，利用大學實驗室進行新材料與化學方法的研發。上次推廣設備於半導體學院，與客戶合作超過兩年。早期測試多為 coupon 測試，證明我們化學觀念正確。目前與客戶合作建立更大實驗室，設備已委託放置，開始觀察整片 wafer 結果。預計今年底至明年初陸續有新 chamber 開發。我們將開發新型 hyper chamber，為第四代 ALD chamber，整合 thermal ALD 與 plasma ALD，稱為 hybrid chamber。並整合 in-situ clean 技術。

(00:17:12) 對於對 particle performance 要求嚴格的客戶，in-situ clean 與 theoretical clean 是必要條件。傳統 ALD 觀念為累積模後一次性清潔，但現今客戶要求每做完一片膜即清潔，保持 wafer 間腔體條件一致。這就是 in-situ cleaning 的需求。再者，in-situ metrology 技術讓我們能在腔體內即時監控電漿狀態與光譜，預測鍍膜結果。這些都是與客戶討論的重點。目前從 coupon 測試逐步轉向整片 wafer 測試。另一項是 UV ALD 技術，隨著客戶 device 進步，對熱與電漿敏感，無法用傳統方式鍛鍊，光化學成為替代方案。光化學在理工科學校常見，波長越短能量越高，涵蓋 UV A、B、C 波段。利用不同波段打開特定段件，促進後續化學反應。兩年前已證明此觀念正確，目前開始設計整體 chamber，讓整片 wafer 達成預期效果。以上兩種 chamber 已在實驗室裝置完成。預計第三、四季間，約本月至下月，將進行首片製程測試。希望結果與過去 Q4 Twitter 案相近，因為後續時間緊迫，需趕上客戶下一代 baseline。

(00:19:37) 既然已有 310×310 平台，天虹也計劃開發同尺寸的 ALD 強本設備，已收到客戶訂單並接受委託開發。這顯示天虹已達一定水準。以往是我先做出產品，再請客戶驗證強本性能。如今我們已從早期階段開始，主動推動產品開發與驗證。能否做好，目前已經成功遷移到新的製程，我們一起來開發新的製程。關於這個 Panel ALD 的設備，已經接到客戶訂單，並且設定目標在明年農曆年後交付給客戶。如果天虹能順利開發出 Panel ALD 設備及 UV ALD 的槍口，就如同剛才報告，我們將成為全球第一個提供此方案的設備商。當然，我不敢說能領先同業多久，但天虹在台灣這個產業環境中擁有天時地利人和。只要持續保持速度與競爭力，我相信天虹始終能在前段享受藍海市場的階段。後續可能會有一些溢出效應，因為客戶訂定 baseline 後通常不願更改。因此，天虹策略是在客戶訂 baseline 前，將我們的 full set 方案納入，成為他們的 baseline。這是我們在 boundary 與 debonder 領域的專長。我們的 12 吋 auto bonder 與 debonder 已經交付給客戶。目前競爭對手日本廠商交付遇到問題，客戶開始要求我們加速配合驗證，銜接他們產能的缺口。

(00:21:51) 客戶希望我們趕快協助驗證並填補產能缺口。這對天虹來說是難得的機會，因為客戶訂定 baseline 後通常不願更改，但在 bonder 這個案例中，我們看到新的機會。事實上，我們的競爭對手自己出現失誤，且尚未恢復。我們正趁著龜兔賽跑中兔子睡覺的時候，努力爬升，搶佔機會。目前在 bond 領域，我們看到這樣的機會。在 etch領域，我們最早從 descum 開始著手。現在我們著重於如何做好 second type 的 H，以及 plasma dicing 與 TSV forming。此外，ADF 的 edge 領域也與客戶進行策略合作，初期成果不錯。製程結果令人滿意，但生產效率仍落後競爭對手，因此我們正在設計更新的 chamber，以提升氣體置換率。這個 H 工藝主要是 Bosch etch 概念，動作為 dep/etch 交替。我們必須快速置換 chamber 內氣體，並在 depth 與 h 之間切換。目前已重新設計 chamber，預計第四季開始進行首次製程測試。關於 EUV 量測設備，初代機已完成，現在是二代機。根據與客戶討論，二代機將整合初代機功能，並提升生產效率。

(00:23:52) 二代機也將提供更佳量測結果。客戶期待我們能大幅降低他們使用 ASML 機台的時間，將部分研發與檢測工作移植至我們設備上。目前正與客戶合作開發相關功能。這是我們 PLP 平台，PVD 可做正反面金屬沉積，並有 descum 機台。此次半導體展中，許多同業參觀天虹，肯定我們短時間內設計出此平台，並敢於現場進行傳送測試。因此，這是我們提供開發設備中 ROI 較快的案子。目前也利用此平台搭配 ALD chamber，進行其他相關領域開發。所有設備均通過 SEMI S2 認證。以下是我們目前觀察的摘要。我們的 TLP 與 TV 設備已交付客戶。初期遇到許多意想不到的問題，但天虹成功克服並解決。在客戶現場，我們也協助解決其他同業機台的狀況，機台獲得客戶肯定。我們利用此機會取得多家客戶的訂單。關於 L2D，我們看到先進製程與 smart class 的強勁動能。EUV 量測設備達到預期效能，客戶也希望開發更多功能，我們正與客戶配合開發中。目前挑戰在於生產區管理與供應鏈管理，如何以更有效率方式創造更多營收。若需擴大生產空間，我計劃將 湖口廠二樓庫房移出，改為生產區。我們致力提升開發效率，以滿足 title market 客戶期待。持續與先進製程及先進封裝客戶合作。12 吋 auto mechanical de-bonder 已於第三季交機。

(00:27:00) 關於 UV ALD 的 Lumina chamber，目標月底前點亮並完成首片 wafer 製程。HyFA chamber機台已接近組裝完成，目標十月完成首片製程。etchchamber Vetra 預計年底前開始首片製程。新開發的 310×310 ALD、310×310 PECVD 及 310×310 H chamber，目標明年第一、二季開始製程。310×310 ALD 時間挑戰較大，目標明年第一季完成製程並交付客戶，用於生產，我們對此感到樂觀。我們持續執行 M&A 計劃，推動無機成長。財務表現方面，今年天虹預計表現將遠優於去年。成績部分稍後由董事長更新。董事長將進行更新，雖然不便透露細節，但我們確實非常忙碌，整體表現良好。關於產品與客戶分佈，今年預測中 PVD 仍為主要產品，但 ALD 持續成長。ALD 的成長速度預計將遠超 2025 年。PVD 仍為主要產品，但 ALD 收入增長迅速。從產品與客戶分佈來看，封裝客戶比重逐漸增加，尤其是紅色標示的封裝部分成長顯著。今年也看到化合物半導體客戶，但非傳統 SiC 或 GaN 客戶，而是 InP 客戶。該產業目前進入軍備競賽階段，特別是在 CPO 領域的 micro VCSEL 應用，市場擴展帶來營收貢獻。

(00:29:48) 光電領域主要是 micro LED 應用，尤其用於 smart glass 上的 micro LED。這是我們目前觀察到的市場狀況。AI 動能確實推動多個產業前進。天虹提供的服務被客戶用於 AI 相關應用開發，佔比逐漸增加。以上為簡要介紹，歡迎大家提問。

Q&A

Speaker01 - 元大證券 (00:30:39) 感謝天虹經營團隊精彩簡報。接下來進入 Q&A 時間，已有投資人提問，由我代為朗讀。第一個問題：矽基半導體成長比例不小，請問主要應用於哪些終端？第二個問題：公司短中期主要成長動能為何？

黃見駱 - 天虹, 董事長 (00:31:12) 感謝提問。先回答第一個問題，從我們的 pie chart 來看，矽基半導體在各年度成長明顯，今年預估及前八個月成長均較大，主要應用領域為...（後續內容未提供）。主要源於近年及明年功率半導體的需求增加。功率半導體我們已佈局多年。五、六年前即有功率半導體客戶佈局，近期詢問與評估增加。功率半導體在矽基成長率較高，光學應用尤其在光通訊方面，矽基半導體也有客戶投入。這反映在今年的學習曲線上。其他特殊應用如 HUB 及消費性電子也有簡單運用，這是矽基半導體成長較多的部分，也是我們長期耕耘的成果。第二個問題是...（後續內容未提供）。關於中期成長動能，從簡報中終端應用客戶分佈難以明顯觀察。我們主要聚焦於今年、明年及未來數年。例如功率半導體，特別是 310×310 這塊，我們的推動力較大。今年已有部分營收認列，明年及後年深度與強度將更顯著，這是我們重要的推動力。當然不僅限於 bonder，我們持續在不同公司佈局，並持續演進。目前已有陸續成果。無論是 PVD 類的 boundary-to-boundary descum，或 etch領域的先進封裝，都將帶來成長。另一個較廣的領域是光通訊。光通訊客戶群已接近 20 家，來自不同產業，均在光通訊及眼鏡開發領域活躍。這些開發及新產品應用需要特殊設計設備，我們為客戶提供此類設計。

(00:34:34) 在化合物半導體方面，George 也提及 AMP 與 Indian Fastback，這與光通訊密切相關。該領域應用與成長在未來兩三年將持續顯著。Micro LED 也應用於光通訊，過去強調顯示領域，近期開始進入通訊賽道，涵蓋不同光學與光通訊應用。通訊領域也涵蓋 CPO，意指 Co-packaging，結合電與光，通常在後端先進工廠進行。我們與客戶合作，無論是 boundary-to-boundary、PVD 或 ALD 領域。ALD 是光通訊賽道中應用最廣且客戶要求開發最多的設備。ALD 設備經多年應用，客戶研發成果逐漸顯現，ALD 應用越來越廣，獲得客戶認可。主要聚焦光通訊領域，廣度與深度兼具。先進封裝方面，George 也提及多項重點，我們與客戶成立多個實驗室，積極推動先進製程。我們協助客戶進行防禦技術研究，並調整設備以符合客戶使用需求，中長期將逐步發酵。近期雖無大量成果，但未來將逐漸顯現。

Speaker01 - 元大證券 (00:37:15) 這是公司短中期及中長期重要的成長動力。以上是我對提問的回應，感謝各位投資人提問。由於時間關係，今日 Q&A 環節結束，再次感謝天虹管理團隊的簡報與回覆，本次法說會到此結束。