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美光MU_F4Q26財報法說_call_memo_20261001

美光 Micron (MU US) F4Q26 財報法說 Call Memo 20261001

※重點摘要 1. F4Q26 營收、毛利率、EPS 均超越財測高標，DRAM／NAND 價量齊揚。 2. F1Q27 營收指引大幅優於預期，但毛利率因高成本庫存與獎酬墊高而季減，管理層定調為 FY27 低點。 3. 2027–28 年供需較 2026 年更緊，2027 年逾 75% 產出已獲承諾，看不到恢復平衡時點。

※營運成果 1. F4Q26 營收 542.29 億美元，QoQ +30.8%、YoY +379.3%，連續第六季創高，超越財測 490–510 億美元高標。Non-GAAP 毛利率 87.0%（QoQ +2.1ppts），營業利益率 82.3%；Non-GAAP EPS 33.42 美元，超越財測 31±1 美元，GAAP EPS 32.87 美元。

  1. DRAM 營收 397.71 億美元，占 73.3%，QoQ +27.0%、YoY +342.7%；位元出貨 QoQ 中個位數（約 4–6%），ASP QoQ high-teens（約 17–19%）。1γ 已成為最大生產節點，預期為公司史上產量最大的 DRAM 節點。

  2. NAND 營收 141.02 億美元，占 26.0%，QoQ +41.8%、YoY +526.2%；位元出貨 QoQ 約 +10%，ASP QoQ 約 +30%。資料中心 SSD 營收接近 100 億美元，YoY 逾 10 倍，占 NAND 營收逾 2/3。G9 為主要量產節點。

  3. 依事業部：CMBU 162.83 億美元（QoQ +18%，占 30.0%），毛利率 83% 持平、營益率 78% 降至 76%；CDBU 180.02 億美元（QoQ +56%，占 33.3%），首度超過 CMBU，毛利率 87% 升至 90%、營益率 83% 升至 85%；MCBU 131.14 億美元（QoQ +14%，占 24.2%），近半營收來自 1γ 產品，毛利率 87% 升至 90%；AEBU 68.24 億美元（QoQ +47%，占 12.6%），毛利率 79% 升至 84%。

  4. FY2026 營收 1,331.88 億美元，YoY +256%；Non-GAAP 毛利率 81.1%，Non-GAAP EPS 75.52 美元。DRAM 全年 1,006.79 億美元（YoY +252%），NAND 全年 317.85 億美元（YoY +274%）。

  5. F4Q26 淨資本支出 107.74 億美元，FY2026 合計 273.67 億美元；F4Q26 營運現金流 439.73 億美元、自由現金流約 332 億美元，FY2026 營運現金流 896.75 億美元。期末存貨 104 億美元，DOI 129 天。

※營運展望 7. F1Q27 營收指引 615±15 億美元（QoQ +10.6% 至 +16.2%），Non-GAAP 毛利率約 86.25%（QoQ -0.75ppts），Non-GAAP EPS 38.15±1.00 美元，GAAP EPS 37.84±1.00 美元；營業費用 20.60 億美元。營收與 EPS 高於市場預期，毛利率略低於預期。

  1. F1Q27 毛利率下滑原因：F4Q26 提高員工獎酬，製造端成本先計入存貨，於 F1Q27 出售時反映；加上新產能啟動成本，合計增加約 10 億美元成本。F1Q27 DRAM 與 NAND 位元出貨均 QoQ 個位數成長，單位成本均 QoQ 雙位數增加。管理層表示售價未下滑，F1Q27 為 FY27 毛利率低點，FY27 每季營收 QoQ 成長，毛利率逐季改善。

  2. 產業位元供給：2027–28 年 DRAM 位元出貨成長約 low-20s%、NAND 約 mid-20s%，2027 年 DRAM 位元成長低於 2026 年。2026 年公司 DRAM 位元成長約 mid-20s%，與產業相近；NAND 略低於產業的 low-20s%。2026、2027 年伺服器出貨量均預期成長 high-teens%。

  3. SCA 由上季 16 份增至 26 份，涵蓋 2030 年前逾 35% 營收，長期目標接近 50%；部分合約延長至 2031 年。約 3/4 有明確定價架構，多數設價格上下限，其餘約 1/4 依市場價格定期議定。客戶財務承諾由 200 億美元增至 320 億美元，絕大部分為現金存款。剩餘履約義務（RPO）約 1,500 億美元。

  4. 資本支出：F1Q27 約 115 億美元，1H FY27 約 250 億美元，2H FY27 高於上半年；增量以廠房與無塵室（Construction CapEx）為主，主要加速 2028 年底後可用的無塵室，設備依需求與 SCA 能見度逐步配置，並已與設備商簽長期供應協議。

  5. 產能時程：Idaho ID1 2027 年中開始投片，ID2 2028 年底投產；紐約廠 2026 年初動工、2030 年量產；日本廣島無塵室 2028 年底；新加坡 HBM 封裝產能 CY27 初開始貢獻，新加坡 NAND 新廠 2H28 投產；台灣銅鑼廠 2027 年中開始出貨，2026 年底前啟動第二座廠房。

  6. 製程：1δ DRAM 預計 2H CY27 開始 ramp，下一代 NAND 節點 2H27 量產。先進製程領先中國競爭對手至少兩個節點，中國營收曝險 FY27 預期降至個位數百分比。

  7. HBM：2027 年大部分 HBM 供給已完成協議，價格較 2026 年顯著提升並自 CY27 反映，縮小 HBM 與傳統 DRAM 毛利率差距。HBM 位元需求至 2028 年持續高於傳統 DRAM，產品由 HBM3E 轉向 HBM4，HBM4E 於 2027 年底導入；與 NVIDIA 共同開發客製化 NVHBM（HBM4E），用於下一代 GPU 與 NVLink Fusion 平台。

  8. 資本回饋：預期 F1Q27 自由現金流顯著高於 F4Q26，並於 F1Q27 底接近目標現金水位；12/9 起提高資本回饋，超額現金以庫藏股為主，目前回購額度剩 22 億美元，近期將申請提高授權。

※Q&A 16. FY1Q27 毛利率下滑原因為何，後續走勢如何？ FY4Q26 提高員工獎酬，製造端大部分成本先計入存貨，對 FY4Q26 毛利率影響有限，相關高成本存貨於 FY1Q27 出售後反映，加上新產能啟動及其他成本，FY1Q27 合計增加約 10 億美元成本。FY2027 獎酬亦提高，製造端影響自 FY2Q27 開始反映。儘管成本增加，FY1Q27 仍預計為 FY2027 毛利率低點，後續受惠記憶體價格持續上漲及營運效率改善，毛利率逐季改善。

  1. 2027 至 2028 年新增產能陸續開出，記憶體價格是否仍能維持強勢？ 2027、2028 年記憶體需求仍高於供給，且緊張程度高於 2026 年。新增無塵室從建置、認證、設備進駐到量產需要較長時間，即使 2028 年新產能開始投產，位元供給也需數季才能顯著增加。HBM4 與 HBM4E 的 trade ratio 高於前代，製程微縮帶來的單片位元成長效益也逐步下降。需求端受 AI 模型規模、context length、concurrency 與 agentic AI 帶動，目前仍看不到供需恢復平衡的時點。

  2. 客戶降低 HBM 或記憶體規格，是否可能釋放產能並增加 DDR 供給？ 2027、2028 年 HBM 需求成長仍預期高於整體 DRAM，市場持續供給受限。部分客戶調整單一系統記憶體配置，目的是在有限供應下提高系統出貨量，而非終端需求轉弱。規格優化存在邊際效益遞減，即使部分平台降低單機配置，也不足以改變 2027–28 年整體供需緊張趨勢。

  3. 若 2027 年實際供給高於預期，市場是否有足夠需求吸收？ 客戶目前在供應受限下優先降低部分系統的 memory content，以最大化可出貨的 compute silicon 數量，較低的 content growth 是配置最佳化而非需求消失。若供給增加，額外容量可重新配置到 AI accelerator 與 CPU 平台，提高單一系統記憶體容量與效能，額外供給有明確的應用場景。

  4. CapEx 持續增加，為何 2027 年 DRAM 供給增速反而下降？ 新增 CapEx 無法立即轉成位元供給。HBM 需求成長快於傳統 DRAM，產品轉向 HBM4、HBM4E 後 trade ratio 進一步提高，消耗更多晶圓並抑制整體 DRAM 位元成長；新節點每次轉換的位元密度改善也逐漸下降。最主要限制仍是無塵室，即使 Idaho 新廠 2027 年中開始投片，仍需數季 ramp 才形成有意義供給，因此 2027 年產業 DRAM 位元出貨成長仍低於 2026 年。

  5. FY2027 增加 Construction CapEx，是否代表 2028 年後供給大幅增加？ 新增 CapEx 主要投入 Construction CapEx，核心原因是無塵室已成為產業供給成長的主要限制。大部分新增建設支出用於 2028 年底及之後可使用的無塵室，建廠支出本身不會立即轉成位元供給；新廠完工後仍需配置設備、完成認證並 ramp，實際出貨通常再經數季才具規模。設備配置依當時需求環境決定，並透過 SCA 掌握長期需求。

  6. FY2027 提高資本支出後，長期資本密集度與擴產原則如何變化？ 1H FY27 CapEx 約 250 億美元，下半年高於上半年，結構明顯轉向 Construction CapEx，未來數年趨勢可望延續。相較歷史水準資本密集度仍偏低，記憶體與儲存已逐步成為策略性資產。新增支出主要用於提前建置無塵室，不會因廠房完工即全面裝機，而是依市場需求與 SCA 的長期能見度配置設備。

  7. SCA 覆蓋率與客戶承諾提高後，長期需求能見度有何變化？ 目前 26 份 SCA，預估涵蓋 2030 年前逾 35% 營收，約 3/4 具明確定價架構、多數採價格上下限，其餘約 1/4 依市場價格定期協商。客戶財務承諾增至 320 億美元，絕大部分為現金存款，部分 SCA 延長至 2031 年。2027 年逾 75% 總產出已獲 SCA 與非 SCA 客戶承諾，多數客戶討論已轉向 2028 年供應，也有客戶要求 2030 年後的供應保障。

  8. 新增 SCA 在價格與合約架構上有何變化？ 整體合約架構沒有重大改變，但新簽條件已反映更緊張的供需與較高價格水準，價格協商方向持續向上。最新簽署的 10 份 SCA 涵蓋不同規模客戶，合約形式不完全相同。SCA 已涵蓋所有事業部，透過 take-or-pay 承諾提高供需匹配與長期產能投資能見度。

  9. SCA 長期營收覆蓋率最高可達多少，是否可能提升至 60–70%？ 2027 年逾 75% 產出已獲承諾，但此數字同時包含 SCA 與非 SCA 客戶，部分大型客戶仍採年度採購，近期非 SCA 客戶也開始下 2027 年訂單。SCA 長期目標維持至 2030 年覆蓋接近 50%，實際占比取決於其他業務營收成長。公司不追求最大覆蓋率，需保留產能彈性因應不同客戶、終端市場與新客戶需求。

  10. SCA 涵蓋 DRAM 與 NAND 的比重是否不同？ 未揭露兩者個別營收占比，以位元量來看，DRAM 經由 SCA 涵蓋的比重略低於 35%，NAND 略高於 35%。SCA 已涵蓋所有事業部，Mobile 與 Client 也有長約，目的在提高長期需求能見度並維持不同終端市場的供應多元配置。

  11. 2027 年 HBM 價格與出貨趨勢為何，毛利率差距是否縮小？ 2026 年 HBM 價格主要於前一年協商，2027 年大部分 HBM 供給已完成協議，價格較 2026 年顯著提高並自 CY27 開始反映，有助縮小 HBM 與傳統 DRAM 的毛利率差距。HBM 位元需求至 2028 年持續高於傳統 DRAM，組合由 HBM3E 逐步轉向 HBM4，2027 年底導入 HBM4E。

  12. HBM 市場規模與市占率目標是否因漲價提高？ 未更新 2028–30 年 HBM TAM，但 HBM 位元出貨至 2028 年持續快於傳統 DRAM，HBM 占產業產能比重將持續提高。HBM 市占率目前約與整體 DRAM 市占率相近，未設定固定目標，依產品、客戶與市場條件調整。HBM 除直接貢獻營收，也有助參與最先進的 AI accelerator 平台並深化與運算客戶的共同開發。

  13. HBM4E 與 NVIDIA 客製化合作方式及產品差異化為何？ HBM4E 已與 NVIDIA 共同開發超過一年，NVHBM 為客製化 HBM，預期用於下一代 GPU 與 NVLink Fusion 平台。HBM4 採內部最佳化 base die，HBM4E 不論客製化或 JEDEC 標準版本，base die 均採 foundry 製程。差異化主要來自功耗、速度、效能餘裕、品質與共同最佳化能力，客製化 NVHBM 價值高於標準 HBM4E。

  14. 中國市場曝險與中國記憶體廠追趕對競爭格局的影響？ 中國營收曝險過去數年持續下降，FY2027 預期降至個位數百分比。先進製程領先中國競爭對手至少兩個節點，1γ 已成為主要位元產出來源，1δ 規劃 2H27 開始 ramp。1γ 及後續節點高度依賴 EUV，EUV 製程、mask 技術與供應商合作能力是重要差異化來源。

  15. PC 與手機位元出貨下降，是否反映漲價開始抑制需求？ MCBU 位元出貨連續下滑，但營收受惠價格上漲與組合改善仍成長。PC 與智慧型手機整體出貨可能雙位數下降，但高階 PC 與旗艦手機對高容量、高效能記憶體需求仍強，產業營收仍預期成長。資源配置持續聚焦 premium segment，F4Q26 近一半 MCBU 營收來自 1γ 產品，SCA 也已涵蓋 Mobile 與 Client。

  16. Agentic AI 透過 CPU 運算，對 DRAM 與 SSD 帶來多少增量？ Agentic AI 工作負載除 GPU accelerator 外也大量在 CPU 執行，形成新的 AI 記憶體需求。CPU server 需搭配大量 LPDRAM、DDR 與 SSD，企業與消費端應用已開始落地，成為伺服器出貨成長的重要驅動，2026、2027 年伺服器出貨均預期成長 high-teens%。CPU 需求增加進一步加劇 DRAM 供應限制，使 DRAM 逐步成為比 logic 或資料中心電力更重要的擴張瓶頸。

  17. NAND 供給成長低於產業的原因，2027–28 年如何規劃？ 2026 年 NAND 供給增速低於產業，部分因新加坡既有無塵室投入先進 NAND 研發線，部分空間用於 2027 年 HBM 先進封裝產能前期準備。2027–28 年未提供相對產業的供給指引，但預期產業 NAND 位元出貨兩年均成長 mid-20s%，供需維持緊張。G9 持續 ramp 提供具成本效益的新增供給，新加坡 NAND 新廠預計 2H28 開始產出。

  18. 不同 DRAM 產品共用產線，能否提高產能彈性並降低成本？ 不同 DRAM 產品雖可在同一 fab 生產，但前段製程差異較過去更大。HBM、SOCAMM、LPDRAM 與 DDR 各自針對不同效能指標最佳化，HBM 著重頻寬與 TSV 需要特定製程步驟。共用產線的主要優勢不是降低成本，而是提高產能配置彈性，可依終端需求在同一 fab 內調整產品比重。

  19. 自由現金流快速增加，資本回饋與現金水位如何規劃？ F4Q26 自由現金流達 332 億美元，在需求強勁、供給受限、長約與組合改善下，自由現金流強度較過往週期更具持續性。依 F1Q27 財測與 CapEx 規劃，F1Q27 自由現金流將顯著高於 F4Q26，並於 F1Q27 底接近目標現金水位。後續超額現金以庫藏股為主要回饋方式，12/9 起提高資本回饋，目前回購額度剩 22 億美元，近期將尋求增加授權。