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活動_力積電6770_3Q26法說逐字稿_20261021

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本檔為 AI 語音轉寫,落地前已校正下列轉寫誤植(以 Transcript 為準);未列出者為原文。 - 「遺跡費用/遺跡影響」→ 移機費用/移機影響(銅鑼廠移機,同音誤植;CFO 答問上下文為「移機費用」) - 「頭片」→ 投片(「頭片計價」「頭片 ASP」,同音誤植) - 「寄轉費/寄轉進度」→ 技轉費/技轉進度(Tata 建廠之技術移轉費,同音誤植) - 「NordFresh」→ NOR Flash(後文為 BIOS 等 NOR 應用) - 「AITwitter 模型」→ AI 模型(轉寫誤植) - 「Hyperbump」→ Hybrid bump(與 Microbump 對照之混合鍵合凸塊);「建核架構」→ 鍵合架構(同音誤植,待核對) - 「Direct、邏輯及 3D AI Foundry」→ DRAM(記憶體)、邏輯及 3D AI Foundry(前段依序講 DRAM/Flash、邏輯、3D AI,「Direct」為 DRAM 誤植) - 「覆線」→ 復線;「市產線」→ 試產線;「幹擾」→ 干擾;「捷徑式空間」→ 潔淨室空間(同音誤植,後者待核對) - 「EPDRAM 生產線」→ 1P DRAM 生產線(對應與美光合作之 1P 製程,待核對) - 「Waveform Wafer」「Web-on-Web」→ Wafer-on-Wafer(WoW);「Post-Wafer Finish」→ PWF;「PWA」→ PWF(縮寫以公司頁既有 PWF 為準) - 「IPT」「IPV」→ IPD(整合被動元件/矽電容,全文其餘皆稱 IPD) - 「MLC Net」→ MLC NAND;「矽球」→ 矽電容;「光通」→ 光通訊;「利晶創新」→ 力晶創新(控股公司,待核對);「新場地的表演地點」→ 新廠地點 - 「邏輯價格調降,投片價格高於產出價格」→ 邏輯價格調漲(前後文為價格上漲、投片價高於產出價之落差) - 已核對:「營運表現為 5.42 億元」→ 累計每股盈餘 5.42 元(依公開資訊觀測站 2026-10-21 自結重訊:1–9 月基本 EPS 5.42 元;接在「1 至 9 月淨利已超過 240 億元」之後),已改正文[原註:疑為營業利益量級誤植] - 數字存疑:「上一季晶圓出貨片數為 416 萬片」——JPM 報告 2Q26 出貨 42.2 萬片,本季「比第二季稍微少」,疑為 41.6 萬片,原文保留,memo 標 [數字存疑] - 已核對:「每股營運益為 1.38 元」→ 每股盈餘 1.38 元,公開資訊觀測站 2026-10-21 自結重訊相符(3Q26 稅後淨利 64.998 億元、基本 EPS 1.38 元);先前以 41–43 億股回推不符,原因是股本已擴張至約 47.1 億股(Yahoo 股市 2026-10-22 已發行普通股 4,712,080,856 股) - 數字存疑:「低容值約 8000 至 10000 片,為 8 吋高容值約 3500 片規模」——語句錯置;前段董事長稱 1 萬片為 12 吋高容值(規劃 8000–10000 片),疑為「高容值約 8000–10000 片;低容值(8 吋)約 3500 片」,原文保留,memo 標待核對 - 語意不明、原文保留待核對:「未簽年度保育合約客戶」(疑為保價/保量類年度合約)、「後段的後段產線從銅鑼廠移至新竹廠」(疑指 Interposer 後段產線)、「第一輪產值增加」 - 其餘驗算通過:營收 213 億/QoQ +23%(172.9 億→213 億)、毛利 102 億/48%、毛利增加 53 億(49→102)、淨利率 65/213≈30%(2Q 33/172.9≈19%)、9M 營收 522 億≈308.6+213、9M 毛利率 31% - 前置 AI 摘要區塊(Memo)內容皆為本逐字稿之二次生成,含未經證實之推估註記與數字錯置(如 EPS、營業利益),未保留;memo 檔由校正後逐字稿重寫

Presentation 譚仲民 - 力積電, 副總經理暨發言人

(00:01:03)各位投資界的女士先生,下午好。感謝大家撥空參加我們力晶積成電子製造股份有限公司,也就是力積電,2026 年第三季線上法說會。首先,依規定請大家參閱本次法說會的免責聲明。今天的法說會將由力積電董事長謝再居博士、總經理朱憲國先生、財務長邵章榮、副總經理以及我本人,力積電副總經理暨發言人譚仲民,一起主持。關於今天法說會的進行程序,首先我將會...為各位大致說明 2026 年第三季力積電的營運相關數字。請大家留意,接下來所提出的財務數字都是本公司的自結數,尚未經過會計師的審核。之後朱憲國總經理會就力積電 2026 年第三季的營運實況及未來展望略作說明。接下來會由謝再居董事長跟大家說明力積電的策略佈局,然後進行線上問答環節。好,我們現在就開始正式進行力積電 2026 年第三季法人說明會。第一部分,我們先談一下營運結果。各位請看第三季摘要,整季營收約 213 億元,淨利 65 億元,每股營運益為 1.38 元,較前一季有顯著進步,當然與去年同期相比進步更多。我們的現金部位約有 760 多億元,接近 770 億元的水準。總資產也超過 2000 億元,整體財務結構日益健全。上一季晶圓出貨片數為 416 萬片,比第二季稍微少一些,主要因為銅鑼廠搬遷並交接給美光,導致銅鑼廠產能略有下降。

譚仲民 - 力積電, 副總經理暨發言人

(00:03:32)接著詳細看第三季營運實體狀況,美元季價與台幣季價佔比相當,匯率本季變動不大,與上一季相比差異不明顯。毛利率已達 48%,較上一季 28% 增加 20 個百分點,主要受惠於平均售價(ASP)提升及產能利用率上升。營運費用略有增加,主要因銅鑼廠設備拆卸後,生產停止但尚未交割給美光,部分費用仍需分攤。原本銅鑼廠的費用計入製造成本(COGS),現在因生產活動停止,費用移至營運費用,導致營運費用略增。其他整體部分已先前提及,整體績效較第二季明顯提升,營運及獲利動能已顯現。今年累計營收已達 522 億元,1 至 9 月毛利率提升至 31%。整體營運績效逐步改善,無論是邏輯 ASP 或 DRAM 行情均趨向良好,DRAM ASP 隨市場實況提升。晶圓代工的時間差逐步補足,毛利率提升速度從數字中可見端倪,1 至 9 月淨利已超過 240 億元。累計每股盈餘為 5.42 元,第一季因銅鑼廠(P5 廠)出售給美光而有較好營收,二、三季營運表現較明顯。整體與去年同期相比已有顯著改善。產品銷售區域方面,歐美比例提升。整體營收因 DRAM 貢獻增加,分母擴大。DRAM 主要銷售於台灣及亞洲,歐美客戶主要為邏輯代工。

譚仲民 - 力積電, 副總經理暨發言人

(00:06:31)歐美區貢獻主要來自 PMIC 與車用兩部分。12 吋邏輯代工客戶動能及高毛利產品增加,推動歐美銷售成長顯著。產品銷售組合方面,30 奈米以下多為記憶體產品,邏輯產品主要集中於 0.18 與 0.25 微米的 8 吋製程。整體結構顯示 DRAM 價格及代工價格持續上升,記憶體營收比重逐漸提高。這趨勢明確,第三季 DRAM 營收比重中,30 奈米以下已超過 57%,加上 63 奈米車用 DRAM,佔比超過 60%,較第二季持續成長。銷售比例中,記憶體(DRAM 及 Flash)約佔 63%。PMIC 因分母擴大,雖有成長動能,但比例略微下降。3D AI Foundry 業務在今年第二季比重為 5.4%,第三季降至 1.4%,主要因兩個原因,第一是銅鑼廠設備拆卸及生產暫停。設備拆卸後移回新竹廠區(P1、P2 舊廠區),生產暫停,導致營收下滑。另一原因是分母擴大,因第一輪產值增加及其他邏輯 ASP 提升,營業額擴大。因此 3D AI Foundry 比重被稀釋,第三季明顯下滑。但我們正積極在新主場區重建 3D AI 產線,恢復產能,總經理稍後將詳細說明。今年資本支出預估約 4.13 億美元,主要用於新竹廠區改裝,進行設備更新,將舊設備移出,引進高附加價值產線及設備。

譚仲民 - 力積電, 副總經理暨發言人

(00:09:40)另外包含每年固定的維護支出,用於機台維修及更換。今年資本支出約 4.13 億美元。未來兩至三年,因潔淨室空間受限,主要資本支出將集中於建立美光 PWF 產線及引進美光 1P 製程,相關支出將陸續展現。總體來說,資本支出金額未來幾年將較為有限。以上為第三季營運數字說明,接下來請朱憲國總經理說明營運實況及展望。

朱憲國 - 力積電, 總經理

(00:10:44)大家好,我先針對第三季財報向股東說明。第三季營收為 213 億元,季成長 23%,以美元季價計為 22%,主要受惠於 ASP 上漲,ASP 約增加 24%。毛利部分,第三季達 102 億元,毛利率 48%,較第二季 49 億元增加 53 億元,主要受惠於 ASP 提升、銅鑼廠停線及整體產能利用率提升。稅後淨利第三季為 65 億元,淨利率 30%,第二季為 33 億元、19%,淨利增加 32 億元。利多因素為 ASP 上升,不利因素為所得稅增加及移機費用影響。關於記憶體部分,有兩點說明。DRAM 方面,近期 AI 伺服器採用的 HBM 持續消耗先進製程產能,產能仍然緊張。NVIDIA 的 Rubin 架構 HBM 容量由 288GB 降至 192GB。加上未來推理需求取代訓練,成為消耗算力的主要動力,全球晶圓市場仍處於供需失衡狀態。AI 普及導致舊辦公室電腦淘汰,拆板貨 DRAM 供應充足,造成 DDR3 現貨價疲軟,但預估為短期效應。大廠積極轉向 HBM 並逐步退出利基型 DRAM 市場,我們預估需求仍吃緊,利基型 DRAM 代工價格維持高檔。與美光合作的 DRAM 1P 製程進展順利。

朱憲國 - 力積電, 總經理

(00:13:03)PDK 將於今年底完成,新機台 2027 年第一季到位,第二季進入市場。Flash 方面,三星與凱俠逐步退出 MLC 供應,MLC 市場極度短缺,部分消費性電子廠商轉向 SLC NAND。SLC NAND 大容量如 4GB 需求擴大,我們已將 SLC NAND 代工平台推向更具競爭力的 24 奈米製程,強化產品競爭力。此外,AI 推論模型帶動主流 NAND Flash 需求,大廠重心轉向 3D TLC 及 QLC NAND,以因應企業級 SSD 的熱門應用與需求。我們與客戶合作開發 MLC NAND 產品,預計 2026 年底推出新產品,藉此增加內容量並擴展市場廣度與應用深度。AI 伺服器帶動 NoFlash 的 content per box 為一般傳統伺服器的 3 至 5 倍,特別是大容量(超過 256MB)NoFlash,目前市場供不應求。力積電因地緣政治因素,是中國以外唯一的 NoFlash 代工業者,地位特殊。以上為記憶體代工說明。接下來有五點關於邏輯代工產品線說明。第一,邏輯代工產能仍短缺,第三季 8 吋及 12 吋邏輯代工價格調高約 10 至 15%,針對未簽年度保育合約客戶,平均價格調升約 8 至 10%。

朱憲國 - 力積電, 總經理

(00:15:20)第二,電源管理 IC 需求持續暢旺,尤其 AI 伺服器及車用相關應用。公司電源管理 IC 代工已由 0.15 微米順利切入 55 奈米 BCD 製程,產品用於 AI 伺服器並已開始量產。客戶需求強烈,要求保留 3 年供貨保障。雖然因記憶體短缺及終端售價調漲,全年手機出貨量預計下降 20%,但晶圓廠 2026 年普遍滿載,產能排擠嚴重。IC 庫存預期將調整至較健康水位,手機大廠對 2027 年手機用 PMIC 產能需求仍非常積極。第三,MOSFET 與 IGBT 部分,2027 年約 80% 產能已與客戶簽訂 LTA 合約。GaN 產品線已小量投產,但主力客戶推廣產品仍需時間,對公司營收貢獻時機尚未成熟。第四,中國車市雖已飽和,但海外外銷市場持續成長,反映於車用觸控面板 IC 需求持續提升。台系代工廠逐步減產並調漲價格,車用 TDDI 需求依然暢旺。產能短缺及交期延長情況未改善,下游面板廠客戶多次來廠催貨,顯示需求依然緊湊。第五,下半年晶圓廠產能普遍滿載,成熟製程 2026 年代工價格已調漲,2027 年目標再調升 10 至 20%。目前積極與客戶協商,並以 LTA 綁定 2027 年價量,產能分配將優先給 LTA 客戶。

朱憲國 - 力積電, 總經理

(00:17:57)第三部分關於 3D AI Foundry 產品線,有四點說明。第一,IPD 隨 AI 伺服器功耗提升,傳統 MLCC 難以滿足需求,IPD 已成為 AI 及 HPC 晶片不可或缺的關鍵零組件,需求能見度延伸至 2028 年。單一封裝機板搭載的 IPD 數量遠高於傳統方案,多家客戶對市場展望樂觀,預期 IPD 市場需求將大幅增長。我們在 8 吋及 12 吋製程已開始量產,且產能持續擴大。電壓佈局從 1.2V 至 100V,電容密度從小型 10nF 至大型 2300nF,明年將導入 4500nF 新產品,滿足 AI 伺服器、通訊模組及其他電子產品應用需求。第二,關於 interposer,AI 晶片交付瓶頸已由前段製程轉向後段封裝。CoWoS 因產能不足,訂單外溢現象持續。interposer 產品線於 2025 年進入穩定量產,並已與國際 OSAT 大廠接軌。由於後段的後段產線從銅鑼廠移至新竹廠,導致中間有一到兩季的干擾。目前已完成復線並正在重新爬坡,預計年底可恢復至之前滿載的產能水準。第三點關於 Wafer-on-Wafer 技術,AI 模型已開始從雲端 AI 轉向地端 Edge 端,部署於 AIPC、手機、機器人、穿戴裝置及智慧家電,這些都是未來值得關注的市場應用。

朱憲國 - 力積電, 總經理

(00:20:07)因應高頻寬與低功耗需求,鍵合架構已從 Microbump 轉向 Hybrid bump,成為必然趨勢。我們在 Hybrid bump 技術上累積豐富經驗,並與策略客戶合作,已打入國際大廠新產品應用。Wafer-on-Wafer 產品線已從銅鑼廠移至新竹廠,目前已復產並開始小量試產,預計 2027 年上半年正式量產。第四點關於 PWF,我們持續與美光密切合作,預計 2026 年底完成試產線設置,2027 年第四季將盡早量產,目前一切依計劃進行。以上為 DRAM(記憶體)、邏輯及 3D AI Foundry 的市況說明,我將補充幾點。首先,銅鑼廠預計於 2027 年第一季完成交接給美光,該計劃正按部就班進行。由於銅鑼廠設備大規模停線及移機影響,2026 年下半年 Wafer-on-Wafer 與 Interposer 第三季產出明顯下滑,營收比例降至約 1%。3D AI Foundry 第三季營收亦未完全恢復,但新入場產線將陸續復產。加上 IPD 逐步放量,預計 3D AI Foundry 自今年第四季起逐漸恢復營收動能,並於 2027 年每季持續成長。PWF 預計於 2028 年驗證完成後加入營收成長,成為 3D AI 下一波成長動能。第二點補充,因代工採投片計價,第三季記憶體代工產出 ASP 較投片 ASP 落後約 30%。

朱憲國 - 力積電, 總經理

(00:22:27)另外,邏輯代工價格有所調漲,預計第四季整體營收將有雙位數成長。展望未來,在 AI 動能持續下,我們對 2027 年全年營收與獲利表現持樂觀期待。第三點,無塵室空間已全數使用完畢。待 P5 機台搬回,並於 P1、P2 局部擴充無塵室空間後,空間定位完成。目前已積極推動新廠規劃。我們將在台灣、新加坡及日本等地進行產能擴充及新廠調研,聚焦 3D AI Foundry 領域,並與策略客戶共同評估投資可行性,期望 2028 年後能跟上市場成長契機。以上說明,謝謝。

謝再居 - 力積電, 董事長

(00:23:45)感謝總經理說明,接下來請謝再居董事長談策略佈局。謝謝各位投資朋友,我將對總經理報告的新產品線做總結與補充。首先,關於 P1、P2、P3 廠,即原 12 吋廠,銅鑼廠轉交美光後,我們將移出大量機台。這些機台將充分利用,其中部分搬回 P1、P2、P3 廠,並汰換老舊機台。原 P5 廠重要生產線,包括 Interposer 與 Wafer-on-Wafer,已優先搬回 P1、P2 廠,因此第三季生產受影響,預計第四季下半季可恢復。Wafer-on-Wafer 與 Interposer 生產線將逐步回復正常。目前正於 P3 廠建置 1P DRAM 生產線,另承諾為美光代工的 PWF 新廠將設於 P1、P2 廠,這是過去半年至未來一年主要工作。營運策略方面,首先,我們將趁產業牛市最大化產出。其次,不再強調過去的 Open Foundry 商業模式,現階段重點是簡化製程平台,提高設備利用率與生產力。第三,我們將持續檢討低毛利、低產值且無成長性的產品接單,因產線產能極為珍貴,需謹慎管理。此外,基於舊有製程的新品線亦是重點。強調舊有製程基礎,主要為降低資本支出。重要產品線包括 Power Management IC 及 Interposer IPD。

謝再居 - 力積電, 董事長

(00:27:11)這些產品主要使用現有製程,尤其是 IPD 著重於舊有 DRAM 技術。PWF 為新生產線,為美光代工。PWF 為未來新增產能投資,我們希望客戶能以 30% 至 60% 範圍內,透過租賃或預付款方式參與。以 PWF 為例,設備由美光全額預付,未來新製程,特別是 DRAM Wafer-on-Wafer 產線,也希望採此模式以降低資本支出風險。在 DRAM Wafer-on-Wafer 等新產線,我們將持續推動此模式以減少公司資本支出風險。總經理提及擴大無塵室空間需求,主要因銅鑼廠出售後,原有產線無處安置,多數搬回 P1、P2 廠。許多設備暫存於倉庫,此外,客戶對成長性產品線需求強勁。主要成長產品線包括 IPD、PWF、Wafer-on-Wafer 及 Interposer,這四項需求強勁,與未來 AI 成長動能密切相關,因此擴大無塵室空間。此外,DRAM 景氣促使多家原生產 DRAM 公司轉向高端產品。不僅三大廠,國內兩家競爭者亦追求高端產品,傳統 DRAM 產品客戶需求緊迫。力積電將成為全球唯一持續代工傳統 DRAM 產品的公司。目前 63 奈米 DRAM 製程仍有多款產品生產,預期 38 奈米、25 奈米及 20 奈米產品未來仍有 10 至 15 年需求。

謝再居 - 力積電, 董事長

(00:30:35)我們自詡為客戶期待的合作夥伴,未來全球僅剩我們持續生產傳統 DRAM,涵蓋辦公機器、白色家電、通訊系統及車用等多元應用。傳統 DRAM 如 DDR1、DDR2 及 DDR3 壽命將長久,未來仍為我們長期佈局的生產線。綜合以上,我們期望未來三至五年內取得另一座小規模半導體廠,約兩萬至四萬片產能,以擴展新生產線並維持對客戶的承諾。關於 IPD 產品,在高效能運算系統中,作為去雜訊電容的需求預計明年將大幅成長。目前我們使用 38 奈米及 25 奈米 DRAM 製程生產 IPD,若提高產能,將擠壓現有 DRAM 代工產能。預估 IPD 產能最多約一萬片,為目前限制。整體產業需求,尤其明年下半年後,月需求約三至五萬片。以上為補充說明,感謝各位投資朋友。

Q&A 譚仲民 - 力積電, 副總經理暨發言人

(00:33:03)現在進入法說會問答環節,請各位專注力積電,若有問題請在線上提問,並說明姓名及公司證號,我們將依提問順序回答。現在線上已有提問,詢問 IPD 月產能及對 EMIB 雜訊的看法。因涉及客戶,我們無法評論個別情況,但目前未聽聞 EMIB 有下修。下一問題詢問銅鑼廠直接成本變動及營業費用影響,請財務長說明。

邵章榮 - 力積電, 財務長

(00:34:07)銅鑼廠第三季每月由銷售成本轉至營業費用約 2.2 億元,第三季營業費用增幅較大,約 6.6 億元,預計明年第二季降至零,屬短期營業費用,將逐步下降。未來營業費用上升主要因獲利增加,導致分紅及酬勞增幅。

譚仲民 - 力積電, 副總經理暨發言人

(00:34:50)有人詢問 NOR Flash 代工主要客戶及是否需終端晶片客戶驗證,請總經理說明。

朱憲國 - 力積電, 總經理

(00:35:04)NOR Flash 需經終端客戶驗證,耗時較長。目前已佈局 48 奈米,並打入消費性產品、PC 及伺服器 BIOS 等 NOR 應用,未來亦將拓展車用,驗證時間較長。有人問 IPD 在 12 吋與 8 吋需求差異。8 吋與 12 吋應用不同,12 吋主要為 HPC,現可達 2300 奈法,明年約 4500 奈法以上;8 吋則為低容值約 10 奈法,應用不同。8 吋主要用於通訊模組及 PCIe 介面,與 HPC 應用有差異。兩者產能均已量產,現處爬坡階段。

邵章榮 - 力積電, 財務長

(00:36:22)有人問 2027 年折舊趨勢,請財務長說明。折舊因銅鑼廠處分,較去年微降,預估明年約 90 至 95 億元台幣。

朱憲國 - 力積電, 總經理

(00:36:50)有人請總經理說明產出 ASP 與投片 ASP 差異。因需求價格持續上漲,邏輯價格調漲,投片價格高於產出價格,因循環時間遞延,邏輯約 2 至 3 個月,記憶體約 4 個月。第三季約有 30% 價格落差,意即第四季價格及出貨價格將更高,營收貢獻將增加。

譚仲民 - 力積電, 副總經理暨發言人

(00:37:34)好的,有人問到關於銅鑼廠移回新竹廠區的移機問題,包括費用多少,以及這些費用大概什麼時候會結束,移機完成後是否會逐步減少,請財務長來說明。

邵章榮 - 力積電, 財務長

(00:37:54)原廠移機費用方面,我們與美光的交易中,第一季認列的廠房交易約有 200 億元,我們也做了一些必要的減損,將設備減損一次性認列,因此第一季約有 150 億元的獲利是來自美光交易,但未來移機所產生的費用金額也不小。當初談判時,我們與美光簽訂了一份技術服務合約,該合約金額用來對應我們的移機費用。因為我們要完整轉移並持續維護工廠的可運行性,這筆費用約為新台幣 65 億元,這就是對標我們的移機費用。第三季的...認列的技術服務收入約為 10 億元,第三季產生的費用也約 10 億元,原則上這兩者在第三季相互抵銷,因此看起來第三季沒有產生額外費用。我認為第四季也會持續認列,整個移機費用的高峰會出現在第三季及明年第一季。最後移機費用是否能完全抵銷這 65 億元,我們還要觀察,但增額應該不會超過 20 億元,大致落在這個範圍,目前看起來是如此。

譚仲民 - 力積電, 副總經理暨發言人

(00:39:33)有人問第四季的營收,總經理剛才已提及,預計會有雙位數成長。至於毛利率方面,我們不便做猜測,因此 2027 年的毛利率也不在此回答。當然,營收增加的部分基本上就是利潤,因為都是單價成長,大家可以自行評估。關於 2027 年的營收成長,我們不做財務預測,但總經理剛才提到,我們對未來仍持審慎樂觀態度。至於記憶體整體產業的看法,請總經理與董事長幫忙說明。

朱憲國 - 力積電, 總經理

(00:40:20)剛才稍微提到,第三季因為有一些拆板貨,造成市場干擾。拆板貨出現的原因是供應量不足。DDR3 因拆板影響,第三季現貨價稍微下跌,但幅度不大。其他 DDR4 以上產品則無明顯變化,頂多持平。整體記憶體產業仍以供需為主,我們看到 2027 年供應面仍未完全跟上,大部分新廠擴建僅有美光的新廠開始投產。2028 年擴建會較多,但 AI 需求是否持續上升,供給是否能跟上需求,仍需觀察。以目前角度看,整體需求面無結構性改變,整體看法偏樂觀。

譚仲民 - 力積電, 副總經理暨發言人

(00:41:24)有人問到關於 LTA(Long Term Agreement,長約)在記憶體代工方面的情況,請總經理簡單說明。

朱憲國 - 力積電, 總經理

(00:41:36)記憶體代工方面,我們目前仍在與客戶協商 LTA。因明年將有 1P 新技術導入,空間有限,我們會用現有舊產線轉換,因此產能調整與分配尚未明確,尚未急於與客戶簽訂 LTA。此外,簽訂 LTA 可能會邀請客戶共同投資,目前仍在構思與協商階段,尚無定論。

譚仲民 - 力積電, 副總經理暨發言人

(00:42:14)有人問矽電容是否使用舊記憶體設備製造,主要是 12 吋矽電容 IPD,請總經理說明矽電容與記憶體之間的取捨。

朱憲國 - 力積電, 總經理

(00:42:33)董事長剛提過,矽電容使用電容技術,與記憶體在電容部分的資源會互相共享。現有空間下難以大幅提升產能。目前我們開始考慮建新廠,新廠可緩解空間不足問題。未來建廠不會完全做記憶體,因投資大且風險高,但 IPD 與 Interposer 等 3D AI 方式產品較有機會吸引客戶共同投資,未來擴充將以此為主。這類 3D AI Foundry 產品較有機會與客戶共同投資,未來擴充將以此為主。

譚仲民 - 力積電, 副總經理暨發言人

(00:43:29)矽電容有兩種產品:低容值使用溝槽式 deep trench 製程,高容值則使用類似 DRAM 的 capacitor 製程。無論是 8 吋低容值或 12 吋高容值產品,12 吋低容值產品也在規劃中,未來矽電容將成為我們的主力產品之一。有人提問如何滿足客戶對矽電容的強勁需求,總經理已提及,我們會評估明年度產能應用程度,同時尋覓新建廠用地進度以規劃產能。有人問是否能同時滿足單一客戶每月 3 到 5 萬片的需求,請總經理說明。

朱憲國 - 力積電, 總經理

(00:44:34)當然不會有單一客戶有如此多需求,我們也考慮風險分散。若建置 3 到 5 萬片產能,必定有多個客戶參與。DRAM 高容值部分目前使用 DRAM 產能,但溝槽式製程偏向邏輯製程,可緩解 DRAM 產能不足壓力。

譚仲民 - 力積電, 副總經理暨發言人

(00:45:04)有人問 Tata 的營收狀況,報告我們與 Tata 並非合資公司,營收與我們無關,我們主要提供顧問服務協助建廠,營收部分應為技轉費。

朱憲國 - 力積電, 總經理

(00:45:20)這裡指的是技轉費。

譚仲民 - 力積電, 副總經理暨發言人

(00:45:21)技轉費方面,今年底我們將收到約 27% 的技轉費,隨著建廠與技轉進度逐步收取。有人問新廠地點、規模與時間,目前仍處於初期階段,無法給出具體答案,需先多方評估可能性。預計時程如總經理所述,是 2028 年以後的事,目前仍在評估規劃階段,並尋找適合土地,故無法具體回答。有人問 8 吋光通訊應用矽電容客戶狀況,目前光通訊模組大多為中國大陸客戶,台灣客戶相對較少。有人問是否要蓋新廠,我們剛才提到做了許多調研,也不排除購買舊廠等可能性,仍需根據調研評估結果決定。有人問新廠何時能貢獻營收、增加產能及設備交替,目前仍處於初期評估階段,尋找適合地點,無具體回答。關於矽電容,董事長提到 2027 年下半年預計有 3 到 5 萬片矽電容,想了解高容值與低容值比例,請說明。

謝再居 - 力積電, 董事長

(00:47:43)我剛提到的是高容值,低容值則多用於 power 系統或 CPU 系統,採用 deep trench 製程的 cell 來適應。高容值則是用 DRAM 的 stack capacitor 製程。這些大多用於 HPC 及 AI 的 CPU 中。

譚仲民 - 力積電, 副總經理暨發言人

(00:48:15)有人問 IPD deep trench 可做到多少容值,目前使用何種製程。新廠何時啟用尚無法回答,因可能購買舊廠等多種可能性。關於 IPD deep trench 問題...

朱憲國 - 力積電, 總經理

(00:48:46)IPD 低容值約為幾百,剛提到高容值以千為基準,技術與應用不同。低容值使用 deep trench,偏向 8 吋邏輯製程。

謝再居 - 力積電, 董事長

(00:49:05)8 吋邏輯製程已量產,業界 deep trench 可達 2000 至 3000 左右,但製程複雜。我們的 deep trench 技術原先在 8 吋開發,現部分移至 12 吋。目標可達 2000nF/mm²,但相較 DRAM capacitor,DRAM capacitor 較易達成。明年 DRAM capacitor 目標超過 4000 至 4500nF/mm²,因需求在規格與量上都會提升,我們技術需隨客戶使用進步。有人問矽電容 1 萬片產能是高容值還是低容值,規劃如何。1 萬片為高容值,由 DRAM capacitor 製造。若超過 1 萬片,將犧牲 DRAM 產品代工產能。矽電容只用到 DRAM 製程約四分之一段,若全部轉做矽電容,會浪費前後段 DRAM 製程設備產能。目前規劃約 8000 至 10000 片。有人問是否能符合客戶需求,我們無法完全滿足市場需求。我們提出尋找新地點增加 cleanroom 產能的議題,有時也是在安慰客戶,讓他們抱持希望。這可能是三至五年計劃,當新產能開出,可能是下一波景氣下行後的事。目前大致說明如上。

朱憲國 - 力積電, 總經理

(00:52:21)有人問低容值部分,低容值約 8000 至 10000 片,為 8 吋高容值約 3500 片規模,客戶多為小型且多樣化,產品多元且應用複雜,較適合 8 吋製程。低容值應用較複雜,較適合 8 吋製程。

譚仲民 - 力積電, 副總經理暨發言人

(00:52:54)有人問 NVIDIA GaN 氮化鎵晶片進度,抱歉我們不便透露客戶狀況。總經理提及氮化鎵已進入部分市場驗證階段,但貢獻度相較其他產品尚不顯著。有人問力積電是否預計買回庫藏股,目前沒有此規劃。財務長補充:沒有買回庫藏股計劃。請問還有其他問題嗎?抱歉,剛才有投資人問及力晶創新相關問題,我們無法回答,因為它是我們的控股公司,與我們無特殊業務關係,無法代為回答,敬請見諒。若無其他問題,今天第三季法人說明會到此結束,感謝各位參加,謝謝。